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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 电压 - 输入 SIC 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 通道类型 传感方式 准确性 当前-输出 驱动配置 司机X 闸门类型 逻辑电压 - VIL、VIH 电流 - 热输出(拉电流、灌电流) 上升/下降T(典型值) 高侧电压 - 顶部(自举)
IXDN514D1T/R IXYS IXDN514D1T/R -
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ECAD 1580 0.00000000 IXYS - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 6-VDFN 裸露焊盘 IXDN514 非反相 未验证 4.5V~30V 6-DFN (4x5) 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 1V、2.5V 14A, 14A 25纳秒、22纳秒
IXD611P7 IXYS IXD611P7 -
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ECAD 8646 0.00000000 IXYS - 盒子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 14-DIP(0.300英寸,7.62毫米) IXD611 非反相 未验证 10V~35V 14-PDIP 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 400 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 2.4V、2.7V 600毫安,600毫安 28纳秒、18纳秒 600伏
IXDI414YI IXYS IXDI414YI -
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ECAD 7427 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-263-6、D²Pak(5引脚+接片)、TO-263BA IXDI414 反相 未验证 4.5V~35V TO-263-5 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3.5V 14A, 14A 22纳秒、20纳秒
IXDN509PI IXYS IXDN509PI -
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ECAD 9381 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) IXDN509 非反相 未验证 4.5V~30V 8-DIP 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 9A, 9A 25纳秒、23纳秒
IX2R11M6T/R IXYS IX2R11M6T/R -
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ECAD 7154 0.00000000 IXYS - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 16-VDFN 裸露焊盘 IX2R11 非反相 未验证 10V~35V 16-MLP (7x6) 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 6V、9.5V 2A, 2A 8纳秒、7纳秒 500V
IXI848S1T/R IXYS IXI848S1T/R -
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ECAD 第1327章 0.00000000 IXYS - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~85℃ 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) IXI848 2.7V~40V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 当前电流 高侧 ±0.7% -
IXDN404PI IXYS IXDN404PI -
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ECAD 1249 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) IXDN404 非反相 未验证 4.5V~35V 8-DIP 下载 不适用 REACH 不出行 IXDN404PI-NDR EAR99 8542.39.0001 50 独立的 低侧 2 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.5V 4A, 4A 16纳秒、13纳秒
IXDD514PI IXYS IXDD514PI -
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ECAD 9692 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) IXDD514 非反相 未验证 4.5V~30V 8-DIP 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 1V、2.5V 14A, 14A 25纳秒、22纳秒
IXDE514SIA IXYS IXDE514SIA -
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ECAD 3143 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) IXDE514 反相 未验证 4.5V~30V 8-SOIC 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 94 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 1V、2.5V 14A, 14A 25纳秒、22纳秒
IXDN509D1T/R IXYS IXDN509D1T/R -
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ECAD 6892 0.00000000 IXYS - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 6-VDFN 裸露焊盘 IXDN509 非反相 未验证 4.5V~30V 6-DFN (4x5) 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 9A, 9A 25纳秒、23纳秒
IXB611S1 IXYS IXB611S1 -
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ECAD 1234 0.00000000 IXYS - 盒子 过时的 - 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) IXB611 - 未验证 - 8-SOIC - 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 第470章 - - - - - -
IXDD504D2 IXYS IXDD504D2 -
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ECAD 7330 0.00000000 IXYS - 盒子 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-VDFN 裸露焊盘 IXDD504 非反相 未验证 4.5V~30V 8-DFN (4x5) 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 56 独立的 低侧 2 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3V 4A, 4A 9纳秒、8纳秒
IXDI509D1T/R IXYS IXDI509D1T/R -
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ECAD 9676 0.00000000 IXYS - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 6-VDFN 裸露焊盘 IXDI509 反相 未验证 4.5V~30V 6-DFN (4x5) 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 9A, 9A 25纳秒、23纳秒
IXDI514SIAT/R IXYS IXDI514SIAT/R -
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ECAD 9456 0.00000000 IXYS - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) IXDI514 反相 未验证 4.5V~30V 8-SOIC 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 1V、2.5V 14A, 14A 25纳秒、22纳秒
IXCP10M35S IXYS IXCP10M35S -
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ECAD 2990 0.00000000 IXYS IXC 管子 过时的 -55℃~150℃ 通孔 TO-220-3 IXCP10 - TO-220-3 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 电流调节器 - - 10毫安
