RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

（ICS）（5782）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	频率	技术	电压 -输入（最大）	输出类型	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	功能	电流 -输出 /通道	时钟频率	输出数量	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	内部开关	拓扑	频率 -切换	电压 -电源（最大）	输出配置	同步整流器	电流 -输出	昏暗	电压 -电源（最小）	电压 -输出	电压 -输出（最小/固定）	电压 -输出（最大）	电压 -输入（最小）
IS46QR16512A-075VBLA1	21.4870	RFQ	7873	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜95°C（TC）		表面安装	96-TFBGA				SDRAM -DDR4			1.14v〜1.26v	96-TWBGA（10x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46QR16512A-075VBLA1			136			1.333 GHz		易挥发的	8Gbit	18 ns	德拉姆	512m x 16	平行线	15ns
IS43LR16640C-6BL	7.5798	RFQ	2636	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）		表面安装	60-TFBGA				sdram- lpddr			1.7V〜1.95V	60-tfbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43LR16640C-6BL			300			166 MHz		易挥发的	1Gbit	5 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS43LD16640C-18Bli-Tr	8.4000	RFQ	4711	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）		表面安装	134-TFBGA		IS43LD16640		sdram- lpddr2 -S4			1.14v〜1.95v	134-TFBGA（10x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	2,000			533 MHz		易挥发的	1Gbit		德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS31PM7212-SLS2-TR	-	RFQ	5747	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）		表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）					5.5V	可调节的		8-msop	-		3（168））					2,500	加速			1									促进	400kHz		积极的	不	-				10V	76V	2.8V
IS32LT3140B-GRLA3-TR	-	RFQ	4250	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TA）	汽车，照明	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	线性		-					8-SOP-EP	下载		3（168））					2,500		450mA		1								是的	恒定电流		40V				PWM	4.5V	-
IS61QDB22M18C-250M3LI	-	RFQ	7287	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）		表面安装	165-LBGA		IS61QDB22		sram-同步，四边形			1.71V〜1.89V	165-LFBGA（15x17）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105			250 MHz		易挥发的	36mbit	8.4 ns	SRAM	2m x 18	平行线	-
IS31PM7212-DLS2-TR	-	RFQ	1138	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）		表面安装	8-WDFN暴露垫					5.5V	可调节的		8-DFN （3x3）	-		3（168））					3,000	加速			1									促进	400kHz		积极的	不	-				10V	76V	2.8V
IS43LQ32640A-062BLI-TR	-	RFQ	3791	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）		表面安装	200-VFBGA				sdram- lpddr4			1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-VFBGA（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43LQ32640A-062BLI-TR			2,500			1.6 GHz		易挥发的	2Gbit	3.5 ns	德拉姆	64m x 32	lvstl	18NS
IS42RM16160K-75BLI	5.6950	RFQ	6076	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）		表面安装	54-TFBGA		IS42RM16160		sdram-移动			2.3V〜3V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	348			133 MHz		易挥发的	256Mbit	6 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	-
IS25WX512M-JHLA3	8.7000	RFQ	8138	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TA）		表面安装	24-TBGA		IS25WX512M		闪光			1.7V〜2V	24-tfbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS25WX512M-JHLA3	3A991B1A	8542.32.0071	480			200 MHz		非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	spi -octal I/o	-
IS64C6416AL-15TLA3-TR	3.5570	RFQ	3215	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）		表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）		IS64C6416		sram-异步			4.5V〜5.5V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	1,000					易挥发的	1Mbit	15 ns	SRAM	64k x 16	平行线	15ns
IS61WV25616EFBLL-10BLI	2.3678	RFQ	1047	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）		表面安装	48-TFBGA				sram-异步			2.4v〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	-	rohs3符合条件	3（168））		706-IS61WV25616EFBLL-10BLI			480					易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	256K x 16	平行线	10NS
IS45S32400F-7TLA1-Tr	5.2853	RFQ	3001	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）		表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）		IS45S32400		Sdram			3v〜3.6V	86-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,500			143 MHz		易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 32	平行线	-
IS49RL18640-093EBLI	129.6426	RFQ	9103	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜95°C（TC）		表面安装	168-LBGA				rldram 3			1.28V〜1.42V	168-FBGA（（13.5x13.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS49RL18640-093EBLI			119			1.066 GHz		易挥发的	1.152Gbit	8 ns	德拉姆	64m x 18	平行线	-
