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（ICS）（5782）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
IS61WV25616EDBLL-8TLI-TR	4.1029	RFQ	2134	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS61WV25616	sram-异步	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	4Mbit	8 ns	SRAM	256K x 16	平行线	8ns
IS43LD32128C-18BPLI	12.7378	RFQ	2568	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的								下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43LD32128C-18BPLI	Ear99	8542.32.0036	168
IS25WE256E-RMLE-TY	4.8475	RFQ	9399	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）		闪光灯 -也不	1.7V〜1.95V	16-Soic	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS25WE256E-RMLE-TY			176	166 MHz	非易失性	256Mbit		闪光	32m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	50µs，2ms
IS46R16320E-6TLA2	9.1584	RFQ	3886	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	不适合新设计	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS46R16320	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	108	166 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
IS43LD32128A-18BPLI	-	RFQ	8018	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	168-VFBGA	IS43LD32128	sdram- lpddr2 -S4	1.14v〜1.3v，1.7v〜1.95v	168-VFBGA（12x12）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43LD32128A-18BPLI	过时的		1	533 MHz	易挥发的	4Gbit	5.5 ns	德拉姆	128m x 32	HSUL_12	15ns
IS64WV51216EEBLL-10CT2LA3-TR	11.3050	RFQ	6702	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）		sram-异步	2.4v〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））		706-IS64WV51216EEBLL-10CT2LA3-TR			1,500		易挥发的	8mbit	10 ns	SRAM	512k x 16	平行线	10NS
IS64LPS12836EC-200TQLA3	8.3332	RFQ	7104	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	100-LQFP		sram-标准	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS64LPS12836EC-200TQLA3			72	200 MHz	易挥发的	4Mbit	3.1 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
IS49NLS18160A-25EWBLI	31.9177	RFQ	1852年	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	144-TFBGA		rldram 2	1.7V〜1.9V	144-twbga（11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS49NLS18160A-25EWBLI			104	400 MHz	易挥发的	288Mbit	15 ns	德拉姆	16m x 18	HSTL	-
IS62WV6416FBLL-45TLI-TR	1.5055	RFQ	8612	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）		sram-异步	2.2v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS62WV6416FBLL-45TLI-TR			1,000		易挥发的	1Mbit	45 ns	SRAM	64k x 16	平行线	45ns
IS43LQ16256AL-062TBLI-TR	11.7306	RFQ	4426	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4x	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-tfbga（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43LQ16256AL-062TBLI-TR			2,500	1.6 GHz	易挥发的	4Gbit		德拉姆	256m x 16	lvstl	-
IS45S32400F-6BLA1-Tr	6.3600	RFQ	1582	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS45S32400	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500	166 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 32	平行线	-
IS42S32400F-6TL-Tr	4.0698	RFQ	1751年	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS42S32400	Sdram	3v〜3.6V	86-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,500	166 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 32	平行线	-
IS43LD32128C-25BPL	-	RFQ	6251	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的								下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43LD32128C-25BPL	Ear99	8542.32.0036	1
IS43TR16256B-093NBL-TR	-	RFQ	4969	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS43TR16256	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43TR16256B-093NBL-TR	Ear99	8542.32.0036	1,500	1.066 GHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	15ns
IS43DR81280C-25DBL-TR	3.0653	RFQ	2086	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	60-TFBGA		SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-TWBGA（8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43DR81280C-25DBL-TR			2,000	400 MHz	易挥发的	1Gbit	400 ps	德拉姆	128m x 8	SSTL_18	15ns
IS43R16320D-6TLI-Tr	7.5000	RFQ	7444	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS43R16320	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	1,500	166 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
IS25WP128F-JBLA3	2.5122	RFQ	1675年	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）		闪存-SLC）	1.65V〜1.95V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS25WP128F-JBLA3			90	166 MHz	非易失性	128mbit	5.5 ns	闪光	16m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	40µs，800µs
IS42S32160F-7BLI-TR	12.3000	RFQ	3633	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42S32160	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	2,500	143 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 32	平行线	-
IS49NLS18320A-18WBL	52.0065	RFQ	5567	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	144-TFBGA		rldram 2	1.7V〜1.9V	144-twbga（11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS49NLS18320A-18WBL			104	533 MHz	易挥发的	576Mbit	15 ns	德拉姆	32m x 18	HSTL	-
IS61WV51216EEALL-20BLI-TR	6.7253	RFQ	6335	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA		sram-异步	1.65V〜2.2V	48-Minibga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS61WV51216EEALL-20BLI-TR			2,500		易挥发的	8mbit	20 ns	SRAM	512k x 16	平行线	20NS
IS43R32160D-5BLI	-	RFQ	1125	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	144-LFBGA	IS43R32160	sdram -ddr	2.5v〜2.7V	144-LFBGA（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	189	200 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	16m x 32	平行线	15ns
IS43TR81280CL-107MBLI-TR	3.6477	RFQ	6997	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-TWBGA （8x10.5）	-	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43TR81280CL-107MBLI-TR			2,000	933 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
IS31BL3556-ZLS4	-	RFQ	2826	ISSI，综合硅解决方案	*	管子	过时的				IS31BL3556				-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	70
IS42S86400F-6TLI	13.0430	RFQ	3750	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S86400	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	108	166 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	64m x 8	平行线	-
IS25WP512M-RMLA3-Tr	8.1172	RFQ	6348	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）		闪存-SLC）	1.7V〜1.95V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS25WP512M-RMLA3-Tr			1,000	112 MHz	非易失性	512Mbit	7.5 ns	闪光	64m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	50µs，1ms
IS46LQ32256AL-062BLA1	22.5750	RFQ	2389	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4x	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-tfbga（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46LQ32256AL-062BLA1			136	1.6 GHz	易挥发的	8Gbit	3.5 ns	德拉姆	256m x 32	lvstl	18NS
IS61DDB22M18C-250M3	-	RFQ	5643	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	IS61DDB22	Sram-同步，DDR II	1.71V〜1.89V	165-LFBGA（15x17）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105	250 MHz	易挥发的	36mbit	8.4 ns	SRAM	2m x 18	平行线	-
IS43R16160D-5BL	5.5581	RFQ	7725	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	不适合新设计	0°C〜70°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS43R16160	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	60-tfbga（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	190	200 MHz	易挥发的	256Mbit	700 ps	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
IS61NLP25636A-200B2LI-TR	-	RFQ	2809	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	119-BBGA	IS61NLP25636	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000	200 MHz	易挥发的	9Mbit	3.1 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
IS25LQ025B-jdle	-	RFQ	4114	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	IS25LQ025	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	100	104 MHz	非易失性	256kbit		闪光	32K x 8	Spi -Quad I/O。	800µs

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS）（5782）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²