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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
IS45S16320F-7BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16320F-7BLA2 15.8813
RFQ
ECAD 1049 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 54-TFBGA IS45S16320 Sdram 3v〜3.6V 54-TW-BGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 240 143 MHz 易挥发的 512Mbit 5.4 ns 德拉姆 32m x 16 平行线 -
IS42S32200C1-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200C1-7TL -
RFQ
ECAD 6490 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) IS42S32200 Sdram 3.15V〜3.45V 86-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 108 143 MHz 易挥发的 64mbit 5.5 ns 德拉姆 2m x 32 平行线 -
IS62C1024AL-35TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62C1024AL-35TLI 2.4500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 32-tfsop (0.724英寸,宽度18.40mm) IS62C1024 sram-异步 4.5V〜5.5V 32-tsop i 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2B 8542.32.0041 156 易挥发的 1Mbit 35 ns SRAM 128K x 8 平行线 35ns
IS42S32200C1-7TI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200C1-7Ti-Tr -
RFQ
ECAD 3868 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) IS42S32200 Sdram 3.15V〜3.45V 86-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,500 143 MHz 易挥发的 64mbit 5.5 ns 德拉姆 2m x 32 平行线 -
IS61LPS25672A-250B1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS25672A-250B1 -
RFQ
ECAD 6525 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 209-BGA IS61LPS25672 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 209-LFBGA(14x22) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 84 250 MHz 易挥发的 18mbit 2.6 ns SRAM 256K x 72 平行线 -
IS62LV256AL-45ULI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62LV256AL-45uli-Tr 1.1254
RFQ
ECAD 6303 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 28-SOIC (0.330英寸,8.38毫米宽) IS62LV256 sram-异步 3v〜3.6V 28 SOP 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0041 1,000 易挥发的 256kbit 45 ns SRAM 32K x 8 平行线 45ns
IS25LQ512B-JDLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ512B-JDLE-TR -
RFQ
ECAD 8195 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽度) IS25LQ512 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-tssop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,500 104 MHz 非易失性 512kbit 闪光 64k x 8 Spi -Quad I/O。 800µs
IS42VM32400H-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32400H-75BLI-TR 4.1105
RFQ
ECAD 1416 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS42VM32400 sdram-移动 1.7V〜1.95V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0002 2,500 133 MHz 易挥发的 128mbit 6 ns 德拉姆 4m x 32 平行线 -
IS61NVP51236B-200B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVP51236B-200B3I-Tr -
RFQ
ECAD 4796 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS61NVP51236 sram-同步,sdr 2.375V〜2.625V 165-TFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 200 MHz 易挥发的 18mbit 3 ns SRAM 512k x 36 平行线 -
IS46LQ32640AL-062TBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32640AL-062TBLA1 -
RFQ
ECAD 5977 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 大部分 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 200-tfbga sdram- lpddr4x 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V 200-tfbga(10x14.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS46LQ32640AL-062TBLA1 136 1.6 GHz 易挥发的 2Gbit 3.5 ns 德拉姆 64m x 32 lvstl 18NS
IS42S32800J-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800J-6TL 6.9700
RFQ
ECAD 661 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) IS42S32800 Sdram 3v〜3.6V 86-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 108 166 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 8m x 32 平行线 -
IS43LR32640A-5BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32640A-5BLI-TR 12.8850
RFQ
ECAD 1124 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-LFBGA IS43LR32640 sdram -ddr 1.7V〜1.95V 90-WBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,500 200 MHz 易挥发的 2Gbit 5 ns 德拉姆 64m x 32 平行线 15ns
IS45S16800F-6BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16800F-6BLA1-Tr 4.8260
RFQ
ECAD 3191 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-TFBGA IS45S16800 Sdram 3v〜3.6V 54-tfbga(8x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 2,500 166 MHz 易挥发的 128mbit 5.4 ns 德拉姆 8m x 16 平行线 -
IS34MW01G164-BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS34MW01G164-Bli-Tr 3.4331
RFQ
ECAD 7691 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 63-VFBGA Flash -nand(slc) 1.7V〜1.95V 63-vfbga(9x11) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS34MW01G164-Bli-Tr 2,500 非易失性 1Gbit 30 ns 闪光 64m x 16 平行线 45ns
IS61VF102418A-6.5B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VF102418A-6.5B3 -
RFQ
ECAD 6047 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS61VF102418 sram-同步,sdr 2.375V〜2.625V 165-TFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 144 133 MHz 易挥发的 18mbit 6.5 ns SRAM 1m x 18 平行线 -
