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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 重量( kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 基本产品编号 频率 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出 /通道 时钟频率 输出数量 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面 内部开关 拓扑 电压 -电源(最大) 昏暗 电压 -电源(最小) 电压 -输出
IS46TR85120A-125KBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR85120A-125KBLA2 -
RFQ
ECAD 7237 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 托盘 过时的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 78-TFBGA IS46TR85120 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-TWBGA(9x10.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS46TR85120A-125KBLA2 Ear99 8542.32.0036 136 800 MHz 易挥发的 4Gbit 20 ns 德拉姆 512m x 8 平行线 15ns
IS43LR16320B-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16320B-6BLI -
RFQ
ECAD 3708 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 60-TFBGA IS43LR16320 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-tfbga(8x10) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 300 166 MHz 易挥发的 512Mbit 5.5 ns 德拉姆 32m x 16 平行线 12ns
IS42S16160G-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160G-6BLI 4.2807
RFQ
ECAD 1779年 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-TFBGA IS42S16160 Sdram 3v〜3.6V 54-tfbga(8x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 348 166 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 -
IS46QR16512A-075VBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46QR16512A-075VBLA1-TR 19.5776
RFQ
ECAD 8378 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 96-TWBGA(10x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS46QR16512A-075VBLA1-TR 2,000 1.333 GHz 易挥发的 8Gbit 18 ns 德拉姆 512m x 16 平行线 15ns
IS46QR16512A-083TBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46QR16512A-083TBLA2 22.1643
RFQ
ECAD 3600 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 大部分 积极的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 96-TFBGA SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 96-TWBGA(10x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS46QR16512A-083TBLA2 136 1.2 GHz 易挥发的 8Gbit 18 ns 德拉姆 512m x 16 平行线 15ns
IS43R16320E-5TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320E-5TLI 7.4065
RFQ
ECAD 1847年 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) IS43R16320 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 66-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 108 200 MHz 易挥发的 512Mbit 700 ps 德拉姆 32m x 16 平行线 15ns
IS43TR16128D-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128D-107MBLI 5.1550
RFQ
ECAD 2070 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-1719 Ear99 8542.32.0036 190 933 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 16 平行线 15ns
IS43R16320D-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320D-6TL-Tr 5.1123
RFQ
ECAD 6886 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 0°C〜70°C(TA) 表面安装 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) IS43R16320 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 66-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 1,500 166 MHz 易挥发的 512Mbit 700 ps 德拉姆 32m x 16 平行线 15ns
IS25WJ064F-JBLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WJ064F-JBLE-TR 0.9320
RFQ
ECAD 6199 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) 闪存-SLC) 1.65V〜2V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS25WJ064F-JBLE-TR 2,000 133 MHz 非易失性 64mbit 6 ns 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 50µs,1.6ms
IS25LP256D-RGLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP256D-RGLE-TR -
RFQ
ECAD 5263 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 24-TBGA IS25LP256 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 24-tfbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 非易失性 256Mbit 7 ns 闪光 32m x 8 系列 800µs
IS43TR16640ED-15HBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640ED-15HBLI 5.8300
RFQ
ECAD 6587 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA(9x13) - rohs3符合条件 3(168)) 706-IS43TR16640ED-15HBLI 190 667 MHz 易挥发的 1Gbit 20 ns 德拉姆 64m x 16 SSTL_15 15ns
IS42S16160G-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160G-6BL-TR 3.5682
RFQ
ECAD 8069 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-TFBGA IS42S16160 Sdram 3v〜3.6V 54-tfbga(8x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 2,500 166 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 -
IS46LQ32640AL-062BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32640AL-062BLA1-TR -
RFQ
ECAD 9194 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 200-VFBGA sdram- lpddr4x 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V 200-VFBGA(10x14.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS46LQ32640AL-062BLA1-TR 2,500 1.6 GHz 易挥发的 2Gbit 3.5 ns 德拉姆 64m x 32 lvstl 18NS
IS25WE256E-RMLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WE256E-RMLE -
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ECAD 9365 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 管子 过时的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) 闪光灯 -也不 1.7V〜1.95V 16-Soic - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS25WE256E-RMLE 过时的 1 166 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 50µs,2ms
IS49RL36320-107EBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL36320-107EBL 109.1224
RFQ
