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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
IS46LQ32128A-062BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32128A-062BLA1-TR -
RFQ
ECAD 7960 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 200-VFBGA sdram- lpddr4 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V 200-VFBGA(10x14.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS46LQ32128A-062BLA1-TR 2,500 1.6 GHz 易挥发的 4Gbit 3.5 ns 德拉姆 128m x 32 lvstl 18NS
IS25WJ032F-JYLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WJ032F-JYLE-TR 0.7368
RFQ
ECAD 4694 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 * 胶带和卷轴((tr) 积极的 - rohs3符合条件 3(168)) 706-IS25WJ032F-JYLE-TR 5,000
IS45S16160G-7BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160G-7BLA2-Tr 8.9700
RFQ
ECAD 6657 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 54-TFBGA IS45S16160 Sdram 3v〜3.6V 54-tfbga(8x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 2,500 143 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 -
IS25LP512MH-RMLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP512MH-RMLE-TR 6.7142
RFQ
ECAD 2549 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS25LP512MH-RMLE-TR 1,000 166 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 50µs,1ms
IS61WV204816ALL-12BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV204816ALL-12BLI-TR 18.7929
RFQ
ECAD 7769 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFBGA sram-异步 1.65V〜2.2V 48-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS61WV204816ALL-12BLI-TR 2,500 易挥发的 32Mbit 12 ns SRAM 2m x 16 平行线 12ns
IS25LP256D-JMLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP256D-JMLE-TR 3.7624
RFQ
ECAD 7480 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) IS25LP256 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 800µs
IS21ES64G-JQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21ES64G-JQLI -
RFQ
ECAD 5050 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LBGA IS21ES64 Flash -nand (MLC) 2.7V〜3.6V 100-LFBGA(14x18) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS21ES64G-JQLI 3A991B1A 8542.32.0071 98 200 MHz 非易失性 512Gbit 闪光 64g x 8 EMMC -
IS43TR16128BL-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128BL-107MBLI -
RFQ
ECAD 6554 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 托盘 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS43TR16128BL-107MBLI Ear99 8542.32.0036 190 933 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 16 平行线 15ns
IS43DR81280C-3DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR81280C-3DBL-TR 3.0653
RFQ
ECAD 3081 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜85°C(TC) 表面安装 60-TFBGA SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-TWBGA(8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS43DR81280C-3DBL-TR 2,000 333 MHz 易挥发的 1Gbit 450 ps 德拉姆 128m x 8 SSTL_18 15ns
IS61LPS25636B-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS25636B-200TQLI 15.3000
RFQ
ECAD 3300 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP IS61LPS25636 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 100-LQFP(14x20) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-1538 3A991B2A 8542.32.0041 72 200 MHz 易挥发的 9Mbit 3.1 ns SRAM 256K x 36 平行线 -
IS42S16400D-7TI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400D-7TI-TR -
RFQ
ECAD 8242 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) IS42S16400 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,500 143 MHz 易挥发的 64mbit 5.4 ns 德拉姆 4m x 16 平行线 -
IS61C256AL-12TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C256AL-12TLI 1.5200
RFQ
ECAD 860 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 28-tssop (0.465英寸,11.80mm宽度) IS61C256 sram-异步 4.5V〜5.5V 28-tsop i 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0041 234 易挥发的 256kbit 12 ns SRAM 32K x 8 平行线 12ns
IS46LR16320B-6BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LR16320B-6BLA2-TR -
RFQ
ECAD 4462 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 60-TFBGA IS46LR16320 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-tfbga(8x10) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 2,000 166 MHz 易挥发的 512Mbit 5.5 ns 德拉姆 32m x 16 平行线 12ns
IS62WV25616DALL-55TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616DALL-55TL -
RFQ
ECAD 6887 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) IS62WV25616 sram-异步 1.65V〜2.2V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4Mbit 55 ns SRAM 256K x 16 平行线 55ns
IS42S32800D-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800D-7TLI-TR -
RFQ
ECAD 6778 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) IS42S32800 Sdram 3v〜3.6V 86-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,500 143 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 8m x 32 平行线 -
IS46DR16320D-3DBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16320D-3DBLA2 6.8390
RFQ
