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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
IS62WV12816BLL-55TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816BLL-55TLI-TR 2.8500
RFQ
ECAD 593 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) IS62WV12816 sram-异步 2.5V〜3.6V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 易挥发的 2Mbit 55 ns SRAM 128K x 16 平行线 55ns
IS43DR16640B-3DBI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16640B-3DBI-Tr -
RFQ
ECAD 2669 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 84-TFBGA IS43DR16640 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA(8x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 2,500 333 MHz 易挥发的 1Gbit 450 ps 德拉姆 64m x 16 平行线 15ns
IS42S32800D-7TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800D-7TLI -
RFQ
ECAD 1289 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) IS42S32800 Sdram 3v〜3.6V 86-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 108 143 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 8m x 32 平行线 -
IS61QDP2B451236A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDP2B451236A-400M3L 68.9309
RFQ
ECAD 2435 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-LBGA IS61QDP2 sram-同步,Quadp 1.71V〜1.89V 165-LFBGA(15x17) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 105 400 MHz 易挥发的 18mbit 8.4 ns SRAM 512k x 36 平行线 -
IS43TR16256A-15HBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256A-15HBL-Tr -
RFQ
ECAD 4258 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS43TR16256 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,500 667 MHz 易挥发的 4Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 16 平行线 15ns
IS41LV16100C-50TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16100C-50TLI-TR -
RFQ
ECAD 5853 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) IS41LV16100 戏剧性 3v〜3.6V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,000 易挥发的 16mbit 25 ns 德拉姆 1m x 16 平行线 -
IS46TR16128C-125KBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128C-125KBLA2-TR 7.0974
RFQ
ECAD 3169 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,500 800 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 16 平行线 15ns
IS25LQ016-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ016-JBLE -
RFQ
ECAD 8526 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) IS25LQ016 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 90 104 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 2ms
IS21ES08GA-JQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21ES08GA-JQLI-TR 17.6800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LBGA IS21ES08 Flash -nand (MLC) 2.7V〜3.6V 100-LFBGA(14x18) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 非易失性 64Gbit 闪光 8g x 8 EMMC -
IS42S83200J-7BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200J-7BLI-TR -
RFQ
ECAD 1992 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-TFBGA IS42S83200 Sdram 3v〜3.6V 54-tfbga(8x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 2,500 143 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 32m x 8 平行线 -
IS61LPS12836EC-200B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS12836EC-200B3I -
RFQ
ECAD 5766 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS61LPS12836 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 165-TFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS61LPS12836EC-200B3I 过时的 144 200 MHz 易挥发的 4Mbit 3.1 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
IS43TR16128D-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128D-125KBLI 6.2000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-1721 Ear99 8542.32.0036 190 800 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 16 平行线 15ns
IS42S32200L-7TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200L-7TLI 3.9736
RFQ
ECAD 6269 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) IS42S32200 Sdram 3v〜3.6V 86-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 108 143 MHz 易挥发的 64mbit 5.4 ns 德拉姆 2m x 32 平行线 -
IS61QDPB42M36A-550M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB42M36A-550M3L -
RFQ
ECAD 6448 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-LBGA IS61QDPB42 sram-四边形端口,同步 1.71V〜1.89V 165-LFBGA(15x17) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 105 550 MHz 易挥发的 72Mbit SRAM 2m x 36 平行线 -
IS46R16320E-6TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16320E-6TLA1 7.7657
RFQ
ECAD 3421 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 不适合新设计 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) IS46R16320 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 66-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 108 166 MHz 易挥发的 512Mbit 700 ps 德拉姆 32m x 16 平行线 15ns
IS42SM16160D-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM16160D-7TL -
RFQ
ECAD 1416 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 在sic中停产 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-TFBGA IS42SM16160 sdram-移动 3v〜3.6V 54-tfbga(8x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 348 143 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 -
