SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 基本产品编号 频率 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出 /通道 时钟频率 输出数量 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面 内部开关 拓扑 电压 -电源(最大) 昏暗 电压 -电源(最小) 电压 -输出
IS64LF12832A-7.5TQLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64LF12832A-7.5TQLA3 13.3403
RFQ
ECAD 3723 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 100-LQFP IS64LF12832 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 100-LQFP(14x20) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 72 117 MHz 易挥发的 4Mbit 7.5 ns SRAM 128K x 32 平行线 -
IS31FL3196-QFLS2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS31FL3196-QFLS2-TR -
RFQ
ECAD 6936 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 背光 表面安装 20-WFQFN暴露垫 线性 IS31FL3196 - 20-qfn (3x3) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 40mA 6 是的 - 5.5V i²c 2.7V -
IS63LV1024L-10JLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63LV1024L-10JLI -
RFQ
ECAD 5142 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 管子 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 32-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) IS63LV1024 sram-异步 3.15V〜3.45V 32-soj 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2B 8542.32.0041 22 易挥发的 1Mbit 10 ns SRAM 128K x 8 平行线 10NS
IS49NLS18320-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS18320-25Bli -
RFQ
ECAD 5540 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 144-TFBGA IS49NLS18320 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-FCBGA (11x18.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 104 400 MHz 易挥发的 576Mbit 20 ns 德拉姆 32m x 18 平行线 -
IS61NLF25618A-7.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF25618A-7.5TQLI 8.3815
RFQ
ECAD 2088 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP IS61NLF25618 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 100-LQFP(14x20) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 72 117 MHz 易挥发的 4.5mbit 7.5 ns SRAM 256K x 18 平行线 -
IS43DR16128A-3DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16128A-3DBL-TR -
RFQ
ECAD 9628 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 84-LFBGA IS43DR16128 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-LFBGA(10.5x13.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,500 333 MHz 易挥发的 2Gbit 450 ps 德拉姆 128m x 16 平行线 15ns
IS61WV6416BLL-12TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV6416BLL-12TLI 1.9868
RFQ
ECAD 2742 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) IS61WV6416 sram-异步 3v〜3.6V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2B 8542.32.0041 135 易挥发的 1Mbit 12 ns SRAM 64k x 16 平行线 12ns
IS61LF51218A-7.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF51218A-7.5TQLI-Tr 12.7500
RFQ
ECAD 9897 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP IS61LF51218 sram-同步,sdr 3.135v〜3.6V 100-LQFP(14x20) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 800 117 MHz 易挥发的 9Mbit 7.5 ns SRAM 512k x 18 平行线 -
IS43DR16320C-3DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320C-3DBLI-TR 5.5050
RFQ
ECAD 9318 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 84-TFBGA IS43DR16320 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA(8x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 2,500 333 MHz 易挥发的 512Mbit 450 ps 德拉姆 32m x 16 平行线 15ns
IS62WV12816EALL-55TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816EALL-55TLI-TR 2.5643
RFQ
ECAD 3170 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) IS62WV12816 sram-异步 1.65V〜2.2V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 易挥发的 2Mbit 45 ns SRAM 128K x 16 平行线 45ns
IS63LV1024L-10KLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63LV1024L-10KLI-TR -
RFQ
ECAD 5042 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 32-bsoj(0.400英寸,10.16毫米宽) IS63LV1024 sram-异步 3.15V〜3.45V 32-soj 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2B 8542.32.0041 800 易挥发的 1Mbit 10 ns SRAM 128K x 8 平行线 10NS
IS63LV1024L-10TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63LV1024L-10TL -
RFQ
ECAD 9545 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 32-SOIC(0.400英寸,10.16毫米宽) IS63LV1024 sram-异步 3v〜3.6V 32-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2B 8542.32.0041 117 易挥发的 1Mbit 10 ns SRAM 128K x 8 平行线 10NS
IS31CG5317-LQLS3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS31CG5317-LQLS3 9.3596
RFQ
ECAD 5706 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 - 表面安装 80-QFP暴露垫 收发器 80-LQFP-EP 下载 3(168)) Ear99 8542.39.0001 250
IS63LV1024L-12BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63LV1024L-12BI-Tr -
RFQ
ECAD 8489 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 36-TFBGA IS63LV1024 sram-异步 3.15V〜3.45V 36 Minibga(8x10) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2B 8542.32.0041 2,500 易挥发的 1Mbit 12 ns SRAM 128K x 8 平行线 12ns
IS42S16800F-7BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800F-7BL 2.3842
RFQ
ECAD 1551年 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-TFBGA IS42S16800 Sdram 3v〜3.6V 54-tfbga(8x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 348 143 MHz 易挥发的 128mbit 5.4 ns 德拉姆 8m x 16 平行线 -
