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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 输入类型 | 电压 - 输入 | SIC | 电压 - 电源 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 功能 | 通道类型 | 传感方式 | 准确性 | 当前-输出 | 驱动配置 | 司机X | 闸门类型 | 逻辑电压 - VIL、VIH | 电流 - 热输出(拉电流、灌电流) | 上升/下降T(典型值) | 高侧电压 - 顶部(自举) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IXDN514D1T/R | - | ![]() | 1580 | 0.00000000 | IXYS | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 6-VDFN 裸露焊盘 | IXDN514 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~30V | 6-DFN (4x5) | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 单身的 | 低侧 | 1 | IGBT、N沟道、P沟道MOSFET | 1V、2.5V | 14A, 14A | 25纳秒、22纳秒 | |||||||||
![]() | IXD611P7 | - | ![]() | 8646 | 0.00000000 | IXYS | - | 盒子 | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 通孔 | 14-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | IXD611 | 非反相 | 未验证 | 10V~35V | 14-PDIP | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 400 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 2.4V、2.7V | 600毫安,600毫安 | 28纳秒、18纳秒 | 600伏 | ||||||||
![]() | IXDI414YI | - | ![]() | 7427 | 0.00000000 | IXYS | - | 管子 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-263-6、D²Pak(5引脚+接片)、TO-263BA | IXDI414 | 反相 | 未验证 | 4.5V~35V | TO-263-5 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | 单身的 | 低侧 | 1 | IGBT、N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、3.5V | 14A, 14A | 22纳秒、20纳秒 | |||||||||
![]() | IXDN509PI | - | ![]() | 9381 | 0.00000000 | IXYS | - | 管子 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | IXDN509 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~30V | 8-DIP | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | 单身的 | 低侧 | 1 | IGBT、N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2.4V | 9A, 9A | 25纳秒、23纳秒 | |||||||||
![]() | IX2R11M6T/R | - | ![]() | 7154 | 0.00000000 | IXYS | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 16-VDFN 裸露焊盘 | IX2R11 | 非反相 | 未验证 | 10V~35V | 16-MLP (7x6) | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 6V、9.5V | 2A, 2A | 8纳秒、7纳秒 | 500V | ||||||||
![]() | IXI848S1T/R | - | ![]() | 第1327章 | 0.00000000 | IXYS | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | IXI848 | 2.7V~40V | 8-SOIC | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 当前电流 | 高侧 | ±0.7% | - | |||||||||||||
![]() | IXDN404PI | - | ![]() | 1249 | 0.00000000 | IXYS | - | 管子 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | IXDN404 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~35V | 8-DIP | 下载 | 不适用 | REACH 不出行 | IXDN404PI-NDR | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | 独立的 | 低侧 | 2 | IGBT、N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2.5V | 4A, 4A | 16纳秒、13纳秒 | ||||||||
![]() | IXDD514PI | - | ![]() | 9692 | 0.00000000 | IXYS | - | 管子 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | IXDD514 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~30V | 8-DIP | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | 单身的 | 低侧 | 1 | IGBT、N沟道、P沟道MOSFET | 1V、2.5V | 14A, 14A | 25纳秒、22纳秒 | |||||||||
![]() | IXDE514SIA | - | ![]() | 3143 | 0.00000000 | IXYS | - | 管子 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | IXDE514 | 反相 | 未验证 | 4.5V~30V | 8-SOIC | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 94 | 单身的 | 低侧 | 1 | IGBT、N沟道、P沟道MOSFET | 1V、2.5V | 14A, 14A | 25纳秒、22纳秒 | |||||||||
![]() | IXDN509D1T/R | - | ![]() | 6892 | 0.00000000 | IXYS | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 6-VDFN 裸露焊盘 | IXDN509 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~30V | 6-DFN (4x5) | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 单身的 | 低侧 | 1 | IGBT、N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2.4V | 9A, 9A | 25纳秒、23纳秒 | |||||||||
![]() | IXB611S1 | - | ![]() | 1234 | 0.00000000 | IXYS | - | 盒子 | 过时的 | - | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | IXB611 | - | 未验证 | - | 8-SOIC | - | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 第470章 | - | - | - | - | - | - | ||||||||||
![]() | IXDD504D2 | - | ![]() | 7330 | 0.00000000 | IXYS | - | 盒子 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-VDFN 裸露焊盘 | IXDD504 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~30V | 8-DFN (4x5) | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 56 | 独立的 | 低侧 | 2 | IGBT、N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、3V | 4A, 4A | 9纳秒、8纳秒 | |||||||||
![]() | IXDI509D1T/R | - | ![]() | 9676 | 0.00000000 | IXYS | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 6-VDFN 裸露焊盘 | IXDI509 | 反相 | 未验证 | 4.5V~30V | 6-DFN (4x5) | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 单身的 | 低侧 | 1 | IGBT、N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、2.4V | 9A, 9A | 25纳秒、23纳秒 | |||||||||
![]() | IXDI514SIAT/R | - | ![]() | 9456 | 0.00000000 | IXYS | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | IXDI514 | 反相 | 未验证 | 4.5V~30V | 8-SOIC | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 单身的 | 低侧 | 1 | IGBT、N沟道、P沟道MOSFET | 1V、2.5V | 14A, 14A | 25纳秒、22纳秒 | |||||||||
