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（ICS）（5782）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
IS43TR82560CL-125KBLI-TR	6.3257	RFQ	2978	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	IS43TR82560	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-TWBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	800 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 8	平行线	15ns
IS61C632A-7TQ	-	RFQ	6986	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61C632	sram-异步	3.135v〜3.6V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	72	75 MHz	易挥发的	1Mbit	7 ns	SRAM	32K x 32	平行线	-
IS43LR16640A-5BL-Tr	9.2850	RFQ	5760	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS43LR16640	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-twbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	2,000	200 MHz	易挥发的	1Gbit	5 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS61QDB24M18A-250B4LI	74.4172	RFQ	2689	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-LBGA	IS61QDB24	sram-同步，四边形	1.71V〜1.89V	165-LFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	144	250 MHz	易挥发的	72Mbit	1.8 ns	SRAM	4m x 18	平行线	-
IS45S32200L-7BLA1-TR	4.5520	RFQ	8261	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS45S32200	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500	143 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	2m x 32	平行线	-
IS46TR16256A-125KBLA2	-	RFQ	9268	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS46TR16256	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	190	800 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	15ns
IS61QDP2B42M36A-400M3L	100.1770	RFQ	7088	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	IS61QDP2	sram-同步，Quadp	1.71V〜1.89V	165-LFBGA（15x17）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105	400 MHz	易挥发的	72Mbit	8.4 ns	SRAM	2m x 36	平行线	-
IS25LQ016B-JKLE-TR	-	RFQ	7761	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	IS25LQ016	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-wson（6x5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	3,000	104 MHz	非易失性	16mbit		闪光	2m x 8	Spi -Quad I/O。	1ms
IS45S32200E-7BLA2-TR	-	RFQ	8274	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS45S32200	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500	143 MHz	易挥发的	64mbit	5.5 ns	德拉姆	2m x 32	平行线	-
IS43TR85120A-125KBLI	-	RFQ	1771年	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	IS43TR85120	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-TWBGA（9x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	220	800 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 8	平行线	15ns
IS46TR16128C-15HBLA2-Tr	6.4006	RFQ	5602	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS46TR16128	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,500	667 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
IS64LPS102436B-166B2LA3	-	RFQ	4777	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	119-BBGA	IS64LPS102436	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	84	166 MHz	易挥发的	36mbit	3.8 ns	SRAM	1m x 36	平行线	-
IS34ML04G084-TLI	11.7000	RFQ	79	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	IS34ML04	Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	48-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	96		非易失性	4Gbit	25 ns	闪光	512m x 8	平行线	25ns
IS43R16160F-6TL-Tr	2.4388	RFQ	3033	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS43R16160	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,500	166 MHz	易挥发的	256Mbit	700 ps	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
IS46TR16640BL-125KBLA1	-	RFQ	8583	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	托盘	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS46TR16640	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS46TR16640BL-125KBLA1	Ear99	8542.32.0032	190	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS46TR16128B-125KBLA2	-	RFQ	4150	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS46TR16128	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	190	800 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
IS46TR16512AL-125KBLA2-TR	-	RFQ	5710	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	96-LFBGA	IS46TR16512	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-LFBGA（10x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS46TR16512AL-125KBLA2-TR	Ear99	8542.32.0036	2,000	800 MHz	易挥发的	8Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 16	平行线	15ns
IS43DR81280A-3DBLI	-	RFQ	1787年	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS43DR81280	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-TWBGA（8x13.65）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-1140	Ear99	8542.32.0032	190	333 MHz	易挥发的	1Gbit	450 ps	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
IS43LR16400C-6BLI	3.2873	RFQ	1686年	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS43LR16400	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-tfbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	300	166 MHz	易挥发的	64mbit	5.5 ns	德拉姆	4m x 16	平行线	15ns
IS46TR16640BL-125JBLA2	-	RFQ	4451	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS46TR16640	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Q9835646	Ear99	8542.32.0032	190	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS61NLP51218B-200TQLI	13.7940	RFQ	5585	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61NLP51218	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	200 MHz	易挥发的	9Mbit	3.1 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
IS43DR81280B-25EBLI-TR	-	RFQ	1053	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS43DR81280	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-TWBGA（8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	2,000	400 MHz	易挥发的	1Gbit	450 ps	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
IS42S16160J-7TL	2.8177	RFQ	7738	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S16160	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	108	143 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	-
IS61QDB22M18-250M3I	-	RFQ	7063	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-LBGA	IS61QDB22	sram-同步，四边形	1.71V〜1.89V	165-LFBGA（15x17）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS61QDB22M18-250M3I	过时的		105	250 MHz	易挥发的	36mbit	1.35 ns	SRAM	2m x 18	平行线	-
IS45S16100E-7BLA1-Tr	-	RFQ	9310	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS45S16100	Sdram	3v〜3.6V	60-TFBGA（6.4x10.1）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500	143 MHz	易挥发的	16mbit	5.5 ns	德拉姆	1m x 16	平行线	-
IS62WV102416GALL-55TLI	9.4658	RFQ	6463	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	IS62WV102416	sram-异步	1.65V〜2.2V	48-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	96		易挥发的	16mbit	55 ns	SRAM	1m x 16	平行线	55ns
IS42S16800E-75ETLI-TR	-	RFQ	9573	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S16800	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,500	133 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	-
IS66WVO16M8DBLL-133BLI	5.3800	RFQ	86	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	IS66WVO16M8	PSRAM （伪 SRAM）	2.7V〜3.6V	24-tfbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS66WVO16M8DBLL-133BLI	3A991B2A	8542.32.0041	480	133 MHz	易挥发的	128mbit		PSRAM	16m x 8	spi -octal I/o	37.5ns
IS46TR16640AL-125JBLA1	-	RFQ	2552	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	在sic中停产	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS46TR16640	SDRAM -DDR3	1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	190	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	-
IS43TR16128CL-15HBL-TR	4.9893	RFQ	6324	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS43TR16128	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,500	667 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS）（5782）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²