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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
IS61DDP2B21M36A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDP2B21M36A-400M3L 71.5551
RFQ
ECAD 7798 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-LBGA IS61DDP2 sram-同步,ddr iip 1.71V〜1.89V 165-LFBGA(15x17) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0002 105 400 MHz 易挥发的 36mbit SRAM 1m x 36 平行线 -
IS62WV10248EBLL-45TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV10248EBLL-45TLI-TR 4.3887
RFQ
ECAD 1059 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) IS62WV10248 sram-异步 2.2v〜3.6V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 易挥发的 8mbit 45 ns SRAM 1m x 8 平行线 45ns
IS43R86400E-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400E-6TLI -
RFQ
ECAD 2593 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) IS43R86400 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 66-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 108 166 MHz 易挥发的 512Mbit 700 ps 德拉姆 64m x 8 平行线 15ns
IS61LV5128AL-10TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV5128AL-10TI -
RFQ
ECAD 6195 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) IS61LV5128 sram-异步 3.135v〜3.6V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 135 易挥发的 4Mbit 10 ns SRAM 512k x 8 平行线 10NS
IS61LV12824-8TQ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV12824-8TQ -
RFQ
ECAD 8306 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP IS61LV12824 sram-异步 3.135v〜3.6V 100-LQFP(14x20) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 72 易挥发的 3Mbit 8 ns SRAM 128K x 24 平行线 8ns
IS42S32200E-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200E-7TLI-TR -
RFQ
ECAD 5495 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) IS42S32200 Sdram 3v〜3.6V 86-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,500 143 MHz 易挥发的 64mbit 5.5 ns 德拉姆 2m x 32 平行线 -
IS62WV12816FBLL-45TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816FBLL-45TLI-TR 1.5749
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ECAD 4559 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) sram-异步 2.2v〜3.6V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS62WV12816FBLL-45TLI-TR 1,000 易挥发的 2Mbit 45 ns SRAM 128K x 16 平行线 45ns
IS61LPS102418A-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS102418A-200TQLI -
RFQ
ECAD 1554年 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP IS61LPS102418 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 100-LQFP(14x20) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 72 200 MHz 易挥发的 18mbit 3.1 ns SRAM 1m x 18 平行线 -
IS49NLS18320-33BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS18320-33Bli -
RFQ
ECAD 5863 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 144-TFBGA IS49NLS18320 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-FCBGA (11x18.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 104 300 MHz 易挥发的 576Mbit 20 ns 德拉姆 32m x 18 平行线 -
IS61VPS102418A-200B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS102418A-200B3 -
RFQ
ECAD 8171 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS61VPS102418 sram-同步,sdr 2.375V〜2.625V 165-TFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 144 200 MHz 易挥发的 18mbit 3.1 ns SRAM 1m x 18 平行线 -
IS43TR16640B-093NBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640B-093NBL-TR -
RFQ
ECAD 4654 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS43TR16640 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS43TR16640B-093NBL-TR Ear99 8542.32.0032 1,500 1.066 GHz 易挥发的 1Gbit 20 ns 德拉姆 64m x 16 平行线 15ns
IS42S83200D-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200D-7TL-Tr -
RFQ
ECAD 2201 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) IS42S83200 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,500 143 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 32m x 8 平行线 -
IS62WV51216EALL-55BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV51216EALL-55BLI-TR 5.0696
RFQ
ECAD 4092 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-VFBGA IS62WV51216 sram-异步 1.65V〜2.2V 48-VFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 易挥发的 8mbit 55 ns SRAM 512k x 16 平行线 55ns
IS43LR16160F-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16160F-6BLI -
RFQ
ECAD 3528 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 60-TFBGA IS43LR16160 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-tfbga(8x10) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 300 166 MHz 易挥发的 256Mbit 5.5 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 15ns
IS67WVC4M16ALL-7010BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS67WVC4M16ALL-7010BLA1 -
RFQ
ECAD 7483 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-VFBGA IS67WVC4M16 PSRAM (伪 SRAM) 1.7V〜1.95V 54-vfbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 480 104 MHz 易挥发的 64mbit 70 ns PSRAM 4m x 16 平行线 70NS
