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（ICS）（5782）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
IS61NVF51236-7.5B3I-Tr	-	RFQ	5245	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61NVF51236	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	117 MHz	易挥发的	18mbit	7.5 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
IS43TR81024B-125KBL	20.8861	RFQ	2010	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA		SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-TWBGA（10x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43TR81024B-125KBL			136	800 MHz	易挥发的	8Gbit	20 ns	德拉姆	1G x 8	平行线	15ns
IS61WV51216EDBLL-8TLI	10.5985	RFQ	5223	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS61WV51216	sram-异步	2.4v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	135		易挥发的	8mbit	8 ns	SRAM	512k x 16	平行线	8ns
IS45S32400F-6BLA2	9.5190	RFQ	6414	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS45S32400	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	240	166 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 32	平行线	-
IS25WP016-JNLE	-	RFQ	1949年	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IS25WP016	闪光灯 -也不	1.65V〜1.95V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	100	133 MHz	非易失性	16mbit		闪光	2m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	800µs
IS61LV25616AL-10BLI	5.2700	RFQ	393	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS61LV25616	sram-异步	3.135v〜3.6V	48-tfbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	220		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	256K x 16	平行线	10NS
IS46TR16128CL-125KBLA1-TR	5.9302	RFQ	5807	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS46TR16128	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,500	800 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
IS43DR86400E-3DBLI	6.7700	RFQ	5	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS43DR86400	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-TWBGA（8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-1561	Ear99	8542.32.0028	242	333 MHz	易挥发的	512Mbit	450 ps	德拉姆	64m x 8	平行线	15ns
IS25CQ032-JFLE-TR	-	RFQ	7402	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	IS25CQ032	闪光	2.7V〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,500	104 MHz	非易失性	32Mbit		闪光	4m x 8	spi	4ms
IS42S16800F-7TLI	3.0200	RFQ	3	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S16800	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-1270	Ear99	8542.32.0002	108	143 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	-
IS61NLP204818A-166TQ-TR	-	RFQ	1018	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61NLP204818	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	800	166 MHz	易挥发的	36mbit	3.5 ns	SRAM	2m x 18	平行线	-
IS25WJ032F-JNLE	1.0600	RFQ	365	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IS25WJ032F	闪光灯 -也不	1.65V〜1.95V	8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS25WJ032F-JNLE	3A991B1A	8542.32.0071	100	133 MHz	非易失性	32Mbit	6 ns	闪光	4m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	1.6ms
IS42S32160B-75EBLI	-	RFQ	9013	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42S32160	Sdram	3v〜3.6V	90-WBGA（11x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	144	133 MHz	易挥发的	512Mbit	5.5 ns	德拉姆	16m x 32	平行线	-
IS61NLF25636A-7.5TQLI	15.4275	RFQ	8799	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61NLF25636	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	117 MHz	易挥发的	9Mbit	7.5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
IS25LD020-JDLE-TR	-	RFQ	4938	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	IS25LD020	闪光	2.3v〜3.6V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	3,500	100 MHz	非易失性	2Mbit		闪光	256K x 8	spi	5ms
IS42S32800D-6BI	-	RFQ	2686	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42S32800	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	240	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 32	平行线	-
IS43TR16512AL-125KBLI	-	RFQ	8853	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-LFBGA	IS43TR16512	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-LFBGA（10x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-1462	Ear99	8542.32.0036	136	800 MHz	易挥发的	8Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 16	平行线	15ns
IS66WVO32M8DALL-200BLI	6.9500	RFQ	47	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	IS66WVO32M8	PSRAM （伪 SRAM）	1.7V〜1.95V	24-tfbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS66WVO32M8DALL-200BLI	3A991B2A	8542.32.0041	480	200 MHz	易挥发的	256Mbit		PSRAM	32m x 8	spi -octal I/o	40ns
IS42S32400F-6BLI	6.4030	RFQ	7691	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42S32400	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	240	166 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 32	平行线	-
IS42S32400B-7TI	-	RFQ	4988	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS42S32400	Sdram	3v〜3.6V	86-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	108	143 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 32	平行线	-
IS43TR16640A-125JBLI-TR	-	RFQ	1373	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS43TR16640	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,500	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS22TF64G-JCLA1	50.6532	RFQ	7392	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	153-VFBGA		Flash -nand（tlc）	2.7V〜3.6V	153-VFBGA（11.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS22TF64G-JCLA1			152	200 MHz	非易失性	512Gbit		闪光	64g x 8	EMMC_5.1	-
IS43LD32128A-25BPLI-Tr	-	RFQ	2586	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	168-VFBGA	IS43LD32128	sdram- lpddr2 -S4	1.14v〜1.3v，1.7v〜1.95v	168-VFBGA（12x12）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43LD32128A-25BPLI-Tr	过时的		1	400 MHz	易挥发的	4Gbit	5.5 ns	德拉姆	128m x 32	HSUL_12	15ns
IS42S32160B-6BLI	-	RFQ	2558	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42S32160	Sdram	3v〜3.6V	90-WBGA（11x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	144	166 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 32	平行线	-
IS66WVH8M8DBLL-100B1LI	3.2589	RFQ	8408	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA		PSRAM （伪 SRAM）	2.7V〜3.6V	24-tfbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS66WVH8M8DBLL-100B1LI			480	100 MHz	易挥发的	64mbit	40 ns	PSRAM	8m x 8	超肥	40ns
IS61VF204836B-7.5TQLI	123.9810	RFQ	8445	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61VF204836	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	117 MHz	易挥发的	72Mbit	7.5 ns	SRAM	2m x 36	平行线	-
IS25WP064D-JKLE-TR	1.3012	RFQ	6796	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫		闪存-SLC）	1.65V〜1.95V	8-wson（6x5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS25WP064D-JKLE-TR			4,500	166 MHz	非易失性	64mbit		闪光	8m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	40µs，800µs
IS42SM32160C-7BLI-TR	-	RFQ	7627	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-LFBGA	IS42SM32160	sdram-移动	3v〜3.6V	90-WBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	2,500	133 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 32	平行线	-
IS46DR81280C-25DBLA1	-	RFQ	5282	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS46DR81280	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-TWBGA（8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	242	400 MHz	易挥发的	1Gbit	400 ps	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
IS45S16400J-6BLA1-Tr	3.8792	RFQ	1787年	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS45S16400	Sdram	3v〜3.6V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500	166 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 16	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS）（5782）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²