![]() | IXCP10M35S | - | ![]() | 2990 | 0.00000000 | IXYS | IXC | 管子 | 过时的 | -55℃~150℃ | 通孔 | TO-220-3 | IXCP10 | - | TO-220-3 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | 电流调节器 | - | - | 10毫安 | ||||||||||||||
![]() | IXCY10M45S-TRL | 1.7645 | ![]() | 5533 | 0.00000000 | IXYS | IXC | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55℃~150℃ | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | IXCY10 | 450V | TO-252AA | - | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 238-IXCY10M45S-TRLTR | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 电流调节器 | - | - | 100毫安 | |||||||||||||
![]() | IXS839BQ2 | - | ![]() | 8246 | 0.00000000 | IXYS | - | 管子 | 过时的 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | 10-VFDFN 裸露焊盘 | IXS839 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~5.5V | 10-QFN (3x3) | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 121 | 同步化 | 半桥 | 2 | N沟道MOSFET | 0.8V、2V | 2A、4A | 20纳秒、15纳秒 | 24V | ||||||||
![]() | IXCY10M45A | - | ![]() | 3584 | 0.00000000 | IXYS | IXC | 管子 | 过时的 | -55℃~150℃ | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | IXCY10 | - | TO-252AA | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | 电流调节器 | - | - | 60毫安 | ||||||||||||||
![]() | IXDI409CI | - | ![]() | 1818 | 0.00000000 | IXYS | - | 管子 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-5 | IXDI409 | 反相 | 未验证 | 4.5V~35V | TO-220-5 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | 单身的 | 低侧 | 1 | IGBT、N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、3.5V | 9A, 9A | 10纳秒,10纳秒 | |||||||||
![]() | IXE611P1 | - | ![]() | 1323 | 0.00000000 | IXYS | - | 盒子 | 过时的 | - | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | IXE611 | - | 未验证 | - | 8-DIP | - | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 450 | - | - | - | - | - | - | ||||||||||
![]() | IX4R11S3 | - | ![]() | 3495 | 0.00000000 | IXYS | - | 盒子 | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | IX4R11 | 非反相 | 未验证 | 10V~35V | 16-SOIC | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 230 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 6V、7V | 4A, 4A | 23纳秒、22纳秒 | 650伏 | ||||||||
![]() | IXA611S3 | - | ![]() | 3473 | 0.00000000 | IXYS | - | 盒子 | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | IXA611 | 非反相 | 未验证 | 10V~35V | 16-SOIC | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 第368章 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 6V、7V | 600毫安,600毫安 | 23纳秒、22纳秒 | 650伏 | ||||||||
![]() | IXDF402SI | - | ![]() | 4127 | 0.00000000 | IXYS | - | 管子 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | IXDF402 | 反相、同相 | 未验证 | 4.5V~35V | 8-SOIC | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | Q2687800 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 独立的 | 低侧 | 2 | IGBT、N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、3V | 2A, 2A | 8纳秒,8纳秒 | ||||||||
![]() | IXDN514SIAT/R | - | ![]() | 2307 | 0.00000000 | IXYS | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | IXDN514 | 非反相 | 未验证 | 4.5V~30V | 8-SOIC | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | 单身的 | 低侧 | 1 | IGBT、N沟道、P沟道MOSFET | 1V、2.5V | 14A, 14A | 25纳秒、22纳秒 | |||||||||
![]() | IXH611S1 | - | ![]() | 2721 | 0.00000000 | IXYS | - | 盒子 | 过时的 | - | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | IXH611 | - | 未验证 | - | 8-SOIC | - | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 第470章 | - | - | - | - | - | - | ||||||||||
![]() | IXH611S1T/R | - | ![]() | 8925 | 0.00000000 | IXYS | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | - | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | IXH611 | - | 未验证 | - | 8-SOIC | - | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | - | - | - | - | - | - | ||||||||||
![]() | IXDE504PI | - | ![]() | 7673 | 0.00000000 | IXYS | - | 管子 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) | IXDE504 | 反相 | 未验证 | 4.5V~30V | 8-DIP | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | 独立的 | 低侧 | 2 | IGBT、N沟道、P沟道MOSFET | 0.8V、3V | 4A, 4A | 9纳秒、8纳秒 | |||||||||
![]() | IXCP60M45 | - | ![]() | 6048 | 0.00000000 | IXYS | IXC | 管子 | 过时的 | -55℃~150℃ | 通孔 | TO-220-3 | IXCP60 | - | TO-220-3 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | 电流调节器 | - | - | 60毫安 | ||||||||||||||
![]() | IX6R11S3T/R | - | ![]() | 9842 | 0.00000000 | IXYS | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | -40°C ~ 125°C (TA) | 表面贴装 | 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) | IX6R11 | 非反相 | 未验证 | 10V~35V | 16-SOIC | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 独立的 | 半桥 | 2 | IGBT、N沟道MOSFET | 6V、9.6V | 6A, 6A | 25纳秒、17纳秒 | 600伏 | ||||||||
![]() | IXCY40M45 | - | ![]() | 3159 | 0.00000000 | IXYS | IXC | 管子 | 过时的 | -55℃~150℃ | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | IXCY40 | - | TO-252AA | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | 电流调节器 | - | - | 40毫安 |

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