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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
IS46DR16320E-3DBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16320E-3DBLA2-TR 5.1762
RFQ
ECAD 2021 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 84-TFBGA IS46DR16320 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA(8x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 2,500 333 MHz 易挥发的 512Mbit 450 ps 德拉姆 32m x 16 平行线 15ns
IS42S83200G-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200G-6TL-Tr 5.2066
RFQ
ECAD 4719 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) IS42S83200 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,500 166 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 32m x 8 平行线 -
IS42S16160J-7TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160J-7TLI 3.6500
RFQ
ECAD 775 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) IS42S16160 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 108 143 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 -
IS61NLF25672-6.5B1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF25672-6.5B1 -
RFQ
ECAD 4837 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 209-BGA IS61NLF25672 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 209-LFBGA(14x22) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 84 133 MHz 易挥发的 18mbit 6.5 ns SRAM 256K x 72 平行线 -
IS42S16800D-75ETL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800D-75ETL -
RFQ
ECAD 3345 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) IS42S16800 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 108 133 MHz 易挥发的 128mbit 6.5 ns 德拉姆 8m x 16 平行线 -
IS62WV5128EBLL-45BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128EBLL-45BLI 3.6600
RFQ
ECAD 367 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 36-TFBGA IS62WV5128 sram-异步 2.2v〜3.6V 36-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-1543 3A991B2A 8542.32.0041 480 易挥发的 4Mbit 45 ns SRAM 512k x 8 平行线 45ns
IS46DR16320D-25DBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16320D-25DBLA2 8.5012
RFQ
ECAD 3724 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 不适合新设计 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 84-TFBGA IS46DR16320 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA(8x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 209 400 MHz 易挥发的 512Mbit 400 ps 德拉姆 32m x 16 平行线 15ns
IS43R86400E-5TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400E-5TLI-Tr -
RFQ
ECAD 4138 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) IS43R86400 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 66-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 1,500 200 MHz 易挥发的 512Mbit 700 ps 德拉姆 64m x 8 平行线 15ns
IS43TR16256AL-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256AL-125KBLI -
RFQ
ECAD 7050 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS43TR16256 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 190 800 MHz 易挥发的 4Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 16 平行线 15ns
IS43DR16128A-3DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16128A-3DBL -
RFQ
ECAD 2367 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 84-LFBGA IS43DR16128 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-LFBGA(10.5x13.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 162 333 MHz 易挥发的 2Gbit 450 ps 德拉姆 128m x 16 平行线 15ns
IS66WVH32M8DALL-166B1LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVH32M8DALL-166B1LI 4.8440
RFQ
ECAD 3885 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 24-TBGA PSRAM (伪 SRAM) 1.7V〜1.95V 24-tfbga(6x8) - rohs3符合条件 3(168)) 706-IS66WVH32M8DALL-166B1LI 480 166 MHz 易挥发的 256Mbit 36 NS PSRAM 32m x 8 平行线 36ns
IS43DR16640B-3DBI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16640B-3DBI-Tr -
RFQ
ECAD 2669 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 84-TFBGA IS43DR16640 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA(8x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 2,500 333 MHz 易挥发的 1Gbit 450 ps 德拉姆 64m x 16 平行线 15ns
IS42S81600E-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S81600E-6TLI -
RFQ
ECAD 8847 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) IS42S81600 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 108 166 MHz 易挥发的 128mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 8 平行线 -
IS66WVH8M8ALL-166B1LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVH8M8ALL-166B1LI-TR 3.6010
RFQ
ECAD 9588 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 24-TBGA IS66WVH8M8 PSRAM (伪 SRAM) 1.7V〜1.95V 24-tfbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,500 166 MHz 易挥发的 64mbit 36 NS PSRAM 8m x 8 平行线 36ns
IS46LD32320A-3BPLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32320A-3BPLA1 -
RFQ
ECAD 2931 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 在sic中停产 -40°C 〜85°C(TC) 表面安装 168-VFBGA IS46LD32320 sdram- lpddr2 -S4 1.14v〜1.95v 168-VFBGA(12x12) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 171 333 MHz 易挥发的 1Gbit 德拉姆 32m x 32 平行线 15ns
