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（ICS）（5782）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
IS21ES08GA-JCLI	15.6400	RFQ	4274	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	153-VFBGA	IS21ES08	Flash -nand （MLC）	2.7V〜3.6V	153-VFBGA（11.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS21ES08GA-JCLI	3A991B1A	8542.32.0071	152		非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	EMMC	-
IS63LV1024L-10JLI-Tr	-	RFQ	4063	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	IS63LV1024	sram-异步	3.15V〜3.45V	32-soj	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	1,000		易挥发的	1Mbit	10 ns	SRAM	128K x 8	平行线	10NS
IS42S32400F-6TLI-TR	5.3167	RFQ	2610	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS42S32400	Sdram	3v〜3.6V	86-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,500	166 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 32	平行线	-
IS61NVF51236-6.5TQL-Tr	-	RFQ	4515	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61NVF51236	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	800	133 MHz	易挥发的	18mbit	6.5 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
IS42SM16200D-6BLI	2.3119	RFQ	7696	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42SM16200	sdram-移动	3v〜3.6V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	348	166 MHz	易挥发的	32Mbit	5.5 ns	德拉姆	2m x 16	平行线	-
IS49NLC18160A-18WBLI	33.5439	RFQ	7170	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	144-TFBGA	IS49NLC18160	rldram 2	1.7V〜1.9V	144-twbga（11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS49NLC18160A-18WBLI			104	533 MHz	易挥发的	288Mbit	15 ns	德拉姆	16m x 18	HSTL	-
IS43DR81280B-25EBL	-	RFQ	5488	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS43DR81280	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-TWBGA（8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	242	400 MHz	易挥发的	1Gbit	450 ps	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
IS43R16320D-5TL-Tr	5.2696	RFQ	7845	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	0°C〜70°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS43R16320	sdram -ddr	2.5v〜2.7V	66-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	1,500	200 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
IS43LR32200C-6BLI	3.4456	RFQ	2932	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS43LR32200	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	240	166 MHz	易挥发的	64mbit	5.5 ns	德拉姆	2m x 32	平行线	15ns
IS43DR16160B-3DBL	2.6286	RFQ	2100	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	84-TFBGA	IS43DR16160	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	209	333 MHz	易挥发的	256Mbit	450 ps	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
IS25LP010E-JNLE	0.4000	RFQ	686	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IS25LP010	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS25LP010E-JNLE	Ear99	8542.32.0071	100	104 MHz	非易失性	1Mbit	8 ns	闪光	128K x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	1.2ms
IS61VPS102418A-250B3-Tr	-	RFQ	9025	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61VPS102418	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	250 MHz	易挥发的	18mbit	2.6 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
IS43TR16640BL-107MBLI	-	RFQ	4535	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS43TR16640	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	190	933 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS42S16400D-7TLI	-	RFQ	1344	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S16400	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	108	143 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 16	平行线	-
IS43LR16640C-5BLI	7.9485	RFQ	5319	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA		sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-tfbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43LR16640C-5BLI			300	208 MHz	易挥发的	1Gbit	5 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	14.4ns
IS43QR16256B-083RBL-TR	8.4588	RFQ	7224	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-TWBGA（7.5x13.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43QR16256B-083RBL-TR			2,500	1.2 GHz	易挥发的	4Gbit	19 ns	德拉姆	256m x 16	荚	15ns
IS46DR81280B-25DBLA1-Tr	-	RFQ	6590	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS46DR81280	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-TWBGA（8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	2,000	400 MHz	易挥发的	1Gbit	400 ps	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
IS61DDB42M18C-250M3	-	RFQ	4408	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	IS61DDB42	Sram-同步，DDR II	1.71V〜1.89V	165-LFBGA（15x17）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105	250 MHz	易挥发的	36mbit	8.4 ns	SRAM	2m x 18	平行线	-
IS62WV25616DBLL-45BI	-	RFQ	1895年	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS62WV25616	sram-异步	2.3v〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	45 ns	SRAM	256K x 16	平行线	45ns
IS62WVS5128FBLL-20NLI	4.2821	RFQ	7980	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		sram-同步	2.2v〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS62WVS5128FBLL-20NLI			100	20 MHz	易挥发的	4Mbit	25 ns	SRAM	512k x 8	Spi -Quad I/O，SDI	-
IS43TR16128D-093NBL	-	RFQ	8097	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS43TR16128	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43TR16128D-093NBL	Ear99	8542.32.0036	190	1.066 GHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
IS61WV25632BLL-10BI	-	RFQ	1194	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS61WV25632	sram-异步	2.4v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS61WV25632BLL-10BI	过时的		240		易挥发的	8mbit	10 ns	SRAM	256K x 32	平行线	10NS
IS45S16320D-6CTLA1	21.1003	RFQ	6964	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS45S16320	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	108	166 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	-
IS42S81600E-6TLI-TR	-	RFQ	7927	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S81600	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,500	166 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 8	平行线	-
IS62WV5128DALL-55BI-TR	-	RFQ	1736年	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	36-TFBGA	IS62WV5128	sram-异步	1.65V〜2.2V	36-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	55 ns	SRAM	512k x 8	平行线	55ns
IS61LV2568L-10TL	-	RFQ	6091	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS61LV2568	sram-异步	3.135v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	135		易挥发的	2Mbit	10 ns	SRAM	256K x 8	平行线	10NS
IS61VPS25636A-200TQLI	15.4275	RFQ	8319	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61VPS25636	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	200 MHz	易挥发的	9Mbit	3.1 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
IS49NLC18160-33Bli	-	RFQ	6646	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	144-TFBGA	IS49NLC18160	rldram 2	1.7V〜1.9V	144-twbga（11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	104	300 MHz	易挥发的	288Mbit	20 ns	德拉姆	16m x 18	平行线	-
IS61QDPB41M36A-450B4I	-	RFQ	9774	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-LBGA	IS61QDPB41	sram-同步，Quadp	1.71V〜1.89V	165-LFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105	450 MHz	易挥发的	36mbit	8.4 ns	SRAM	1m x 36	平行线	-
IS62WV51216EFBLL-45TLI-TR	4.4831	RFQ	7831	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS62WV51216	sram-异步	2.2v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	8mbit	45 ns	SRAM	512k x 16	平行线	55ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS）（5782）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²