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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | 重量( kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 频率 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电流 -输出 /通道 | 时钟频率 | 输出数量 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | 内部开关 | 拓扑 | 电压 -电源(最大) | 昏暗 | 电压 -电源(最小) | 电压 -输出 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS46TR85120A-125KBLA2 | - | ![]() | 7237 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | IS46TR85120 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-TWBGA(9x10.5) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS46TR85120A-125KBLA2 | Ear99 | 8542.32.0036 | 136 | 800 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 512m x 8 | 平行线 | 15ns | ||||||||||||
IS43LR16320B-6BLI | - | ![]() | 3708 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 60-TFBGA | IS43LR16320 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-tfbga(8x10) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 300 | 166 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 32m x 16 | 平行线 | 12ns | ||||||||||||||
![]() | IS42S16160G-6BLI | 4.2807 | ![]() | 1779年 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 不适合新设计 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-TFBGA | IS42S16160 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-tfbga(8x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 348 | 166 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 16m x 16 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS46QR16512A-075VBLA1-TR | 19.5776 | ![]() | 8378 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14v〜1.26v | 96-TWBGA(10x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS46QR16512A-075VBLA1-TR | 2,000 | 1.333 GHz | 易挥发的 | 8Gbit | 18 ns | 德拉姆 | 512m x 16 | 平行线 | 15ns | ||||||||||||||||
![]() | IS46QR16512A-083TBLA2 | 22.1643 | ![]() | 3600 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14v〜1.26v | 96-TWBGA(10x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS46QR16512A-083TBLA2 | 136 | 1.2 GHz | 易挥发的 | 8Gbit | 18 ns | 德拉姆 | 512m x 16 | 平行线 | 15ns | ||||||||||||||||
![]() | IS43R16320E-5TLI | 7.4065 | ![]() | 1847年 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 不适合新设计 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) | IS43R16320 | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 66-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 108 | 200 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 32m x 16 | 平行线 | 15ns | |||||||||||||
![]() | IS43TR16128D-107MBLI | 5.1550 | ![]() | 2070 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | IS43TR16128 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA(9x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-1719 | Ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 933 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 128m x 16 | 平行线 | 15ns | ||||||||||||
![]() | IS43R16320D-6TL-Tr | 5.1123 | ![]() | 6886 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) | IS43R16320 | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 66-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 1,500 | 166 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 32m x 16 | 平行线 | 15ns | |||||||||||||
![]() | IS25WJ064F-JBLE-TR | 0.9320 | ![]() | 6199 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | 闪存-SLC) | 1.65V〜2V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS25WJ064F-JBLE-TR | 2,000 | 133 MHz | 非易失性 | 64mbit | 6 ns | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 50µs,1.6ms | |||||||||||||||
![]() | IS25LP256D-RGLE-TR | - | ![]() | 5263 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | IS25LP256 | 闪光灯 -也不 | 2.3v〜3.6V | 24-tfbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 133 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 7 ns | 闪光 | 32m x 8 | 系列 | 800µs | |||||||||||||
![]() | IS43TR16640ED-15HBLI | 5.8300 | ![]() | 6587 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA(9x13) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS43TR16640ED-15HBLI | 190 | 667 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 64m x 16 | SSTL_15 | 15ns | ||||||||||||||||
![]() | IS42S16160G-6BL-TR | 3.5682 | ![]() | 8069 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 54-TFBGA | IS42S16160 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-tfbga(8x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 166 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 16m x 16 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS46LQ32640AL-062BLA1-TR | - | ![]() | 9194 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 200-VFBGA | sdram- lpddr4x | 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V | 200-VFBGA(10x14.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS46LQ32640AL-062BLA1-TR | 2,500 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 2Gbit | 3.5 ns | 德拉姆 | 64m x 32 | lvstl | 18NS | ||||||||||||||||
![]() | IS25WE256E-RMLE | - | ![]() | 9365 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜1.95V | 16-Soic | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS25WE256E-RMLE | 过时的 | 1 | 166 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 50µs,2ms | |||||||||||||||
