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（ICS）（5782）

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IS46LD32128B-18BPLA1	-	RFQ	1401	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	168-VFBGA	IS46LD32128	sdram- lpddr2 -S4	1.14v〜1.3v，1.7v〜1.95v	168-VFBGA（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS46LD32128B-18BPLA1	Ear99	8542.32.0036	1	533 MHz	易挥发的	4Gbit	5.5 ns	德拉姆	128m x 32	HSUL_12	15ns
IS43DR86400E-25DBL-TR	2.4369	RFQ	5920	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	60-TFBGA		SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-TWBGA（8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43DR86400E-25DBL-TR			2,000	400 MHz	易挥发的	512Mbit	400 ps	德拉姆	64m x 8	SSTL_18	15ns
IS25LE512M-RMLE-TR	7.2904	RFQ	9868	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）		闪存-SLC）	2.3v〜3.6V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS25LE512M-RMLE-TR			1,000	133 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	50µs，1ms
IS46TR16640BL-125KBLA1-TR	-	RFQ	5778	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS46TR16640	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS46TR16640BL-125KBLA1-TR	Ear99	8542.32.0032	1,500	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS42SM32200K-75BLI	-	RFQ	9372	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42SM32200	sdram-移动	2.7V〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	240	133 MHz	易挥发的	64mbit	6 ns	德拉姆	2m x 32	平行线	-
IS43LR16200C-6BLI	-	RFQ	1097	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS43LR16200	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-tfbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	240	166 MHz	易挥发的	32Mbit	5.5 ns	德拉姆	2m x 16	平行线	12ns
IS49NLC36160A-18WBLI	57.2059	RFQ	8810	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	144-TFBGA		rldram 2	1.7V〜1.9V	144-twbga（11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS49NLC36160A-18WBLI			104	533 MHz	易挥发的	576Mbit	15 ns	德拉姆	16m x 36	HSTL	-
IS61VPS102418A-250B3	-	RFQ	2970	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61VPS102418	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	144	250 MHz	易挥发的	18mbit	2.6 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
IS34ML02G081-TLI-TR	4.3745	RFQ	3170	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）		Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	48-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS34ML02G081-TLI-TR			1,500		非易失性	2Gbit	20 ns	闪光	256m x 8	平行线	25ns
IS49NLS96400A-18WBL	52.0065	RFQ	7725	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	144-TFBGA	IS49NLS96400	rldram 2	1.7V〜1.9V	144-twbga（11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS49NLS96400A-18WBL			104	533 MHz	易挥发的	576Mbit	15 ns	德拉姆	64m x 9	HSTL	-
IS43QR85120B-075BUBL-TR	8.9376	RFQ	2602	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-TWBGA（10x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43QR85120B-075BUBL-TR			2,000	1.333 GHz	易挥发的	4Gbit	19 ns	德拉姆	512m x 8	荚	15ns
IS25WE256E-RHA3	5.0440	RFQ	2379	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	24-TBGA		闪存-SLC）	1.7V〜1.95V	24-tfbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS25WE256E-RHLA3			480	166 MHz	非易失性	256Mbit	5.5 ns	闪光	32m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	50µs，1ms
IS43LR16160H-6BL-TR	4.2766	RFQ	8478	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	60-TFBGA		sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-tfbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43LR16160H-6BL-TR			2,000	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5.5 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
IS43QR16256B-075BUBL	9.8635	RFQ	4449	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-TWBGA（7.5x13.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43QR16256B-075BUBL			198	1.333 GHz	易挥发的	4Gbit	19 ns	德拉姆	256m x 16	荚	15ns
IS61WV204816ALL-12TLI	19.6549	RFQ	5064	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）		sram-异步	1.65V〜2.2V	48-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS61WV204816ALL-12TLI			96		易挥发的	32Mbit	12 ns	SRAM	2m x 16	平行线	12ns
IS61QDPB42M36A1-550M3L	-	RFQ	1529年	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	IS61QDPB42	sram-四边形端口，同步	1.71V〜1.89V	165-LFBGA（15x17）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105	550 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	2m x 36	平行线	-
IS45S32800D-7TLA1	-	RFQ	4527	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS45S32400	Sdram	3v〜3.6V	86-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	108	143 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 8	平行线	-
IS25LD020-JNLE	-	RFQ	4825	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IS25LD020	闪光	2.3v〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	100	100 MHz	非易失性	2Mbit		闪光	256K x 8	spi	5ms
IS43LR16320B-6BL-TR	-	RFQ	2955	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS43LR16320	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-tfbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	2,000	166 MHz	易挥发的	512Mbit	5.5 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	12ns
IS43R86400F-6TL	3.3825	RFQ	5058	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）		sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43R86400F-6TL			108	167 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	64m x 8	sstl_2	15ns
IS43TR16256ECL-125LB2LI	-	RFQ	7982	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C	表面安装	96-BGA		SDRAM -DDR3L	-	96-BGA	-	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43TR16256ECL-125LB2LI			136	800 MHz	易挥发的	4Gbit		德拉姆	256m x 16	平行线	-
IS62C5128EL-45QLI-TR	3.2532	RFQ	7568	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-SOIC （0.445“，11.30mm宽度）		sram-异步	4.5V〜5.5V	32 SOP	-	rohs3符合条件	3（168））		706-IS62C5128EL-45QLI-TR			1,000		易挥发的	4Mbit	45 ns	SRAM	512k x 8	平行线	45ns
IS42S32800D-75ETL-TR	-	RFQ	2004	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS42S32800	Sdram	3v〜3.6V	86-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,500	133 MHz	易挥发的	256Mbit	5.5 ns	德拉姆	8m x 32	平行线	-
IS25WP512M-RHLE-Tr	6.6426	RFQ	6953	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	24-TBGA		闪存-SLC）	1.7V〜1.95V	24-tfbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS25WP512M-RHLE-Tr			2,500	112 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	50µs，1ms
IS25LX064-JHLE-TR	1.9290	RFQ	3481	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	24-TBGA	IS25LX064	闪光	2.7V〜3.6V	24-tfbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS25LX064-JHLE-TR	3A991B1A	8542.32.0071	2,500	133 MHz	非易失性	64mbit		闪光	8m x 8	spi -octal I/o	-
IS45S16800F-6BLA1	5.3796	RFQ	1169	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS45S16800	Sdram	3v〜3.6V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	348	166 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	-
IS46TR16640ED-125KBLA3	-	RFQ	8837	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	-	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46TR16640ED-125KBLA3			190	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	SSTL_15	15ns
IS43LQ32128A-062BLI-TR	-	RFQ	5609	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-VFBGA		sdram- lpddr4	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-VFBGA（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43LQ32128A-062BLI-TR			2,500	1.6 GHz	易挥发的	4Gbit		德拉姆	128m x 32	lvstl	-
IS43QR81024A-083TBLI	19.4204	RFQ	8708	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-TWBGA（10x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43QR81024A-083TBLI			136	1.2 GHz	易挥发的	8Gbit	18 ns	德拉姆	1G x 8	平行线	15ns
IS61VPS25618A-200B3I	-	RFQ	9165	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61VPS25618	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	144	200 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.1 ns	SRAM	256K x 18	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS）（5782）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²