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![]() | IS43LD32640C-18Bli | 10.4529 | ![]() | 3035 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 134-TFBGA | sdram- lpddr2 -S4 | 1.14v〜1.3v,1.7v〜1.95v | 134-TFBGA(10x11.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS43LD32640C-18BLI | 171 | 533 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 64m x 32 | HSUL_12 | 15ns | ||||
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IS61LV2568L-8TL-Tr | - | ![]() | 9160 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(ta) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS61LV2568 | sram-异步 | 3.135v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 2Mbit | 8 ns | SRAM | 256K x 8 | 平行线 | 8ns | ||||
![]() | IS43TR16128CL-125KBL-TR | 5.3700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | IS43TR16128 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA(9x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 800 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 128m x 16 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | IS45S16320F-7TLA1 | 12.9316 | ![]() | 4894 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS45S16320 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 108 | 143 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 32m x 16 | 平行线 | - | ||
![]() | IS25LQ512B-JVLE | - | ![]() | 4734 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IS25LQ512 | 闪光灯 -也不 | 2.3v〜3.6V | 8-VVSOP | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS25LQ512B-JVLE | Ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | 非易失性 | 512kbit | 8 ns | 闪光 | 64k x 8 | Spi -Quad I/O。 | 800µs | |
![]() | IS46TR85120AL-125KBLA1 | - | ![]() | 3420 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | IS46TR85120 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-TWBGA(9x10.5) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS46TR85120AL-125KBLA1 | Ear99 | 8542.32.0036 | 136 | 800 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 512m x 8 | 平行线 | 15ns | |
IS46DR16320E-25DBLA2 | 5.5581 | ![]() | 1677年 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 84-TFBGA | IS46DR16320 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA(8x12.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 209 | 400 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 400 ps | 德拉姆 | 32m x 16 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | IS66WVC2M16ALL-7010BLI | - | ![]() | 9424 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-VFBGA | IS66WVC2M16 | PSRAM (伪 SRAM) | 1.7V〜1.95V | 54-vfbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 480 | 易挥发的 | 32Mbit | 70 ns | PSRAM | 2m x 16 | 平行线 | 70NS | |||
![]() | IS61LV12824-10TQ | - | ![]() | 3400 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(ta) | 表面安装 | 100-LQFP | IS61LV12824 | sram-异步 | 3.135v〜3.6V | 100-LQFP(14x20) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 易挥发的 | 3Mbit | 10 ns | SRAM | 128K x 24 | 平行线 | 10NS | |||
IS41LV16100B-50TLI | - | ![]() | 5762 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS41LV16100 | 戏剧性 | 3v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 117 | 易挥发的 | 16mbit | 25 ns | 德拉姆 | 1m x 16 | 平行线 | - | ||||
![]() | IS34ML02G081-Bli-Tr | 4.3621 | ![]() | 8907 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 63-VFBGA | Flash -nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 63-vfbga(9x11) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS34ML02G081-BLI-Tr | 2,500 | 非易失性 | 2Gbit | 20 ns | 闪光 | 256m x 8 | 平行线 | 25ns | ||||||
IS62WV25616BLL-55TLI | 4.1800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS62WV25616 | sram-异步 | 2.5V〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 易挥发的 | 4Mbit | 55 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 55ns | ||||
![]() | IS64LF25636B-7.5TQLA3-Tr | 16.1595 | ![]() | 3699 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | sram-标准 | 3.135V〜3.465V | 100-LQFP(14x20) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS64LF25636B-7.5TQLA3-TR | 800 | 117 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | 7.5 ns | SRAM | 256K x 36 | 平行线 | - | |||||
![]() | IS42S81600F-6TLI | 2.9441 | ![]() | 6688 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS42S81600 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 166 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 16m x 8 | 平行线 | - |
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