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集成电路 (IC)(312)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 应用领域 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 当前-供应 电压 - 输入 SIC 电压 - 电源 供应商设备包 数据表 敏感湿度等级（MSL） REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 功能 通道类型 传感方式 准确性 当前-输出 驱动配置 司机X 闸门类型 逻辑电压 - VIL、VIH 电流 - 热输出（拉电流、灌电流） 上升/下降T（典型值） 高侧电压 - 顶部（自举）
IXJ611S1T/R IXYS IXJ611S1T/R -
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 ECAD 7970 0.00000000 IXYS - 卷带式 (TR) 过时的 - 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） IXJ611 - 未验证 - 8-SOIC - 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 - - - - - -
IXDN430CI IXYS IXDN430CI -
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 ECAD 8483 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 通孔 TO-220-5 IXDN430 非反相 未验证 8.5V～35V TO-220-5 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3.5V 30A、30A 18纳秒、16纳秒
IXDD509SIAT/R IXYS IXDD509SIAT/R -
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 ECAD 6072 0.00000000 IXYS - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） IXDD509 非反相 未验证 4.5V～30V 8-SOIC 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 9A, 9A 25纳秒、23纳秒
IXDD409CI IXYS IXDD409CI -
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 ECAD 8339 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 通孔 TO-220-5 IXDD409 非反相 未验证 4.5V～35V TO-220-5 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3.5V 9A, 9A 10纳秒，10纳秒
IX6611TR IXYS IX6611TR -
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 ECAD 5525 0.00000000 IXYS - 卷带式 (TR) 过时的 -40℃～125℃ 过压、欠压保护 表面贴装 16-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）裸露焊盘 IX6611 3毫安 13V~25V 16-SOIC-EP 下载 REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000
IXDN514SIA IXYS IXDN514SIA -
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 ECAD 5405 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） IXDN514 非反相 未验证 4.5V～30V 8-SOIC 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 94 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 1V、2.5V 14A, 14A 25纳秒、22纳秒
IX2R11S3T/R IXYS IX2R11S3T/R -
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 ECAD 4802 0.00000000 IXYS - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） IX2R11 非反相 未验证 10V～35V 16-SOIC 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 6V、9.6V 2A, 2A 8纳秒、7纳秒 500V
IX2R11S3 IXYS IX2R11S3 -
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 ECAD 8645 0.00000000 IXYS - 盒子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） IX2R11 非反相 未验证 10V～35V 16-SOIC 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 276 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 6V、9.6V 2A, 2A 8纳秒、7纳秒 500V
IXA611P7 IXYS IXA611P7 -
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 ECAD 7471 0.00000000 IXYS - 盒子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 14-DIP（0.300英寸，7.62毫米） IXA611 非反相 未验证 10V～35V 14-PDIP 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 第375章 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 6V、7V 600毫安，600毫安 23纳秒、22纳秒 650伏
IXDN414CI IXYS IXDN414CI -
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 ECAD 7777 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 通孔 TO-220-5 IXDN414 非反相 未验证 4.5V～35V TO-220-5 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3.5V 14A, 14A 22纳秒、20纳秒
IXCP50M35A IXYS IXCP50M35A -
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 ECAD 6664 0.00000000 IXYS IXC 管子 过时的 -55℃～150℃ 通孔 TO-220-3 IXCP50 - TO-220-3 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 电流调节器 - - 50毫安
IXCP02M35A IXYS IXCP02M35A -
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 ECAD 5579 0.00000000 IXYS IXC 管子 过时的 -55℃～150℃ 通孔 TO-220-3 IXCP02 - TO-220-3 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 电流调节器 - - 2毫安
IXDI404SIA IXYS IXDI404SIA -
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 ECAD 8154 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） IXDI404 反相 未验证 4.5V～35V 8-SOIC 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 94 独立的 低侧 2 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.5V 4A, 4A 16纳秒、13纳秒
IXCP30M45 IXYS IXCP30M45 -
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 ECAD 7653 0.00000000 IXYS IXC 管子 过时的 -55℃～150℃ 通孔 TO-220-3 IXCP30 - TO-220-3 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 电流调节器 - - 30毫安
IXCP40M35 IXYS IXCP40M35 -
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 ECAD 2022年 0.00000000 IXYS IXC 管子 过时的 -55℃～150℃ 通孔 TO-220-3 IXCP40 - TO-220-3 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 电流调节器 - - 40毫安
IXE611S1T/R IXYS IXE611S1T/R -