ECAD 4558 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 168-LBGA rldram 3 1.28V〜1.42V 168-FBGA((13.5x13.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS49RL36320-107EBL 119 933 MHz 易挥发的 1.152Gbit 8 ns 德拉姆 32m x 36 平行线 -
IS46TR16128AL-125KBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128AL-125KBLA1 -
RFQ
ECAD 7204 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM -DDR3 1.283V〜1.45V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 190 800 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 16 平行线 15ns
IS62WV5128EBLL-45BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128EBLL-45BLI-TR 2.6189
RFQ
ECAD 3451 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 36-TFBGA IS62WV5128 sram-异步 2.2v〜3.6V 36-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 易挥发的 4Mbit 45 ns SRAM 512k x 8 平行线 45ns
IS61NLP25672-200B1I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP25672-200B1I -
RFQ
ECAD 6231 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 209-BGA IS61NLP25672 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 209-LFBGA(14x22) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 84 200 MHz 易挥发的 18mbit 3.1 ns SRAM 256K x 72 平行线 -
IS62WV5128BLL-55TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128BLL-55TI -
RFQ
ECAD 6645 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 32-tfsop (0.724英寸,宽度18.40mm) IS62WV5128 sram-异步 2.5V〜3.6V 32-tsop i 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 156 易挥发的 4Mbit 55 ns SRAM 512k x 8 平行线 55ns
IS43DR82560C-25DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR82560C-25DBL-TR 6.3808
RFQ
ECAD 2362 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜85°C(TC) 表面安装 60-TFBGA SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-TWBGA(8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS43DR82560C-25DBL-TR 2,000 400 MHz 易挥发的 2Gbit 400 ns 德拉姆 256m x 8 SSTL_18 15ns
IS46TR16128C-125KBLA25-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128C-125KBLA25-TR 6.3293
RFQ
ECAD 6477 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜115°C(TC) 表面安装 96-TFBGA SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS46TR16128C-125KBLA25-Tr 1,500 800 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 16 平行线 15ns
IS46LD32128A-25BPLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32128A-25BPLA2-TR -
RFQ
ECAD 8671 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 168-VFBGA IS46LD32128 sdram- lpddr2 -S4 1.14v〜1.3v,1.7v〜1.95v 168-VFBGA(12x12) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS46LD32128A-25BPLA2-TR 过时的 1 400 MHz 易挥发的 4Gbit 5.5 ns 德拉姆 128m x 32 HSUL_12 15ns
IS46R16320D-6TLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16320D-6TLA2 11.0031
RFQ
ECAD 6109 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 不适合新设计 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) IS46R16320 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 66-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 108 166 MHz 易挥发的 512Mbit 700 ps 德拉姆 32m x 16 平行线 15ns
IS29GL256-70DLEB ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS29GL256-70DLEB 6.9600
RFQ
ECAD 263 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 64-LBGA IS29GL256 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 64-LFBGA(9x9) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS29GL256-70DLEB 3A991B1A 8542.32.0071 260 非易失性 256Mbit 70 ns 闪光 32m x 8 平行线 200µs
IS31LT3353-V1STLS2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS31LT3353-V1STLS2-TR -
RFQ
ECAD 9692 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 灯光 表面安装 SC-74A,SOT-753 DC DC调节器 IS31LT3353 1MHz SOT-23-5 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 3,000 1A(1A) 1 是的 ((() 40V 模拟,PWM 6V -
IS25LP256E-JLLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP256E-JLLE 3.8129
RFQ
ECAD 2226 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 大部分 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC) 2.3v〜3.6V 8-wson(8x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS25LP256E-JLLE 480 166 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 50µs,1ms
IS25LQ025B-JKLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ025B-JKLE -
RFQ
ECAD 4200 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 IS25LQ025 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-wson(6x5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-1327 Ear99 8542.32.0071 570 104 MHz 非易失性 256kbit 闪光 32K x 8 Spi -Quad I/O。 800µs
IS43R32800D-5BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R32800D-5BLI -
RFQ
ECAD 5943 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 144-LFBGA IS43R32800 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 144-LFBGA(12x12) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 189 200 MHz 易挥发的 256Mbit 700 ps 德拉姆 8m x 32 平行线 15ns
IS43R16800E-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16800E-6TL-Tr 2.1360
RFQ
ECAD 6934 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) IS43R16800 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 66-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,500 166 MHz 易挥发的 128mbit 700 ps 德拉姆 8m x 16 平行线 12ns
IS62WV12816ALL-70BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816ALL-70BLI-TR -
RFQ
ECAD 1917年 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFBGA IS62WV12816 sram-异步 1.65V〜2.2V 48-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 易挥发的 2Mbit 70 ns SRAM 128K x 16 平行线 70NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

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    全球制造商

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