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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
IS61VPD51236A-250B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPD51236A-250B3-Tr -
RFQ
ECAD 5950 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS61VPD51236 sram-四边形端口,同步 2.375V〜2.625V 165-PBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 250 MHz 易挥发的 18mbit 2.6 ns SRAM 512k x 36 平行线 -
IS46DR16160B-3DBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16160B-3DBLA1-Tr 4.9783
RFQ
ECAD 8647 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 84-TFBGA IS46DR16160 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA(8x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 2,500 333 MHz 易挥发的 256Mbit 450 ps 德拉姆 16m x 16 平行线 15ns
IS42S32800D-7BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800D-7BI-TR -
RFQ
ECAD 3307 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS42S32800 Sdram 3v〜3.6V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 2,500 143 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 8m x 32 平行线 -
IS43DR81280B-3DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR81280B-3DBLI-TR 6.6000
RFQ
ECAD 4881 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 60-TFBGA IS43DR81280 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-TWBGA(8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 2,000 333 MHz 易挥发的 1Gbit 450 ps 德拉姆 128m x 8 平行线 15ns
IS25WP256D-RMLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP256D-RMLE-TR 3.8581
RFQ
ECAD 8674 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) IS25WP256 闪光灯 -也不 1.65V〜1.95V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 104 MHz 非易失性 256Mbit 8 ns 闪光 32m x 8 系列 800µs
IS62WV25616BLL-55BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616BLL-55BLI 3.6544
RFQ
ECAD 9452 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFBGA IS62WV25616 sram-异步 2.5V〜3.6V 48-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 480 易挥发的 4Mbit 55 ns SRAM 256K x 16 平行线 55ns
IS25WP128-RGLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP128-RGLE -
RFQ
ECAD 4388 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 24-TBGA IS25WP128 闪光灯 -也不 1.65V〜1.95V 24-tfbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 800µs
IS42S32800J-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800J-6BLI 7.9900
RFQ
ECAD 14 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS42S32800 Sdram 3v〜3.6V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 240 166 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 8m x 32 平行线 -
IS49NLS18320A-25WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS18320A-25WBLI 51.8860
RFQ
ECAD 2482 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 144-TFBGA IS49NLS18320 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-twbga(11x18.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS49NLS18320A-25WBLI 104 400 MHz 易挥发的 576Mbit 20 ns 德拉姆 32m x 18 HSTL -
IS43TR82560D-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560D-107MBLI 5.0700
RFQ
ECAD 1413 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-TWBGA (8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS43TR82560D-107MBLI 242 933 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 8 平行线 15ns
IS43LR32320B-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32320B-6BL-TR 9.5250
RFQ
ECAD 1746年 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 90-LFBGA IS43LR32320 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-LFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 2,500 166 MHz 易挥发的 64mbit 5.5 ns 德拉姆 2m x 32 平行线 15ns
IS42S16320D-6BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320D-6BI -
RFQ
ECAD 6717 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-TFBGA IS42S16320 Sdram 3v〜3.6V 54-TW-BGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS42S16320D-6BI 过时的 240 167 MHz 易挥发的 512Mbit 5.4 ns 德拉姆 32m x 16 平行线 -
IS46LR16320B-6BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LR16320B-6BLA1-TR -
RFQ
ECAD 9225 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 60-TFBGA IS46LR16320 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-tfbga(8x10) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 2,000 166 MHz 易挥发的 512Mbit 5.5 ns 德拉姆 32m x 16 平行线 12ns
IS42S16400J-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400J-6BLI-TR 1.8695
RFQ
ECAD 5817 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-TFBGA IS42S16400 Sdram 3v〜3.6V 54-tfbga(8x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 2,500 166 MHz 易挥发的 64mbit 5.4 ns 德拉姆 4m x 16 平行线 -
IS25LP512M-RMLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP512M-RMLE-TR 7.2750
RFQ
ECAD 9982 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) IS25LP512 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 1.6ms
IS43DR16128B-25EBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16128B-25EBL -
RFQ