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 ECAD 1504 0.00000000 IXYS - 卷带式 (TR) 过时的 - 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） IXE611 - 未验证 - 8-SOIC - 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 - - - - - -
IXDI504D1T/R IXYS IXDI504D1T/R -
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 ECAD 2437 0.00000000 IXYS - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 6-VDFN 裸露焊盘 IXDI504 反相 未验证 4.5V～30V 6-DFN (4x5) 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 1,000 独立的 低侧 2 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3V 4A, 4A 9纳秒、8纳秒
IXCY20M35 IXYS IXCY20M35 -
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 ECAD 4481 0.00000000 IXYS IXC 管子 过时的 -55℃～150℃ 表面贴装 TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63 IXCY20 - TO-252AA 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 电流调节器 - - 20毫安
IX6R11S3 IXYS IX6R11S3 -
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 ECAD 2209 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -40°C ~ 125°C (TA) 表面贴装 16-SOIC（0.295英寸，7.50毫米宽） IX6R11 非反相 未验证 10V～35V 16-SOIC 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 46 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 6V、9.6V 6A, 6A 25纳秒、17纳秒 600伏
IXDD504PI IXYS IXDD504PI -
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 ECAD 2055 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） IXDD504 非反相 未验证 4.5V～30V 8-DIP 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 独立的 低侧 2 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3V 4A, 4A 9纳秒、8纳秒
IXCY10M35 IXYS IXCY10M35 -
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 ECAD 9089 0.00000000 IXYS IXC 管子 过时的 -55℃～150℃ 表面贴装 TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63 IXCY10 - TO-252AA 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 电流调节器 - - 10毫安
IXK611S1T/R IXYS IXK611S1T/R -
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 ECAD 6102 0.00000000 IXYS - 卷带式 (TR) 过时的 - 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） IXK611 - 未验证 - 8-SOIC - 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 - - - - - -
IXCY30M35 IXYS IXCY30M35 -
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 ECAD 9054 0.00000000 IXYS IXC 管子 过时的 -55℃～150℃ 表面贴装 TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63 IXCY30 - TO-252AA 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 电流调节器 - - 30毫安
IXDI430YI IXYS IXDI430YI -
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 ECAD 9878 0.00000000 IXYS - 盒子 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 TO-263-6、D²Pak（5引脚+焊片）、TO-263BA IXDI430 反相 未验证 8.5V～35V TO-263-5 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3.5V 30A、30A 18纳秒、16纳秒
IXDD408YI IXYS IXDD408YI -
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 ECAD 6967 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 TO-263-6、D²Pak（5引脚+焊片）、TO-263BA IXDD408 非反相 未验证 4.5V～25V TO-263-5 下载 1（无限制） REACH 不出行 IXDD408YI-NDR EAR99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3.5V 8A、8A 14纳秒、15纳秒
IXCP40M45A IXYS IXCP40M45A -
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 ECAD 4221 0.00000000 IXYS IXC 管子 过时的 -55℃～150℃ 通孔 TO-220-3 IXCP40 - TO-220-3 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 电流调节器 - - 40毫安
IXDD509PI IXYS IXDD509PI -
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 ECAD 5143 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 通孔 8-DIP（0.300英寸，7.62毫米） IXDD509 非反相 未验证 4.5V～30V 8-DIP 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 单身的 低侧 1 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、2.4V 9A, 9A 25纳秒、23纳秒
IXDN402SI IXYS IXDN402SI -
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 ECAD 4688 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） IXDN402 非反相 未验证 4.5V～35V 8-SOIC 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 50 独立的 低侧 2 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3V 2A, 2A 8纳秒，8纳秒
IXDI504SIA IXYS IXDI504SIA -
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 ECAD 5492 0.00000000 IXYS - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C（太焦） 表面贴装 8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） IXDI504 反相 未验证 4.5V～30V 8-SOIC 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 94 独立的 低侧 2 IGBT、N沟道、P沟道MOSFET 0.8V、3V 4A, 4A 9纳秒、8纳秒
IXD611S7T/R IXYS IXD611S7T/R -
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 ECAD 8463 0.00000000 IXYS - 卷带式 (TR) 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 表面贴装 14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽） IXD611 非反相 未验证 10V～35V 14-SOIC 下载 1（无限制） REACH 不出行 EAR99 8542.39.0001 2,500人 独立的 半桥 2 IGBT、N沟道MOSFET 2.4V、2.7V 600毫安，600毫安 28纳秒、18纳秒 600伏
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 裸露焊盘

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