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集成电路 (IC)(312)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 电压 - 输入 SIC 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 通道类型 传感方式 准确性 当前-输出 驱动配置 司机X 闸门类型 逻辑电压 - VIL、VIH 电流 - 热输出（拉电流、灌电流） 上升/下降T（典型值） 高侧电压 - 顶部（自举）
IXE611S1T/R IXYS IXE611S1T/R -
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 ECAD 1504 0.00000000 IXYS - 卷带式 (TR) 过时的 - 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） IXE611 - 未验证 - 8-SOIC - 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 - - - - - -
IXDI504SIA IXYS IXDI504SIA -
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 ECAD 5492 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） IXDI504 反相 未验证 4.5V～30V 8-SOIC 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 94 独立的 低侧 2 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3V 4A, 4A 9纳秒、8纳秒
IXBD4411SI IXYS IXBD4411SI -
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 ECAD 6443 0.00000000 IXYS ISOSMART™ 管子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） IXBD4411 非反相 未验证 10V～20V 16-SOIC 下载 1（无限制） REACH 不出行 IXBD4411SI-NDR EAR99 8542.39.0001 46 单身的 高侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 1V、3.65V 2A, 2A 15纳秒，15纳秒 1200伏
IX6R11P7 IXYS IX6R11P7 -
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 ECAD 2961 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -40°C ~ 125°C (TA) 通孔 14-DIP（0.300英寸，7.62毫米） IX6R11 非反相 未验证 10V～35V 14-PDIP 下载 不适用 REACH 不出行 Q3231395 EAR99 8542.39.0001 25 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 6V、9.6V 6A, 6A 25纳秒、17纳秒 600伏
IXCP10M90S IXYS IXCP10M90S 4.8800
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 ECAD 6828 0.00000000 IXYS IXC 管子 的积极 -55℃～150℃ 通孔 TO-220-3 IXCP10 900V TO-220-3 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 电流调节器 - - 100毫安
IXA531L4T/R IXYS IXA531L4T/R -
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 ECAD 2734 0.00000000 IXYS - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 125°C（太焦） 表面贴装 44-LCC（J导联） IXA531 反相 未验证 8V～35V 44-PLCC (16.54x16.54) 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 500 土耳其 半桥 6 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3V 600毫安，600毫安 125纳秒、50纳秒 650伏
IXD611P1 IXYS IXD611P1 -
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 ECAD 7259 0.00000000 IXYS - 盒子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） IXD611 非反相 未验证 10V～35V 8-DIP 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 500 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 2.4V、2.7V 600毫安，600毫安 28纳秒、18纳秒 600伏
IXCY50M45A IXYS IXCY50M45A -
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 ECAD 1036 0.00000000 IXYS IXC 管子 过时的 -55℃～150℃ 表面贴装 TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63 IXCY50 - TO-252AA 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 电流调节器 - - 50毫安
IXDN509D1 IXYS IXDN509D1 -
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 ECAD 7910 0.00000000 IXYS - 盒子 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 6-VDFN 裸露焊盘 IXDN509 非反相 未验证 4.5V～30V 6-DFN (4x5) 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 56 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 9A, 9A 25纳秒、23纳秒
IXDI504SIAT/R IXYS IXDI504SIAT/R -
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 ECAD 4594 0.00000000 IXYS - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） IXDI504 反相 未验证 4.5V～30V 8-SOIC 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 低侧 2 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3V 4A, 4A 9纳秒、8纳秒
IXCY20M45A IXYS IXCY20M45A -
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 ECAD 1267 0.00000000 IXYS IXC 管子 过时的 -55℃～150℃ 表面贴装 TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63 IXCY20 - TO-252AA 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 电流调节器 - - 20毫安
IXDD509PI IXYS IXDD509PI -
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 ECAD 5143 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） IXDD509 非反相 未验证 4.5V～30V 8-DIP 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 9A, 9A 25纳秒、23纳秒
IXK611S1T/R IXYS IXK611S1T/R -
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 ECAD 6102 0.00000000 IXYS - 卷带式 (TR) 过时的 - 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） IXK611 - 未验证 - 8-SOIC - 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 - - - - - -
IXDD408SI IXYS IXDD408SI -
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 ECAD 9084 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） IXDD408 非反相 未验证 4.5V～25V 8-SOIC 下载 1（无限制） REACH 不出行 IXDD408SI-NDR EAR99 8542.39.0001 94 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3.5V 8A、8A 14纳秒、15纳秒
IXDF504D1 IXYS IXDF504D1 -
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 ECAD 4281 0.00000000 IXYS - 盒子 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 6-VDFN 裸露焊盘 IXDF504 反相、同相 未验证 4.5V～30V 6-DFN (4x5) 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 56 独立的 低侧 2 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3V 4A, 4A 9纳秒、8纳秒
