SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 输出类型 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 功能 电压 -电源( -vcc/vdd) 时钟频率 输出数量 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面 拓扑 频率 -切换 控制功能 输出配置 输出阶段 ((() 同步整流器 时钟同步 串行接口
IS42S32200C1-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200C1-7TLI-TR -
RFQ
ECAD 9249 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) IS42S32200 Sdram 3.15V〜3.45V 86-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,500 143 MHz 易挥发的 64mbit 5.5 ns 德拉姆 2m x 32 平行线 -
IS43DR86400C-25DBI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400C-25DBI -
RFQ
ECAD 4738 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 60-TFBGA IS43DR86400 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-TWBGA(8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS43DR86400C-25DBI 过时的 209 400 MHz 易挥发的 512Mbit 400 ps 德拉姆 64m x 8 平行线 15ns
IS61LPS12836EC-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS12836EC-200TQLI 7.5262
RFQ
ECAD 1726年 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP IS61LPS12836 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 100-LQFP(14x20) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 72 200 MHz 易挥发的 4.5mbit 3.1 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
IS43TR16512AL-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512AL-125KBL-TR -
RFQ
ECAD 3915 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-LFBGA IS43TR16512 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-LFBGA(10x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 易挥发的 8Gbit 20 ns 德拉姆 512m x 16 平行线 15ns
IS25WP064A-RMLE-TY ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP064A-RMLE-TY 1.5641
RFQ
ECAD 5600 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) 闪光灯 -也不 1.65V〜1.95V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS25WP064A-RMLE-TY 176 133 MHz 非易失性 64mbit 7 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 40µs,800µs
IS42S83200D-75ETLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200D-75ETLI-TR -
RFQ
ECAD 2041 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) IS42S83200 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,500 133 MHz 易挥发的 256Mbit 5.5 ns 德拉姆 32m x 8 平行线 -
IS61LPD51236A-250B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPD51236A-250B3I -
RFQ
ECAD 1361 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS61LPD51236 sram-四边形端口,同步 3.135V〜3.465V 165-PBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 144 250 MHz 易挥发的 18mbit 2.6 ns SRAM 512k x 36 平行线 -
IS61NLP51236-250B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP51236-250B3 -
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ECAD 8880 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS61NLP51236 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 165-TFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 144 250 MHz 易挥发的 18mbit 2.6 ns SRAM 512k x 36 平行线 -
IS43QR81024A-083TBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR81024A-083TBL 17.6469
RFQ
ECAD 1524年 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 78-TWBGA(10x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS43QR81024A-083TBL 136 1.2 GHz 易挥发的 8Gbit 18 ns 德拉姆 1G x 8 平行线 15ns
IS43TR16128B-093NBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128B-093NBLI -
RFQ
ECAD 6579 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 托盘 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA(9x13) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS43TR16128B-093NBLI Ear99 8542.32.0036 190 1.066 GHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 16 平行线 15ns
IS43R16160D-5BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160D-5BLI-TR 5.7450
RFQ
ECAD 9845 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 60-TFBGA IS43R16160 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 60-tfbga(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 2,500 200 MHz 易挥发的 256Mbit 700 ps 德拉姆 16m x 16 平行线 15ns
IS32PM3510-ZLS4-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS32PM3510-ZLS4-TR -
RFQ
ECAD 8677 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 16-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽) 晶体管驱动器 16秒 - 3(168)) 706-IS32PM3510-ZLS4-Tr Ear99 8542.39.0001 2,500 升级,踩踏,升级/踩踏 4.5V〜55V 1 Buck,Boost,Buck-Boost 150KHz〜650KHz 死t控制,启用,频率控制,功率良好,柔和的开始,柔和的开始 积极的 1 95.5% 是的 -
IS43LD16640C-25BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16640C-25BLI-TR 10.1900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C 〜85°C(TC) 表面安装 134-TFBGA IS43LD16640 sdram- lpddr2 -S4 1.14v〜1.95v 134-TFBGA(10x11.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 2,000 400 MHz 易挥发的 1Gbit 德拉姆 64m x 16 平行线 15ns
IS66WVH8M8BLL-100B1LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVH8M8BLL-100B1LI 4.7200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 24-TBGA IS66WVH8M8 PSRAM (伪 SRAM) 2.7V〜3.6V 24-tfbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-1466 Ear99 8542.32.0071 480 100 MHz 易挥发的 64mbit 40 ns PSRAM 8m x 8 平行线 40ns
IS62WV2568EBLL-45TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV2568EBLL-45TLI 2.5287
RFQ
