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（ICS）（5782）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
IS42S16100F-6TL	-	RFQ	2492	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	50-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS42S16100	Sdram	3v〜3.6V	50-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	117	166 MHz	易挥发的	16mbit	5.5 ns	德拉姆	1m x 16	平行线	-
IS42VM16800G-6BLI-TR	-	RFQ	9058	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42VM16800	sdram-移动	1.7V〜1.95V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500	166 MHz	易挥发的	128mbit	5.5 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	-
IS46LQ16256A-062TBLA2-TR	14.1246	RFQ	4878	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-tfbga（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46LQ16256A-062TBLA2-TR			2,500	1.6 GHz	易挥发的	4Gbit	3.5 ns	德拉姆	256m x 16	lvstl	18NS
IS42S32800B-6BLI-TR	-	RFQ	7409	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42S32800	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	2,500	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5.5 ns	德拉姆	8m x 32	平行线	-
IS25WP01G-RILA3	13.3836	RFQ	7343	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	24-LBGA		闪存-SLC）	1.7V〜1.95V	24-LFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS25WP01G-RILA3			480	104 MHz	非易失性	1Gbit	10 ns	闪光	128m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	50µs，1ms
IS49NLS18160A-25WBL	27.7833	RFQ	1384	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	144-TFBGA		rldram 2	1.7V〜1.9V	144-twbga（11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS49NLS18160A-25WBL			104	400 MHz	易挥发的	288Mbit	20 ns	德拉姆	16m x 18	HSTL	-
IS61WV51216EEALL-20TLI	7.4957	RFQ	7133	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）		sram-异步	1.65V〜2.2V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS61WV51216EEALL-20TLI			135		易挥发的	8mbit	20 ns	SRAM	512k x 16	平行线	20NS
IS66WV25616BLL-55TLI	-	RFQ	9585	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS66WV25616	PSRAM （伪 SRAM）	2.5V〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	135		易挥发的	4Mbit	55 ns	PSRAM	256K x 16	平行线	55ns
IS21TF128G-JCLI	66.7335	RFQ	6275	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	153-VFBGA		Flash -nand（tlc）	2.7V〜3.6V	153-VFBGA（11.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS21TF128G-JCLI			152	200 MHz	非易失性	1Tbit		闪光	128g x 8	EMMC_5.1	-
IS45S32400F-6BLA2	9.5190	RFQ	6414	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS45S32400	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	240	166 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 32	平行线	-
IS43LD16640D-18BLI-TR	6.8495	RFQ	4778	ISSI，综合硅解决方案	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43LD16640D-18BLI-TR			2,000
IS61NVF25672-6.5B1I	-	RFQ	3918	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	209-BGA	IS61NVF25672	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	209-LFBGA（14x22）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	84	133 MHz	易挥发的	18mbit	6.5 ns	SRAM	256K x 72	平行线	-
IS46TR16128AL-15HBLA2	-	RFQ	7844	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS46TR16128	SDRAM -DDR3	1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	190	667 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
IS25LP01G-RILA3	13.1287	RFQ	6371	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	24-LBGA		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	24-LFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS25LP01G-RILA3			480	133 MHz	非易失性	1Gbit	8 ns	闪光	128m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	50µs，1ms
IS61DDB21M36C-300M3L	-	RFQ	3251	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	165-LBGA	IS61DDB21	Sram-同步，DDR II	1.71V〜1.89V	165-LFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105	300 MHz	易挥发的	36mbit	8.4 ns	SRAM	1m x 36	平行线	-
IS45S16320F-7TLA2-Tr	15.3000	RFQ	9029	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS45S16320	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	1,500	143 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	-
IS43TR16256BL-125KBL	7.8500	RFQ	3	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS43TR16256	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-1731	Ear99	8542.32.0036	190	800 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	15ns
IS43TR85120AL-107MBL-TR	-	RFQ	6772	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	IS43TR85120	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-TWBGA（9x10.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43TR85120AL-107MBL-TR	Ear99	8542.32.0036	1,500	933 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 8	平行线	15ns
IS46QR81024A-083TBLA2	21.5457	RFQ	5636	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	78-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-TWBGA（10x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46QR81024A-083TBLA2			136	1.2 GHz	易挥发的	8Gbit	18 ns	德拉姆	1G x 8	平行线	15ns
IS49NLC36160-25BI	-	RFQ	9949	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	144-TFBGA	IS49NLC36160	rldram 2	1.7V〜1.9V	144-FCBGA （11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	104	400 MHz	易挥发的	576Mbit	20 ns	德拉姆	16m x 36	平行线	-
IS42SM16160K-6BLI	5.9929	RFQ	1805年	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42SM16160	sdram-移动	2.7V〜3.6V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	348	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5.5 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	-
IS43DR16128C-25DBL-TR	6.2016	RFQ	5623	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	84-TFBGA		SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43DR16128C-25DBL-TR			2,500	400 MHz	易挥发的	2Gbit	400 ns	德拉姆	128m x 16	SSTL_18	15ns
IS45S16800F-6BLA1-Tr	4.8260	RFQ	3191	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS45S16800	Sdram	3v〜3.6V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500	166 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	-
IS42VS16100C1-10TI-Tr	-	RFQ	8711	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	50-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS42VS16100	Sdram	1.7V〜1.9V	50-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	100 MHz	易挥发的	16mbit	7 ns	德拉姆	1m x 16	平行线	-
IS61LPD51236A-250B3LI	20.9750	RFQ	2754	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61LPD51236	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-PBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	144	250 MHz	易挥发的	18mbit	2.6 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
IS61NVF102418-7.5B3I	-	RFQ	6844	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61NVF102418	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	144	117 MHz	易挥发的	18mbit	7.5 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
IS43DR16128C-3DBLI	11.9772	RFQ	2240	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	84-TFBGA	IS43DR16128	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-1569	Ear99	8542.32.0036	209	333 MHz	易挥发的	2Gbit	450 ps	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
IS45S32200L-7BLA2	6.3035	RFQ	3933	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS45S32200	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	240	143 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	2m x 32	平行线	-
IS45S16320F-7BLA2	15.8813	RFQ	1049	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS45S16320	Sdram	3v〜3.6V	54-TW-BGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	240	143 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	-
IS46LD32128C-25BPLA2	-	RFQ	5780	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	168-VFBGA	IS46LD32128	sdram- lpddr2	1.14v〜1.3v，1.7v〜1.95v	168-VFBGA（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS46LD32128C-25BPLA2	Ear99	8542.32.0036	1	400 MHz	易挥发的	4Gbit	5.5 ns	德拉姆	128m x 32	HSUL_12	15ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS）（5782）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²