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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
IS62WV25616EALL-55TI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616EALL-55TI-TR -
RFQ
ECAD 9919 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) IS62WV25616 sram-异步 1.65V〜2.2V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 1 易挥发的 4Mbit 55 ns SRAM 256K x 16 平行线 55ns
IS42S32400E-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400E-6BLI -
RFQ
ECAD 1739年 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS42S32400 Sdram 3v〜3.6V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 240 166 MHz 易挥发的 128mbit 5.4 ns 德拉姆 4m x 32 平行线 -
IS46LD32640B-18BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32640B-18BLA2-TR -
RFQ
ECAD 7597 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 上次购买 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 134-TFBGA sdram- lpddr2 -S4 1.14v〜1.3v,1.7v〜1.95v 134-TFBGA(10x11.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS46LD32640B-18BLA2-TR 1 533 MHz 易挥发的 2Gbit 5.5 ns 德拉姆 64m x 32 HSUL_12 15ns
IS42VM32400G-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32400G-6BL-TR -
RFQ
ECAD 6340 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS42VM32400 sdram-移动 1.7V〜1.95V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 2,500 166 MHz 易挥发的 128mbit 5.5 ns 德拉姆 4m x 32 平行线 -
IS43TR16256B-093NBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256B-093NBL -
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ECAD 3183 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS43TR16256 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS43TR16256B-093NBL Ear99 8542.32.0036 190 1.066 GHz 易挥发的 4Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 16 平行线 15ns
IS42S16100C1-7TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100C1-7TI -
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ECAD 9613 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 50-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽) IS42S16100 Sdram 3v〜3.6V 50-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 117 143 MHz 易挥发的 16mbit 5.5 ns 德拉姆 1m x 16 平行线 -
IS49RL36160-093EBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL36160-093EBLI -
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ECAD 8634 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 168-LBGA IS49RL36160 德拉姆 1.28V〜1.42V 168-FBGA((13.5x13.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 119 1.066 GHz 易挥发的 576Mbit 8 ns 德拉姆 16m x 36 平行线 -
IS25LP128F-RMLE-TY ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP128F-RMLE-TY 2.1931
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ECAD 1550 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS25LP128F-RMLE-TY 176 166 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 40µs,800µs
IS49NLC36160A-25WBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC36160A-25WBL 47.1690
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ECAD 1478 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 144-TFBGA rldram 2 1.7V〜1.9V 144-twbga(11x18.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS49NLC36160A-25WBL 104 400 MHz 易挥发的 576Mbit 20 ns 德拉姆 16m x 36 HSTL -
IS43LR16200D-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16200D-6BL-TR 2.5043
RFQ
ECAD 6578 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 60-TFBGA IS43LR16200 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-tfbga(8x10) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 2,000 166 MHz 易挥发的 32Mbit 5.5 ns 德拉姆 2m x 16 平行线 15ns
IS62WV10248EBLL-45TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV10248EBLL-45TLI-TR 4.3887
RFQ
ECAD 1059 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) IS62WV10248 sram-异步 2.2v〜3.6V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 易挥发的 8mbit 45 ns SRAM 1m x 8 平行线 45ns
IS43TR16128AL-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128AL-125KBL -
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ECAD 4333 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 在sic中停产 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-1201 Ear99 8542.32.0036 190 800 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 16 平行线 15ns
IS42S16400D-7TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400D-7TI -
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ECAD 4495 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) IS42S16400 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 108 143 MHz 易挥发的 64mbit 5.4 ns 德拉姆 4m x 16 平行线 -
IS62WV51216EALL-55BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV51216EALL-55BLI-TR 5.0696
RFQ
ECAD 4092 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-VFBGA IS62WV51216 sram-异步 1.65V〜2.2V 48-VFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 易挥发的 8mbit 55 ns SRAM 512k x 16 平行线 55ns
IS62WV12816FBLL-45TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816FBLL-45TLI-TR 1.5749
RFQ
