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集成电路 (IC)(312)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 电压 - 输入 SIC 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级（MSL） REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 通道类型 传感方式 准确性 当前-输出 驱动配置 司机X 闸门类型 逻辑电压 - VIL、VIH 电流 - 热输出（拉电流、灌电流） 上升/下降T（典型值） 高侧电压 - 顶部（自举）
IXDD430CI IXYS IXDD430CI -
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 ECAD 7996 0.00000000 IXYS - 盒子 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 通孔 TO-220-5 IXDD430 非反相 未验证 8.5V～35V TO-220-5 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3.5V 30A、30A 18纳秒、16纳秒
IXCY50M35A IXYS IXCY50M35A -
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 ECAD 5078 0.00000000 IXYS IXC 管子 过时的 -55℃～150℃ 表面贴装 TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63 IXCY50 - TO-252AA 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 电流调节器 - - 50毫安
IX4R11S3 IXYS IX4R11S3 -
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 ECAD 3495 0.00000000 IXYS - 盒子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） IX4R11 非反相 未验证 10V～35V 16-SOIC 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 230 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 6V、7V 4A, 4A 23纳秒、22纳秒 650伏
IXDD514PI IXYS IXDD514PI -
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 ECAD 9692 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） IXDD514 非反相 未验证 4.5V～30V 8-DIP 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 1V、2.5V 14A, 14A 25纳秒、22纳秒
IXDE509SIA IXYS IXDE509SIA -
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 ECAD 7198 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） IXDE509 反相 未验证 4.5V～30V 8-SOIC 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 94 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 9A, 9A 25纳秒、23纳秒
IXDD414CI IXYS IXDD414CI -
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 ECAD 5042 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 通孔 TO-220-5 IXDD414 非反相 未验证 4.5V～35V TO-220-5 下载 不适用 REACH 不出行 IXDD414CI-NDR EAR99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3.5V 14A, 14A 25纳秒、22纳秒
IXCP10M45 IXYS IXCP10M45 -
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 ECAD 3732 0.00000000 IXYS IXC 管子 过时的 -55℃～150℃ 通孔 TO-220-3 IXCP10 - TO-220-3 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 电流调节器 - - 60毫安
IXDI404SI-16 IXYS IXDI404SI-16 -
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 ECAD 9121 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） IXDI404 反相 未验证 4.5V～35V 16-SOIC 下载 1（无限制） REACH 不出行 IXDI404SI-16-NDR EAR99 8542.39.0001 47 独立的 低侧 2 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.5V 4A, 4A 16纳秒、13纳秒
IXF611S1 IXYS IXF611S1 -
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 ECAD 8653 0.00000000 IXYS - 盒子 过时的 - 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） IXF611 - 未验证 - 8-SOIC - 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 第470章 - - - - - -
IXI848AS1 IXYS IXI848AS1 -
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 ECAD 9575 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -40℃～85℃ 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） IXI848 2.7V～60V 8-SOIC 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 98 当前电流 高侧 ±0.7% -
IXDD404SI-16 IXYS IXDD404SI-16 -
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 ECAD 4864 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） IXDD404 非反相 未验证 4.5V～35V 16-SOIC 下载 1（无限制） REACH 不出行 IXDD404SI-16-NDR EAR99 8542.39.0001 47 独立的 低侧 2 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.5V 4A, 4A 16纳秒、13纳秒
IXBD4410PI IXYS IXBD4410PI -
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 ECAD 7909 0.00000000 IXYS ISOSMART™ 管子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 16-DIP（0.300英寸，7.62毫米） IXBD4410 非反相 未验证 10V～20V 16-DIP 下载 不适用 REACH 不出行 IXBD4410PI-NDR EAR99 8542.39.0001 25 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 1V、3.65V 2A, 2A 15纳秒，15纳秒 1200伏
IXI848S1T/R IXYS IXI848S1T/R -
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 ECAD 第1327章 0.00000000 IXYS - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃～85℃ 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） IXI848 2.7V～40V 8-SOIC 下载 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 当前电流 高侧 ±0.7% -
IX6R11M6T/R IXYS IX6R11M6T/R -
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 ECAD 9046 0.00000000 IXYS - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 16-VDFN 裸露焊盘 IX6R11 非反相 未验证 10V～35V 16-MLP (7x6) 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 6V、9.5V - 25纳秒、17纳秒 600伏
IXDF502PI IXYS IXDF502PI -