IS42S83200G-6TL	5.6461	RFQ	3031	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	不适合新设计	0°C〜70°C（TA）		表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）		IS42S83200		Sdram			3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	108			166 MHz		易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 8	平行线	-
IS49NLC36800A-18WBLI	33.5439	RFQ	4103	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）		表面安装	144-TFBGA				rldram 2			1.7V〜1.9V	144-twbga（11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS49NLC36800A-18WBLI			104			533 MHz		易挥发的	288Mbit	15 ns	德拉姆	8m x 36	HSTL	-
IS49NLC36160A-18WBL	52.0065	RFQ	3285	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	0°C〜95°C（TC）		表面安装	144-TFBGA				rldram 2			1.7V〜1.9V	144-twbga（11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS49NLC36160A-18WBL			104			533 MHz		易挥发的	576Mbit	15 ns	德拉姆	16m x 36	HSTL	-
IS49RL36160-093EBL	-	RFQ	1063	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）		表面安装	168-LBGA		IS49RL36160		德拉姆			1.28V〜1.42V	168-FBGA（（13.5x13.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	119			1.066 GHz		易挥发的	576Mbit	8 ns	德拉姆	16m x 36	平行线	-
IS25LQ080-JVLE	-	RFQ	1545年	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	在sic中停产	-40°C〜105°C（TA）		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		IS25LQ080		闪光灯 -也不			2.3v〜3.6V	8-VVSOP	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	100			104 MHz		非易失性	8mbit		闪光	1m x 8	Spi -Quad I/O。	1ms
IS49NLS18320A-18WBL	52.0065	RFQ	5567	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	0°C〜95°C（TC）		表面安装	144-TFBGA				rldram 2			1.7V〜1.9V	144-twbga（11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS49NLS18320A-18WBL			104			533 MHz		易挥发的	576Mbit	15 ns	德拉姆	32m x 18	HSTL	-
IS43TR82560C-125KBL	4.3481	RFQ	9979	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	0°C〜95°C（TC）		表面安装	78-TFBGA				SDRAM -DDR3			1.425V〜1.575V	78-TWBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43TR82560C-125KBL			242			800 MHz		易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 8	平行线	15ns
IS43R32160D-5BLI	-	RFQ	1125	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）		表面安装	144-LFBGA		IS43R32160		sdram -ddr			2.5v〜2.7V	144-LFBGA（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	189			200 MHz		易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	16m x 32	平行线	15ns
IS43LR16200C-6BLI-TR	-	RFQ	4233	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）		表面安装	60-TFBGA		IS43LR16200		sdram- lpddr			1.7V〜1.95V	60-tfbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,000			166 MHz		易挥发的	32Mbit	5.5 ns	德拉姆	2m x 16	平行线	12ns
IS64LPS25636A-166TQLA3-TR	20.2500	RFQ	8056	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）		表面安装	100-LQFP		IS64LPS25636		sram-同步，sdr			3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	800			166 MHz		易挥发的	9Mbit	3.5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
IS61WV51216EEALL-20BLI-TR	6.7253	RFQ	6335	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）		表面安装	48-TFBGA				sram-异步			1.65V〜2.2V	48-Minibga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS61WV51216EEALL-20BLI-TR			2,500					易挥发的	8mbit	20 ns	SRAM	512k x 16	平行线	20NS
IS43TR81280CL-107MBLI-TR	3.6477	RFQ	6997	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）		表面安装	78-TFBGA				SDRAM -DDR3L			1.283V〜1.45V	78-TWBGA （8x10.5）	-	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43TR81280CL-107MBLI-TR			2,000			933 MHz		易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
IS31BL3556-ZLS4	-	RFQ	2826	ISSI，综合硅解决方案	*	管子	过时的						IS31BL3556							-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	70
IS42S86400F-6TLI	13.0430	RFQ	3750	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）		表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）		IS42S86400		Sdram			3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	108			166 MHz		易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	64m x 8	平行线	-
IS61DDB22M18C-250M3	-	RFQ	5643	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）		表面安装	165-LBGA		IS61DDB22		Sram-同步，DDR II			1.71V〜1.89V	165-LFBGA（15x17）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105			250 MHz		易挥发的	36mbit	8.4 ns	SRAM	2m x 18	平行线	-
IS25WP512M-RMLA3-Tr	8.1172	RFQ	6348	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）		表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）				闪存-SLC）			1.7V〜1.95V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS25WP512M-RMLA3-Tr			1,000			112 MHz		非易失性	512Mbit	7.5 ns	闪光	64m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	50µs，1ms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS）（5782）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²