![]() | IS49RL36320-107EBL | 109.1224 | ![]() | 4558 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 168-LBGA | rldram 3 | 1.28V〜1.42V | 168-FBGA((13.5x13.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS49RL36320-107EBL | 119 | 933 MHz | 易挥发的 | 1.152Gbit | 8 ns | 德拉姆 | 32m x 36 | 平行线 | - | |||||||||||||||
![]() | IS46TR16128AL-125KBLA1 | - | ![]() | 7204 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | IS46TR16128 | SDRAM -DDR3 | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA(9x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 800 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 128m x 16 | 平行线 | 15ns | |||||||||||||
![]() | IS62WV5128EBLL-45BLI-TR | 2.6189 | ![]() | 3451 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 36-TFBGA | IS62WV5128 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 36-TFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,500 | 易挥发的 | 4Mbit | 45 ns | SRAM | 512k x 8 | 平行线 | 45ns | ||||||||||||||
![]() | IS61NLP25672-200B1I | - | ![]() | 6231 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 209-BGA | IS61NLP25672 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 209-LFBGA(14x22) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 200 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 3.1 ns | SRAM | 256K x 72 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS62WV5128BLL-55TI | - | ![]() | 6645 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-tfsop (0.724英寸,宽度18.40mm) | IS62WV5128 | sram-异步 | 2.5V〜3.6V | 32-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 156 | 易挥发的 | 4Mbit | 55 ns | SRAM | 512k x 8 | 平行线 | 55ns | ||||||||||||||
![]() | IS43DR82560C-25DBL-TR | 6.3808 | ![]() | 2362 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 60-TFBGA | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-TWBGA(8x10.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS43DR82560C-25DBL-TR | 2,000 | 400 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 400 ns | 德拉姆 | 256m x 8 | SSTL_18 | 15ns | ||||||||||||||||
![]() | IS46TR16128C-125KBLA25-TR | 6.3293 | ![]() | 6477 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜115°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA(9x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS46TR16128C-125KBLA25-Tr | 1,500 | 800 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 128m x 16 | 平行线 | 15ns | ||||||||||||||||
![]() | IS46LD32128A-25BPLA2-TR | - | ![]() | 8671 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 168-VFBGA | IS46LD32128 | sdram- lpddr2 -S4 | 1.14v〜1.3v,1.7v〜1.95v | 168-VFBGA(12x12) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS46LD32128A-25BPLA2-TR | 过时的 | 1 | 400 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 128m x 32 | HSUL_12 | 15ns | |||||||||||||
![]() | IS46R16320D-6TLA2 | 11.0031 | ![]() | 6109 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 不适合新设计 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) | IS46R16320 | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 66-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 108 | 166 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 32m x 16 | 平行线 | 15ns | |||||||||||||
![]() | IS29GL256-70DLEB | 6.9600 | ![]() | 263 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 64-LBGA | IS29GL256 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 64-LFBGA(9x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS29GL256-70DLEB | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 260 | 非易失性 | 256Mbit | 70 ns | 闪光 | 32m x 8 | 平行线 | 200µs | |||||||||||||
![]() | IS31LT3353-V1STLS2-TR | - | ![]() | 9692 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 灯光 | 表面安装 | SC-74A,SOT-753 | DC DC调节器 | IS31LT3353 | 1MHz | SOT-23-5 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 1A(1A) | 1 | 是的 | ((() | 40V | 模拟,PWM | 6V | - | ||||||||||||
![]() | IS25LP256E-JLLE | 3.8129 | ![]() | 2226 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC) | 2.3v〜3.6V | 8-wson(8x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS25LP256E-JLLE | 480 | 166 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 50µs,1ms | |||||||||||||||||
![]() | IS25LQ025B-JKLE | - | ![]() | 4200 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | IS25LQ025 | 闪光灯 -也不 | 2.3v〜3.6V | 8-wson(6x5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-1327 | Ear99 | 8542.32.0071 | 570 | 104 MHz | 非易失性 | 256kbit | 闪光 | 32K x 8 | Spi -Quad I/O。 | 800µs | |||||||||||||
![]() | IS43R32800D-5BLI | - | ![]() | 5943 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 144-LFBGA | IS43R32800 | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 144-LFBGA(12x12) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 189 | 200 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 8m x 32 | 平行线 | 15ns | |||||||||||||
![]() | IS43R16800E-6TL-Tr | 2.1360 | ![]() | 6934 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) | IS43R16800 | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 66-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 1,500 | 166 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 700 ps | 德拉姆 | 8m x 16 | 平行线 | 12ns | |||||||||||||
![]() | IS62WV12816ALL-70BLI-TR | - | ![]() | 1917年 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | IS62WV12816 | sram-异步 | 1.65V〜2.2V | 48-TFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,500 | 易挥发的 | 2Mbit | 70 ns | SRAM | 128K x 16 | 平行线 | 70NS |
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