IXCY10M45S-TRL IXYS IXCY10M45S-TRL 1.7645
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ECAD 5533 0.00000000 IXYS IXC 卷带式 (TR) 的积极 -55℃~150℃ 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 IXCY10 450V TO-252AA - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 238-IXCY10M45S-TRLTR EAR99 8542.39.0001 2,500人 电流调节器 - - 100毫安
IXS839BQ2 IXYS IXS839BQ2 -
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ECAD 8246 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 10-VFDFN 裸露焊盘 IXS839 非反相 未验证 4.5V~5.5V 10-QFN (3x3) 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 121 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET 0.8V、2V 2A、4A 20纳秒、15纳秒 24V
IXCY10M45A IXYS IXCY10M45A -
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ECAD 3584 0.00000000 IXYS IXC 管子 过时的 -55℃~150℃ 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 IXCY10 - TO-252AA 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 电流调节器 - - 60毫安
IXDI409CI IXYS IXDI409CI -
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ECAD 1818 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-5 IXDI409 反相 未验证 4.5V~35V TO-220-5 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3.5V 9A, 9A 10纳秒,10纳秒
IXE611P1 IXYS IXE611P1 -
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ECAD 1323 0.00000000 IXYS - 盒子 过时的 - 通孔 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) IXE611 - 未验证 - 8-DIP - 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 450 - - - - - -
IX4R11S3 IXYS IX4R11S3 -
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ECAD 3495 0.00000000 IXYS - 盒子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) IX4R11 非反相 未验证 10V~35V 16-SOIC 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 230 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 6V、7V 4A, 4A 23纳秒、22纳秒 650伏
IXA611S3 IXYS IXA611S3 -
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ECAD 3473 0.00000000 IXYS - 盒子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) IXA611 非反相 未验证 10V~35V 16-SOIC 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 第368章 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 6V、7V 600毫安,600毫安 23纳秒、22纳秒 650伏
IXDF402SI IXYS IXDF402SI -
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ECAD 4127 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) IXDF402 反相、同相 未验证 4.5V~35V 8-SOIC 下载 1(无限制) REACH 不出行 Q2687800 EAR99 8541.29.0095 50 独立的 低侧 2 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3V 2A, 2A 8纳秒,8纳秒
IXDN514SIAT/R IXYS IXDN514SIAT/R -
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ECAD 2307 0.00000000 IXYS - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) IXDN514 非反相 未验证 4.5V~30V 8-SOIC 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 1V、2.5V 14A, 14A 25纳秒、22纳秒
IXH611S1 IXYS IXH611S1 -
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ECAD 2721 0.00000000 IXYS - 盒子 过时的 - 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) IXH611 - 未验证 - 8-SOIC - 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 第470章 - - - - - -
IXH611S1T/R IXYS IXH611S1T/R -
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ECAD 8925 0.00000000 IXYS - 卷带式 (TR) 过时的 - 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) IXH611 - 未验证 - 8-SOIC - 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 - - - - - -
IXDE504PI IXYS IXDE504PI -
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ECAD 7673 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 8-DIP(0.300英寸,7.62毫米) IXDE504 反相 未验证 4.5V~30V 8-DIP 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 独立的 低侧 2 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3V 4A, 4A 9纳秒、8纳秒
IXCP60M45 IXYS IXCP60M45 -
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ECAD 6048 0.00000000 IXYS IXC 管子 过时的 -55℃~150℃ 通孔 TO-220-3 IXCP60 - TO-220-3 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 电流调节器 - - 60毫安
IX6R11S3T/R IXYS IX6R11S3T/R -
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ECAD 9842 0.00000000 IXYS - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 16-SOIC(0.295英寸,7.50毫米宽) IX6R11 非反相 未验证 10V~35V 16-SOIC 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 6V、9.6V 6A, 6A 25纳秒、17纳秒 600伏
IXCY40M45 IXYS IXCY40M45 -
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ECAD 3159 0.00000000 IXYS IXC 管子 过时的 -55℃~150℃ 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 IXCY40 - TO-252AA 下载 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 电流调节器 - - 40毫安
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

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    15,000米2

    智能仓库