IS43TR16256BL-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256BL-107MBLI 11.3900
RFQ
ECAD 30 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS43TR16256 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-1730 Ear99 8542.32.0036 190 933 MHz 易挥发的 4Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 16 平行线 15ns
IS61LV256AL-10JLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV256AL-10JLI-TR 1.1254
RFQ
ECAD 6511 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 28-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) IS61LV256 sram-异步 3.135v〜3.6V 28-soj 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0041 1,000 易挥发的 256kbit 10 ns SRAM 32K x 8 平行线 10NS
IS25LP256H-RMLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP256H-RMLE -
RFQ
ECAD 5303 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 管子 过时的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 16-Soic - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS25LP256H-RMLE 过时的 1 166 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 50µs,1ms
IS43TR82560B-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560B-125KBLI -
RFQ
ECAD 7656 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA IS43TR82560 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-TWBGA (8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 242 800 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 8 平行线 15ns
IS42S16160G-5BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160G-5BL-Tr 6.5400
RFQ
ECAD 4990 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-TFBGA IS42S16160 Sdram 3v〜3.6V 54-tfbga(8x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 2,500 200 MHz 易挥发的 256Mbit 5 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 -
IS49NLS96400A-25EWBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS96400A-25EWBL 49.5275
RFQ
ECAD 2402 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 144-TFBGA rldram 2 1.7V〜1.9V 144-twbga(11x18.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS49NLS96400A-25EWBL 104 400 MHz 易挥发的 576Mbit 15 ns 德拉姆 64m x 9 HSTL -
IS61LV12824-8BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV12824-8BI -
RFQ
ECAD 8779 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 119-BGA IS61LV12824 sram-异步 3.135V〜3.63V 119-PBGA(14x22) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS61LV12824-8BI 过时的 84 易挥发的 3Mbit 8 ns SRAM 128K x 24 平行线 8ns
IS42S32400E-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400E-7TLI-TR -
RFQ
ECAD 9995 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) IS42S32400 Sdram 3v〜3.6V 86-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,500 143 MHz 易挥发的 128mbit 5.4 ns 德拉姆 4m x 32 平行线 -
IS46LQ32640A-062BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32640A-062BLA2-TR -
RFQ
ECAD 3447 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 200-VFBGA sdram- lpddr4 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V 200-VFBGA(10x14.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS46LQ32640A-062BLA2-TR 2,500 1.6 GHz 易挥发的 2Gbit 德拉姆 64m x 32 lvstl -
IS42S16800D-7B-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800D-7B-Tr -
RFQ
ECAD 4033 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-VFBGA IS42S16800 Sdram 3v〜3.6V 54-Minibga(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 2,500 143 MHz 易挥发的 128mbit 5.4 ns 德拉姆 8m x 16 平行线 -
IS42VM32800K-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32800K-75BLI-TR 5.2800
RFQ
ECAD 9925 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS42VM32800 sdram-移动 1.7V〜1.95V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 2,500 133 MHz 易挥发的 256Mbit 6 ns 德拉姆 8m x 32 平行线 -
IS25LP01GG-RMLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP01GG-RMLE-TR 9.5781
RFQ
ECAD 9890 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 * 胶带和卷轴((tr) 积极的 - rohs3符合条件 3(168)) 706-IS25LP01GG-RMLE-TR 1,000
IS25WP020E-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP020E-JNLE 0.3196
RFQ
ECAD 9796 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 管子 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IS25WP020 闪光灯 -也不 1.7V〜1.95V 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS25WP020E-JNLE Ear99 8542.32.0071 100 104 MHz 非易失性 2Mbit 8 ns 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 1.2ms
IS41C16105D-50KLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41C16105D-50KLI -
RFQ
ECAD 5489 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 管子 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 42-BSOJ(0.400英寸,10.16mm宽度) IS41C16105 戏剧性 4.5V〜5.5V 42-soj - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 16 易挥发的 16mbit 25 ns 德拉姆 1m x 16 平行线 84ns
IS25LQ512B-JNLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ512B-JNLE-TR -
RFQ
ECAD 7177 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IS25LQ512 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 非易失性 512kbit 闪光 64k x 8 Spi -Quad I/O。 800µs
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

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    15,000 m2

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