IXDN402SI IXYS IXDN402SI -
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 ECAD 4688 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） IXDN402 非反相 未验证 4.5V～35V 8-SOIC 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 独立的 低侧 2 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3V 2A, 2A 8纳秒，8纳秒
IXCY30M35 IXYS IXCY30M35 -
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 ECAD 9054 0.00000000 IXYS IXC 管子 过时的 -55℃～150℃ 表面贴装 TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63 IXCY30 - TO-252AA 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 电流调节器 - - 30毫安
DEIC421 IXYS DEIC421 -
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 ECAD 第1322章 0.00000000 IXYS - 大部分 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 7-SMD，写入 DEIC421 反相 未验证 8V～30V 7-SMD 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1 单身的 低侧 1 N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3.5V 20A、20A 3纳秒、3纳秒
IXCY10M90S-TRL IXYS IXCY10M90S-TRL 5.0200
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 ECAD 2 0.00000000 IXYS IXC 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63 IXCY10 900V TO-252AA - 符合ROHS3标准 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 电流调节器 - - 100毫安
IX6R11S6T/R IXYS IX6R11S6T/R -
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 ECAD 第1255章 0.00000000 IXYS - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 18-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） IX6R11 非反相 未验证 10V～35V 18-SOIC 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 6V、9.6V 6A, 6A 25纳秒、17纳秒 600伏
IXDN430YI IXYS IXDN430YI -
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 ECAD 4577 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 TO-263-6、D²Pak（5引脚+焊片）、TO-263BA IXDN430 非反相 未验证 8.5V～35V TO-263-5 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3.5V 30A、30A 18纳秒、16纳秒
IXDD414YI IXYS IXDD414YI -
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 ECAD 8558 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 TO-263-6、D²Pak（5引脚+焊片）、TO-263BA IXDD414 非反相 未验证 4.5V～35V TO-263-5 下载 1（无限制） REACH 不出行 IXDD414YI-NDR EAR99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3.5V 14A, 14A 25纳秒、22纳秒
IXDN404SI-16 IXYS IXDN404SI-16 -
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 ECAD 5083 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） IXDN404 非反相 未验证 4.5V～35V 16-SOIC 下载 1（无限制） REACH 不出行 IXDN404SI-16-NDR EAR99 8542.39.0001 47 独立的 低侧 2 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.5V 4A, 4A 16纳秒、13纳秒
IXDD430CI IXYS IXDD430CI -
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 ECAD 7996 0.00000000 IXYS - 盒子 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 通孔 TO-220-5 IXDD430 非反相 未验证 8.5V～35V TO-220-5 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3.5V 30A、30A 18纳秒、16纳秒
IXCY50M35A IXYS IXCY50M35A -
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 ECAD 5078 0.00000000 IXYS IXC 管子 过时的 -55℃～150℃ 表面贴装 TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63 IXCY50 - TO-252AA 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 电流调节器 - - 50毫安
IX4R11S3 IXYS IX4R11S3 -
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 ECAD 3495 0.00000000 IXYS - 盒子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） IX4R11 非反相 未验证 10V～35V 16-SOIC 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 230 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 6V、7V 4A, 4A 23纳秒、22纳秒 650伏
IXDD514PI IXYS IXDD514PI -
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 ECAD 9692 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） IXDD514 非反相 未验证 4.5V～30V 8-DIP 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 1V、2.5V 14A, 14A 25纳秒、22纳秒
IXDF404SIA IXYS IXDF404SIA -
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 ECAD 5653 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） IXDF404 反相、同相 未验证 4.5V～35V 8-SOIC 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 94 独立的 低侧 2 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.5V 4A, 4A 16纳秒、13纳秒
IX2C11P1 IXYS IX2C11P1 -
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 ECAD 2893 0.00000000 IXYS - 盒子 过时的 - 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） IX2C11 - 未验证 - 8-DIP - 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 300 - - - - - -
IX6R11M6T/R IXYS IX6R11M6T/R -
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 ECAD 9046 0.00000000 IXYS - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 16-VDFN 裸露焊盘 IX6R11 非反相 未验证 10V～35V 16-MLP (7x6) 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 3,000 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 6V、9.5V - 25纳秒、17纳秒 600伏
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 裸露焊盘

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