IS43LR16128B-5BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16128B-5BLI-TR 9.1371
RFQ
ECAD 8352 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 60-TFBGA sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-tfbga(8x10) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS43LR16128B-5BLI-TR 2,000 208 MHz 易挥发的 2Gbit 5 ns 德拉姆 128m x 16 平行线 15ns
IS43R83200F-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R83200F-6TL 2.8899
RFQ
ECAD 2750 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 管子 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) IS43R83200 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 66-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 108 166 MHz 易挥发的 256Mbit 700 ps 德拉姆 32m x 8 平行线 15ns
IS42S83200G-7BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200G-7BL 5.9717
RFQ
ECAD 5662 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 不适合新设计 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-TFBGA IS42S83200 Sdram 3v〜3.6V 54-tfbga(8x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 348 143 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 32m x 8 平行线 -
IS42SM32160C-75BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM32160C-75BL-Tr -
RFQ
ECAD 3137 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 0°C〜70°C(TA) 表面安装 90-LFBGA IS42SM32160 sdram-移动 2.7V〜3.6V 90-WBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 2,500 133 MHz 易挥发的 512Mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 32 平行线 -
IS61NLP25636A-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP25636A-200TQLI-TR 12.7500
RFQ
ECAD 5720 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP IS61NLP25636 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 100-LQFP(14x20) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 800 200 MHz 易挥发的 9Mbit 3.1 ns SRAM 256K x 36 平行线 -
IS62WV25616BLL-55TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616BLL-55TI -
RFQ
ECAD 6349 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) IS62WV25616 sram-异步 2.5V〜3.6V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 135 易挥发的 4Mbit 55 ns SRAM 256K x 16 平行线 55ns
IS61WV102416BLL-10MI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416BLL-10MI-TR -
RFQ
ECAD 1911 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFBGA IS61WV102416 sram-异步 2.4v〜3.6V 48-Minibga(9x11) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 易挥发的 16mbit 10 ns SRAM 1m x 16 平行线 10NS
IS43DR86400C-3DBI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400C-3DBI-Tr -
RFQ
ECAD 1830年 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 60-TFBGA IS43DR86400 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-TWBGA(8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 2,000 333 MHz 易挥发的 512Mbit 450 ps 德拉姆 64m x 8 平行线 15ns
IS61NLP102418-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP102418-200TQLI-Tr -
RFQ
ECAD 8408 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP IS61NLP102418 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 100-LQFP(14x20) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 800 200 MHz 易挥发的 18mbit 3.1 ns SRAM 1m x 18 平行线 -
IS43TR82560CL-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560CL-125KBLI-TR 6.3257
RFQ
ECAD 2978 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA IS43TR82560 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-TWBGA (8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 8 平行线 15ns
IS61C632A-7TQ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C632A-7TQ -
RFQ
ECAD 6986 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP IS61C632 sram-异步 3.135v〜3.6V 100-LQFP(14x20) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2B 8542.32.0041 72 75 MHz 易挥发的 1Mbit 7 ns SRAM 32K x 32 平行线 -
IS43LR16640A-5BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16640A-5BL-Tr 9.2850
RFQ
ECAD 5760 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 60-TFBGA IS43LR16640 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-twbga(8x10) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 2,000 200 MHz 易挥发的 1Gbit 5 ns 德拉姆 64m x 16 平行线 15ns
IS61QDB24M18A-250B4LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDB24M18A-250B4LI 74.4172
RFQ
ECAD 2689 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-LBGA IS61QDB24 sram-同步,四边形 1.71V〜1.89V 165-LFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 144 250 MHz 易挥发的 72Mbit 1.8 ns SRAM 4m x 18 平行线 -
IS45S32200L-7BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32200L-7BLA1-TR 4.5520
RFQ
ECAD 8261 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS45S32200 Sdram 3v〜3.6V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 2,500 143 MHz 易挥发的 64mbit 5.4 ns 德拉姆 2m x 32 平行线 -
IS46TR16256A-125KBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256A-125KBLA2 -
RFQ
ECAD 9268 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS46TR16256 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 190 800 MHz 易挥发的 4Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 16 平行线 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库