ECAD 3207 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 不适合新设计 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 84-TFBGA IS46DR16320 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA(8x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 209 333 MHz 易挥发的 512Mbit 450 ps 德拉姆 32m x 16 平行线 15ns
IS61NLP25618A-200B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP25618A-200B3I -
RFQ
ECAD 6157 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS61NLP25618 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 165-PBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 144 200 MHz 易挥发的 4.5mbit 3.1 ns SRAM 256K x 18 平行线 -
IS42S16400J-5BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400J-5BL 1.8604
RFQ
ECAD 9554 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-TFBGA IS42S16400 Sdram 3v〜3.6V 54-tfbga(8x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 348 200 MHz 易挥发的 64mbit 4.8 ns 德拉姆 4m x 16 平行线 -
IS61WV102416EDALL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416EDALL-10TLI -
RFQ
ECAD 2383 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) sram-异步 1.65V〜2.2V 48-tsop i - rohs3符合条件 3(168)) 706-IS61WV102416EDALL-10TLI 96 易挥发的 16mbit 10 ns SRAM 1m x 16 平行线 10NS
IS43LR16640C-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16640C-6BL-TR 6.7805
RFQ
ECAD 8290 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 60-TFBGA sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-tfbga(8x10) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS43LR16640C-6BL-TR 2,000 166 MHz 易挥发的 1Gbit 5 ns 德拉姆 64m x 16 平行线 15ns
IS42S16320D-7BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320D-7BLI-TR 14.5350
RFQ
ECAD 4825 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-TFBGA IS42S16320 Sdram 3v〜3.6V 54-TW-BGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 2,500 143 MHz 易挥发的 512Mbit 5.4 ns 德拉姆 32m x 16 平行线 -
IS46LQ32640AL-062BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32640AL-062BLA2-TR -
RFQ
ECAD 6028 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 200-VFBGA sdram- lpddr4x 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V 200-VFBGA(10x14.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS46LQ32640AL-062BLA2-TR 2,500 1.6 GHz 易挥发的 2Gbit 3.5 ns 德拉姆 64m x 32 lvstl 18NS
IS62WV51216HBLL-45B2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV51216HBLL-45B2LI-TR 3.8489
RFQ
ECAD 8743 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-VFBGA sram-异步 2.2v〜3.6V 48-VFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS62WV51216HBLL-45B2LI-TR 2,500 易挥发的 8mbit 45 ns SRAM 512k x 16 平行线 45ns
IS25LP064A-JLLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP064A-JLLE-TR 1.2907
RFQ
ECAD 1376 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 IS25LP064 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-wson(8x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 133 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O,QPI 800µs
IS43QR16256B-083RBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR16256B-083RBLI 13.3100
RFQ
ECAD 654 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-BGA IS43QR16256 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 96-BGA 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-1734 Ear99 8542.32.0036 198 1.2 GHz 易挥发的 4Gbit 德拉姆 256m x 16 平行线 15ns
IS46DR16640B-3DBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16640B-3DBLA1-Tr 7.9950
RFQ
ECAD 3092 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 84-TFBGA IS46DR16640 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA(8x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 2,500 333 MHz 易挥发的 1Gbit 450 ps 德拉姆 64m x 16 平行线 15ns
IS43LD16128B-25BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16128B-25BL-TR 9.3750
RFQ
ECAD 4030 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C 〜85°C(TC) 表面安装 134-TFBGA IS43LD16128 sdram- lpddr2 -S4 1.14v〜1.95v 134-TFBGA(10x11.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 400 MHz 易挥发的 2Gbit 德拉姆 128m x 16 平行线 15ns
IS45S32200L-6BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32200L-6BLA1 5.4321
RFQ
ECAD 1137 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS45S32200 Sdram 3v〜3.6V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 240 166 MHz 易挥发的 64mbit 5.4 ns 德拉姆 2m x 32 平行线 -
IS61NLP25636B-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP25636B-200TQLI 13.7940
RFQ
ECAD 1334 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP IS61NLP25636 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 100-LQFP(14x20) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 72 200 MHz 易挥发的 9Mbit 3.1 ns SRAM 256K x 36 平行线 -
IS61NLP102436B-200B3LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP102436B-200B-200B-200B-200B3LI-Tr 79.0500
RFQ
ECAD 3208 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS61NLP102436 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 165-TFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 200 MHz 易挥发的 36mbit 3.1 ns SRAM 1m x 36 平行线 -
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    每日平均RFQ量

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