ECAD 4559 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) sram-异步 2.2v〜3.6V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS62WV12816FBLL-45TLI-TR 1,000 易挥发的 2Mbit 45 ns SRAM 128K x 16 平行线 45ns
IS61LV5128AL-10TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV5128AL-10TI -
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ECAD 6195 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) IS61LV5128 sram-异步 3.135v〜3.6V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 135 易挥发的 4Mbit 10 ns SRAM 512k x 8 平行线 10NS
IS43TR16128C-15HBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128C-15HBL 5.5338
RFQ
ECAD 8707 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 190 667 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 16 平行线 15ns
IS61VPS102418A-200B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS102418A-200B3 -
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ECAD 8171 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS61VPS102418 sram-同步,sdr 2.375V〜2.625V 165-TFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 144 200 MHz 易挥发的 18mbit 3.1 ns SRAM 1m x 18 平行线 -
IS42S32200E-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200E-7TLI-TR -
RFQ
ECAD 5495 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) IS42S32200 Sdram 3v〜3.6V 86-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,500 143 MHz 易挥发的 64mbit 5.5 ns 德拉姆 2m x 32 平行线 -
IS61DDP2B21M36A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDP2B21M36A-400M3L 71.5551
RFQ
ECAD 7798 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-LBGA IS61DDP2 sram-同步,ddr iip 1.71V〜1.89V 165-LFBGA(15x17) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0002 105 400 MHz 易挥发的 36mbit SRAM 1m x 36 平行线 -
IS61LV12824-8TQ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV12824-8TQ -
RFQ
ECAD 8306 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP IS61LV12824 sram-异步 3.135v〜3.6V 100-LQFP(14x20) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 72 易挥发的 3Mbit 8 ns SRAM 128K x 24 平行线 8ns
IS42S83200D-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200D-7TL-Tr -
RFQ
ECAD 2201 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) IS42S83200 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,500 143 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 32m x 8 平行线 -
IS43TR16640B-093NBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640B-093NBL-TR -
RFQ
ECAD 4654 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS43TR16640 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS43TR16640B-093NBL-TR Ear99 8542.32.0032 1,500 1.066 GHz 易挥发的 1Gbit 20 ns 德拉姆 64m x 16 平行线 15ns
IS42S16320D-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320D-6TL 12.7725
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ECAD 1647年 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 不适合新设计 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) IS42S16320 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 108 166 MHz 易挥发的 512Mbit 5.4 ns 德拉姆 32m x 16 平行线 -
IS42S32800G-6BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800G-6BI-Tr -
RFQ
ECAD 2215 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS42S32800 Sdram 3v〜3.6V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 2,500 166 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 8m x 32 平行线 -
IS61LPS102418A-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS102418A-200TQLI -
RFQ
ECAD 1554年 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP IS61LPS102418 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 100-LQFP(14x20) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 72 200 MHz 易挥发的 18mbit 3.1 ns SRAM 1m x 18 平行线 -
IS43DR16640C-3DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16640C-3DBLI-TR 4.7803
RFQ
ECAD 4083 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 84-TFBGA IS43DR16640 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA(8x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 2,500 333 MHz 易挥发的 1Gbit 450 ps 德拉姆 64m x 16 平行线 15ns
IS49NLS18320-33BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS18320-33Bli -
RFQ
ECAD 5863 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 144-TFBGA IS49NLS18320 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-FCBGA (11x18.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 104 300 MHz 易挥发的 576Mbit 20 ns 德拉姆 32m x 18 平行线 -
IS42S32200L-5TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200L-5TL-Tr 3.1434
RFQ
ECAD 2080 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) IS42S32200 Sdram 3v〜3.6V 86-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,500 200 MHz 易挥发的 64mbit 4.8 ns 德拉姆 2m x 32 平行线 -
IS43R86400E-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400E-6TLI -
RFQ
ECAD 2593 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) IS43R86400 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 66-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 108 166 MHz 易挥发的 512Mbit 700 ps 德拉姆 64m x 8 平行线 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库