IS46TR85120AL-107MBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR85120AL-107MBLA2 -
RFQ
ECAD 5051 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 托盘 过时的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 78-TFBGA IS46TR85120 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-TWBGA(9x10.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS46TR85120AL-107MBLA2 Ear99 8542.32.0036 136 933 MHz 易挥发的 4Gbit 20 ns 德拉姆 512m x 8 平行线 15ns
IS46QR16512A-083TBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46QR16512A-083TBLA1-TR 18.9924
RFQ
ECAD 5318 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 96-TWBGA(10x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS46QR16512A-083TBLA1-TR 2,000 1.2 GHz 易挥发的 8Gbit 18 ns 德拉姆 512m x 16 平行线 15ns
IS62WV10248HBLL-45B2LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV10248HBLL-45B2LI 4.1520
RFQ
ECAD 1967年 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFBGA sram-异步 2.2v〜3.6V 48-TFBGA(6x8) - rohs3符合条件 3(168)) 706-IS62WV10248HBLL-45B2LI 480 易挥发的 8mbit 45 ns SRAM 1m x 8 平行线 45ns
IS42S16160J-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160J-6BLI-TR 2.9790
RFQ
ECAD 5683 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-TFBGA IS42S16160 Sdram 3v〜3.6V 54-tfbga(8x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 2,500 166 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 -
IS49NLC96400-25B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC96400-25B -
RFQ
ECAD 1539年 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 144-TFBGA IS49NLC96400 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-FCBGA (11x18.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 104 400 MHz 易挥发的 576Mbit 20 ns 德拉姆 64m x 9 平行线 -
IS43R86400D-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400D-6TLI-TR 7.5000
RFQ
ECAD 8559 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) IS43R86400 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 66-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 1,500 166 MHz 易挥发的 512Mbit 700 ps 德拉姆 64m x 8 平行线 15ns
IS42S32160A-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160A-75BLI -
RFQ
ECAD 1001 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-LFBGA IS42S32160 Sdram 3v〜3.6V 90-LFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-1062 Ear99 8542.32.0024 144 133 MHz 易挥发的 512Mbit 6 ns 德拉姆 16m x 32 平行线 -
IS43TR82560CL-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560CL-125KBL-TR 3.8489
RFQ
ECAD 7671 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-TWBGA (8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS43TR82560CL-125KBL-TR 2,000 800 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 8 平行线 15ns
IS62WV25616BLL-55TI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616BLL-55TI-TR -
RFQ
ECAD 8017 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) IS62WV25616 sram-异步 2.5V〜3.6V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 易挥发的 4Mbit 55 ns SRAM 256K x 16 平行线 55ns
IS61LF51236A-6.5B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF51236A-6.5B3I-Tr -
RFQ
ECAD 6667 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS61LF51236 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 165-TFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 133 MHz 易挥发的 18mbit 6.5 ns SRAM 512k x 36 平行线 -
IS46TR16128A-15HBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128A-15HBLA2 -
RFQ
ECAD 4514 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 190 667 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 16 平行线 15ns
IS62WV6416FBLL-45TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV6416FBLL-45TLI 1.5722
RFQ
ECAD 2647 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) sram-异步 2.2v〜3.6V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS62WV6416FBLL-45TLI 135 易挥发的 1Mbit 45 ns SRAM 64k x 16 平行线 45ns
IS46LQ16256AL-062BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16256AL-062BLA2 -
RFQ
ECAD 5101 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 大部分 积极的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 200-WFBGA sdram- lpddr4x 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V 200-VFBGA(10x14.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS46LQ16256AL-062BLA2 136 1.6 GHz 易挥发的 4Gbit 3.5 ns 德拉姆 256m x 16 lvstl 18NS
IS43LR32320C-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32320C-6BLI-TR 8.1130
RFQ
ECAD 5343 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-TFBGA sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS43LR32320C-6BLI-TR 2,500 166 MHz 易挥发的 1Gbit 5 ns 德拉姆 32m x 32 平行线 15ns
IS61C256AL-12JLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C256AL-12JLI 1.5200
RFQ
ECAD 3 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 管子 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 28-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) IS61C256 sram-异步 4.5V〜5.5V 28-soj 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0041 25 易挥发的 256kbit 12 ns SRAM 32K x 8 平行线 12ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库