IS43TR16512AL-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512AL-125KBL-TR -
RFQ
ECAD 3915 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-LFBGA IS43TR16512 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-LFBGA(10x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 易挥发的 8Gbit 20 ns 德拉姆 512m x 16 平行线 15ns
IS42S86400F-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S86400F-6TLI-TR 12.3750
RFQ
ECAD 4922 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) IS42S86400 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 1,500 166 MHz 易挥发的 512Mbit 5.4 ns 德拉姆 64m x 8 平行线 -
IS62WV2568EBLL-45TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV2568EBLL-45TLI 2.5287
RFQ
ECAD 8778 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 32-tfsop (0.724英寸,宽度18.40mm) IS62WV2568 sram-异步 2.2v〜3.6V 32-tsop i 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 156 易挥发的 2Mbit 45 ns SRAM 256K x 8 平行线 45ns
IS66WVH8M8BLL-100B1LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVH8M8BLL-100B1LI 4.7200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 24-TBGA IS66WVH8M8 PSRAM (伪 SRAM) 2.7V〜3.6V 24-tfbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-1466 Ear99 8542.32.0071 480 100 MHz 易挥发的 64mbit 40 ns PSRAM 8m x 8 平行线 40ns
IS46DR81280C-25DBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR81280C-25DBLA2 -
RFQ
ECAD 2884 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 60-TFBGA IS46DR81280 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-TWBGA(8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 242 400 MHz 易挥发的 1Gbit 400 ps 德拉姆 128m x 8 平行线 15ns
IS61NLP51236-250B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP51236-250B3 -
RFQ
ECAD 8880 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS61NLP51236 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 165-TFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 144 250 MHz 易挥发的 18mbit 2.6 ns SRAM 512k x 36 平行线 -
IS61WV12816EDBLL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV12816EDBLL-10TLI 2.6286
RFQ
ECAD 3632 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) IS61WV12816 sram-异步 2.4v〜3.6V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 135 易挥发的 2Mbit 10 ns SRAM 128K x 16 平行线 10NS
IS25CQ032-JBLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25CQ032-JBLE-TR -
RFQ
ECAD 2799 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) IS25CQ032 闪光 2.7V〜3.6V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 104 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 spi 4ms
IS43LR32320B-5BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32320B-5BL -
RFQ
ECAD 5745 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 90-LFBGA IS43LR32320 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-LFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 240 200 MHz 易挥发的 1Gbit 德拉姆 32m x 32 平行线 15ns
IS42S32200L-5TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200L-5TL-Tr 3.1434
RFQ
ECAD 2080 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) IS42S32200 Sdram 3v〜3.6V 86-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,500 200 MHz 易挥发的 64mbit 4.8 ns 德拉姆 2m x 32 平行线 -
IS43TR81024BL-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81024BL-125KBL-TR 19.0323
RFQ
ECAD 4487 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-TWBGA(10x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS43TR81024BL-125KBL-TR 2,000 800 MHz 易挥发的 8Gbit 20 ns 德拉姆 1G x 8 平行线 15ns
IS43TR16128B-093NBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128B-093NBLI -
RFQ
ECAD 6579 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 托盘 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA(9x13) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS43TR16128B-093NBLI Ear99 8542.32.0036 190 1.066 GHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 16 平行线 15ns
IS43QR81024A-083TBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR81024A-083TBL 17.6469
RFQ
ECAD 1524年 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 78-TWBGA(10x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS43QR81024A-083TBL 136 1.2 GHz 易挥发的 8Gbit 18 ns 德拉姆 1G x 8 平行线 15ns
IS25WP064D-RHLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP064D-RHLA3 1.8942
RFQ
ECAD 8652 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 大部分 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC) 1.65V〜1.95V 24-tfbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS25WP064D-RHLA3 480 166 MHz 非易失性 64mbit 5.5 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 40µs,800µs
IS43R16160D-5BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160D-5BLI-TR 5.7450
RFQ
ECAD 9845 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 60-TFBGA IS43R16160 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 60-tfbga(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 2,500 200 MHz 易挥发的 256Mbit 700 ps 德拉姆 16m x 16 平行线 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库