ECAD 6042 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 0°C〜85°C(TC) 表面安装 84-TFBGA IS43DR16128 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TW-BGA(10.5x13.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 162 400 MHz 易挥发的 2Gbit 400 ps 德拉姆 128m x 16 平行线 15ns
IS64WV10248EDBLL-10BLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV10248EDBLL-10BLA3 14.9738
RFQ
ECAD 5443 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 48-TFBGA IS64WV10248 sram-异步 2.4v〜3.6V 48-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 480 易挥发的 8mbit 10 ns SRAM 1m x 8 平行线 10NS
IS43DR86400C-25DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400C-25DBL 6.1873
RFQ
ECAD 5652 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 不适合新设计 0°C〜70°C(TA) 表面安装 60-TFBGA IS43DR86400 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-TWBGA(8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 242 400 MHz 易挥发的 512Mbit 400 ps 德拉姆 64m x 8 平行线 15ns
IS43LD16320A-25BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16320A-25BLI-TR 7.2450
RFQ
ECAD 5255 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C 〜85°C(TC) 表面安装 134-TFBGA IS43LD16320 sdram- lpddr2 -S4 1.14v〜1.95v 134-TFBGA(10x11.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 2,000 400 MHz 易挥发的 512Mbit 德拉姆 32m x 16 平行线 15ns
IS43DR16640C-3DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16640C-3DBL-TR 2.8354
RFQ
ECAD 4956 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜85°C(TC) 表面安装 84-TFBGA SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA(8x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS43DR16640C-3DBL-TR 2,500 333 MHz 易挥发的 1Gbit 450 ps 德拉姆 64m x 16 SSTL_18 15ns
IS46LQ32256A-062BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32256A-062BLA1-TR 21.2800
RFQ
ECAD 6620 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 200-tfbga sdram- lpddr4 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V 200-tfbga(10x14.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS46LQ32256A-062BLA1-TR 2,500 1.6 GHz 易挥发的 8Gbit 3.5 ns 德拉姆 256m x 32 lvstl 18NS
IS61LF25636B-7.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF25636B-7.5TQLI-Tr 11.4000
RFQ
ECAD 2079 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP IS61LF25636 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 100-LQFP(14x20) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 800 117 MHz 易挥发的 9Mbit 7.5 ns SRAM 256K x 36 平行线 -
IS42S16160D-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160D-6BLI -
RFQ
ECAD 3237 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-TFBGA IS42S16160 Sdram 3v〜3.6V 54-TW-BGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 240 166 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 -
IS43LD32320C-25BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32320C-25BL -
RFQ
ECAD 7169 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 0°C〜85°C(TC) IS43LD32320 sdram- lpddr2 -S4 1.14v〜1.95v 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 171 400 MHz 易挥发的 1Gbit 德拉姆 32m x 32 平行线 15ns
IS61NLP51236B-200B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP51236B-200B3I -
RFQ
ECAD 7731 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS61NLP51236 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 165-TFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS61NLP51236B-200B3I 过时的 144 200 MHz 易挥发的 18mbit 3 ns SRAM 512k x 36 平行线 -
IS42S16160D-7TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160D-7TLI -
RFQ
ECAD 2436 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) IS42S16160 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 108 143 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 -
IS61NVF102418-6.5B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVF102418-6.5B3I-Tr -
RFQ
ECAD 7255 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS61NVF102418 sram-同步,sdr 2.375V〜2.625V 165-TFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 133 MHz 易挥发的 18mbit 6.5 ns SRAM 1m x 18 平行线 -
IS46TR16640ED-125KBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640ED-125KBLA2 9.0150
RFQ
ECAD 9964 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 大部分 积极的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 96-TFBGA SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA(9x13) - rohs3符合条件 3(168)) 706-IS46TR16640ED-125KBLA2 190 800 MHz 易挥发的 1Gbit 20 ns 德拉姆 64m x 16 SSTL_15 15ns
IS42S32800J-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800J-6TLI-TR 5.8004
RFQ
ECAD 7390 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) IS42S32800 Sdram 3v〜3.6V 86-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,500 166 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 8m x 32 平行线 -
IS43TR16512BL-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512BL-107MBLI 27.6200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS43TR16512 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA(10x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS43TR16512BL-107MBLI Ear99 8542.32.0036 136 933 MHz 易挥发的 8Gbit 20 ns 德拉姆 512m x 16 平行线 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库