IS43LR32320B-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32320B-6BLI-TR 10.5000
RFQ
ECAD 7385 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-LFBGA IS43LR32320 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-LFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 2,500 166 MHz 易挥发的 64mbit 5.5 ns 德拉姆 2m x 32 平行线 15ns
IS66WVO8M8DALL-200BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVO8M8DALL-200BLI 4.7200
RFQ
ECAD 35 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 24-TBGA IS66WVO8M8 PSRAM (伪 SRAM) 1.7V〜1.95V 24-tfbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS66WVO8M8DALL-200BLI 3A991B2A 8542.32.0041 480 200 MHz 易挥发的 64mbit PSRAM 8m x 8 spi -octal I/o 40ns
IS25WQ020-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WQ020-JNLE -
RFQ
ECAD 4837 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 管子 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) IS25WQ020 闪光灯 -也不 1.65V〜1.95V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 100 104 MHz 非易失性 2Mbit 闪光 256K x 8 spi 1ms
IS42S32160D-6BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160D-6BI-Tr -
RFQ
ECAD 1246 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS42S32160 Sdram 3v〜3.6V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 2,500 166 MHz 易挥发的 512Mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 32 平行线 -
IS45S16100C1-7TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16100C1-7TLA1-Tr -
RFQ
ECAD 2626 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 50-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽) IS45S16100 Sdram 3v〜3.6V 50-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,000 143 MHz 易挥发的 16mbit 5.5 ns 德拉姆 1m x 16 平行线 -
IS43DR86400C-3DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400C-3DBLI-TR 5.9250
RFQ
ECAD 2291 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 60-TFBGA IS43DR86400 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-TWBGA(8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 2,000 333 MHz 易挥发的 512Mbit 450 ps 德拉姆 64m x 8 平行线 15ns
IS49NLC18160A-25WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC18160A-25WBLI 30.5534
RFQ
ECAD 2156 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 144-TFBGA rldram 2 1.7V〜1.9V 144-twbga(11x18.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS49NLC18160A-25WBLI 104 400 MHz 易挥发的 288Mbit 20 ns 德拉姆 16m x 18 HSTL -
IS25CD512-JULE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25CD512-JULE-TR -
RFQ
ECAD 8749 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-UFDFN暴露垫 IS25CD512 闪光 2.7V〜3.6V 8-uson(2x3) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 5,000 100 MHz 非易失性 512kbit 闪光 64k x 8 spi 5ms
IS61DDP2B451236A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDP2B451236A-400M3L 44.1540
RFQ
ECAD 8444 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-LBGA IS61DDP2 sram-同步,ddr iip 1.71V〜1.89V 165-LFBGA(15x17) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0002 105 400 MHz 易挥发的 18mbit SRAM 512k x 36 平行线 -
IS61C25616AL-10KLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C25616AL-10KLI-TR 3.5320
RFQ
ECAD 4057 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) IS61C25616 sram-异步 4.5V〜5.5V 44-SOJ 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 800 易挥发的 4Mbit 10 ns SRAM 256K x 16 平行线 10NS
IS61NVP102418-200B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVP102418-200B3I-Tr -
RFQ
ECAD 4857 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS61NVP102418 sram-同步,sdr 2.375V〜2.625V 165-TFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 200 MHz 易挥发的 18mbit 3.1 ns SRAM 1m x 18 平行线 -
IS43TR81280B-125JBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81280B-125JBLI-TR -
RFQ
ECAD 3210 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA IS43TR81280 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-TWBGA (8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 2,000 800 MHz 易挥发的 1Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 8 平行线 15ns
IS43TR81280B-125JBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81280B-125JBLI -
RFQ
ECAD 7418 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA IS43TR81280 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-TWBGA (8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 242 800 MHz 易挥发的 1Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 8 平行线 15ns
IS42S32400D-7T ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400D-7T -
RFQ
ECAD 3682 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 在sic中停产 0°C〜70°C(TA) 表面安装 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) IS42S32400 Sdram 3v〜3.6V 86-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 108 143 MHz 易挥发的 128mbit 5.4 ns 德拉姆 4m x 32 平行线 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

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