ECAD 8778 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 32-tfsop (0.724英寸,宽度18.40mm) IS62WV2568 sram-异步 2.2v〜3.6V 32-tsop i 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 156 易挥发的 2Mbit 45 ns SRAM 256K x 8 平行线 45ns
IS46DR81280C-25DBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR81280C-25DBLA2 -
RFQ
ECAD 2884 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 60-TFBGA IS46DR81280 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-TWBGA(8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 242 400 MHz 易挥发的 1Gbit 400 ps 德拉姆 128m x 8 平行线 15ns
IS67WVC4M16ALL-7010BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS67WVC4M16ALL-7010BLA1 -
RFQ
ECAD 7483 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-VFBGA IS67WVC4M16 PSRAM (伪 SRAM) 1.7V〜1.95V 54-vfbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 480 104 MHz 易挥发的 64mbit 70 ns PSRAM 4m x 16 平行线 70NS
IS42S86400F-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S86400F-6TLI-TR 12.3750
RFQ
ECAD 4922 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) IS42S86400 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 1,500 166 MHz 易挥发的 512Mbit 5.4 ns 德拉姆 64m x 8 平行线 -
IS25WP064D-RHLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP064D-RHLA3 1.8942
RFQ
ECAD 8652 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 大部分 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC) 1.65V〜1.95V 24-tfbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS25WP064D-RHLA3 480 166 MHz 非易失性 64mbit 5.5 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 40µs,800µs
IS43LR16160F-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16160F-6BLI -
RFQ
ECAD 3528 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 60-TFBGA IS43LR16160 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-tfbga(8x10) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 300 166 MHz 易挥发的 256Mbit 5.5 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 15ns
IS61LV5128AL-10BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV5128AL-10BI -
RFQ
ECAD 4545 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 36-TFBGA IS61LV5128 sram-异步 3.135v〜3.6V 36 Minibga(8x10) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 480 易挥发的 4Mbit 10 ns SRAM 512k x 8 平行线 10NS
IS42S16800E-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800E-6TLI -
RFQ
ECAD 4130 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) IS42S16800 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 108 166 MHz 易挥发的 128mbit 5.4 ns 德拉姆 8m x 16 平行线 -
IS43R86400D-6BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400D-6BI -
RFQ
ECAD 1646年 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 60-TFBGA IS43R86400 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 60-tfbga(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS43R86400D-6BI 过时的 190 166 MHz 易挥发的 512Mbit 700 ps 德拉姆 64m x 8 平行线 15ns
IS62WV51216EBLL-45BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV51216EBLL-45BLI-TR 4.5215
RFQ
ECAD 3419 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-VFBGA IS62WV51216 sram-异步 2.2v〜3.6V 48-VFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 易挥发的 8mbit 45 ns SRAM 512k x 16 平行线 45ns
IS61DDB44M18A-300M3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB44M18A-300M3I -
RFQ
ECAD 9883 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-LBGA IS61DDB44 Sram-同步,DDR II 1.71V〜1.89V 165-LFBGA(15x17) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS61DDB44M18A-300M3I 过时的 105 300 MHz 易挥发的 72Mbit 1.48 ns SRAM 4m x 18 平行线 -
IS41LV16257C-35TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16257C-35TLI-Tr -
RFQ
ECAD 8007 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽),40个铅 IS41LV16257 DRAM -FP 3v〜3.6V 40-tsop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,000 易挥发的 4Mbit 18 ns 德拉姆 256K x 16 平行线 -
IS25CD512-JKLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25CD512-JKLE-TR -
RFQ
ECAD 8547 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 IS25CD512 闪光 2.7V〜3.6V 8-wson(6x5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 100 MHz 非易失性 512kbit 闪光 64k x 8 spi 5ms
IS46LQ32128A-062BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32128A-062BLA2-TR -
RFQ
ECAD 4393 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 200-VFBGA sdram- lpddr4 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V 200-VFBGA(10x14.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS46LQ32128A-062BLA2-TR 2,500 1.6 GHz 易挥发的 4Gbit 3.5 ns 德拉姆 128m x 32 lvstl 18NS
IS25LQ010B-JVLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ010B-JVLE -
RFQ
ECAD 8513 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 管子 过时的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IS25LQ010 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-VVSOP - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS25LQ010B-JVLE Ear99 8542.32.0071 100 104 MHz 非易失性 1Mbit 8 ns 闪光 128K x 8 Spi -Quad I/O。 800µs
IS42VM16320E-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16320E-75BLI-TR 8.0400
RFQ
ECAD 6825 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-TFBGA IS42VM16320 sdram-移动 1.7V〜1.95V 54-tfbga(8x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 2,500 133 MHz 易挥发的 512Mbit 6 ns 德拉姆 32m x 16 平行线 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库