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 ECAD 8595 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） IXDF502 反相、同相 未验证 4.5V～30V 8-DIP 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 独立的 低侧 2 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3V 2A, 2A 7.5纳秒、6.5纳秒
IXDN414SI IXYS IXDN414SI -
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 ECAD 3230 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） IXDN414 非反相 未验证 4.5V～35V 14-SOIC 下载 1（无限制） REACH 不出行 Q2799453 EAR99 8542.39.0001 94 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3.5V 14A, 14A 22纳秒、20纳秒
IXDI514SIA IXYS IXDI514SIA -
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 ECAD 6413 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） IXDI514 反相 未验证 4.5V～30V 8-SOIC 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 94 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 1V、2.5V 14A, 14A 25纳秒、22纳秒
IXCY100M45 IXYS IXCY100M45 -
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 ECAD 5838 0.00000000 IXYS IXC 管子 过时的 -55℃～150℃ 表面贴装 TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63 IXCY100 - TO-252AA 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 电流调节器 - - 100毫安
IXDD504SIAT/R IXYS IXDD504SIAT/R -
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 ECAD 2231 0.00000000 IXYS - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘 IXDD504 非反相 未验证 4.5V～30V 8-SOIC-EP 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 低侧 2 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3V 4A, 4A 9纳秒、8纳秒
IXDE509PI IXYS IXDE509PI -
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 ECAD 第1276章 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） IXDE509 反相 未验证 4.5V～30V 8-DIP 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 9A, 9A 25纳秒、23纳秒
IXDI509PI IXYS IXDI509PI -
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 ECAD 7830 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） IXDI509 反相 未验证 4.5V～30V 8-DIP 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 9A, 9A 25纳秒、23纳秒
IXC611S1 IXYS IXC611S1 -
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 ECAD 1613 0.00000000 IXYS - 盒子 过时的 - 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） IXC611 - 未验证 - 8-SOIC - 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 第470章 - - - - - -
IXDD509SIA IXYS IXDD509SIA -
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 ECAD 3799 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） IXDD509 非反相 未验证 4.5V～30V 8-SOIC 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 94 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 9A, 9A 25纳秒、23纳秒
IX4310N IXYS IX4310N 0.4023
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 ECAD 3999 0.00000000 IXYS - 管子 的积极 IX4310 未验证 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 238-IX4310N 100
IXA611M6T/R IXYS IXA611M6T/R -
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 ECAD 7264 0.00000000 IXYS - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 16-VDFN 裸露焊盘 IXA611 非反相 未验证 10V～35V 16-MLP (7x6) 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 6V、7V 600毫安，600毫安 23纳秒、22纳秒 650伏
IXA531L4 IXYS IXA531L4 -
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 ECAD 2285 0.00000000 IXYS - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 44-LCC（J导联） IXA531 反相 未验证 8V～35V 44-PLCC (16.54x16.54) 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 500 土耳其 半桥 6 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3V 600毫安，600毫安 125纳秒、50纳秒 650伏
IXCP02M45A IXYS IXCP02M45A -
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 ECAD 4950 0.00000000 IXYS IXC 管子 过时的 -55℃～150℃ 通孔 TO-220-3 IXCP02 - TO-220-3 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 电流调节器 - - 2毫安
IXS839BQ2T/R IXYS IXS839BQ2T/R -
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 ECAD 3258 0.00000000 IXYS - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 10-VFDFN 裸露焊盘 IXS839 非反相 未验证 4.5V~5.5V 10-QFN (3x3) 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,000 同步化 半桥 2 N沟道MOSFET 0.8V、2V 2A、4A 20纳秒、15纳秒 24V
IXDN514PI IXYS IXDN514PI -
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 ECAD 5643 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） IXDN514 非反相 未验证 4.5V～30V 8-DIP 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 1V、2.5V 14A, 14A 25纳秒、22纳秒
IXDN409SI IXYS IXDN409SI -
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 ECAD 4335 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） IXDN409 非反相 未验证 4.5V～35V 8-SOIC 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 94 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3.5V 9A, 9A 10纳秒，10纳秒
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 裸露焊盘

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