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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 频率 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电流 -输出 /通道 | 时钟频率 | 输出数量 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | 内部开关 | 拓扑 | 电压 -电源(最大) | 昏暗 | 电压 -电源(最小) | 电压 -输出 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS46TR16640B-15GBLA25 | - | ![]() | 5943 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜115°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | IS46TR16640 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA(9x13) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS46TR16640B-15GBLA25 | Ear99 | 8542.32.0032 | 190 | 667 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 64m x 16 | 平行线 | 15ns | ||||||||||||
![]() | IS25WP064D-RHLA3-Tr | 1.7350 | ![]() | 4764 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | 闪存-SLC) | 1.65V〜1.95V | 24-tfbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS25WP064D-RHLA3-Tr | 2,500 | 166 MHz | 非易失性 | 64mbit | 5.5 ns | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 40µs,800µs | ||||||||||||||||
![]() | IS61NLP25672-200B1I-Tr | - | ![]() | 6836 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 209-BGA | IS61NLP25672 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 209-LFBGA(14x22) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 200 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 3.1 ns | SRAM | 256K x 72 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS42S16100C1-7TL | - | ![]() | 1216 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 50-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽) | IS42S16100 | Sdram | 3v〜3.6V | 50-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 117 | 143 MHz | 易挥发的 | 16mbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 1m x 16 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS61WV10248EEBLL-10B2LI-TR | 6.4497 | ![]() | 9540 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | sram-异步 | 2.4v〜3.6V | 48-TFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS61WV10248EEBLL-10B2LI-TR | 2,500 | 易挥发的 | 8mbit | 10 ns | SRAM | 1m x 8 | 平行线 | 10NS | |||||||||||||||||
![]() | IS46TR16640ED-15HBLA2-TR | 8.0208 | ![]() | 8397 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA(9x13) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS46TR16640ED-15HBLA2-TR | 1,500 | 667 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 64m x 16 | SSTL_15 | 15ns | ||||||||||||||||
![]() | IS22TF64G-JQLA1 | 50.8542 | ![]() | 4252 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LBGA | Flash -nand(tlc) | 2.7V〜3.6V | 100-LFBGA(14x18) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS22TF64G-JQLA1 | 98 | 200 MHz | 非易失性 | 512Gbit | 闪光 | 64g x 8 | EMMC_5.1 | - | |||||||||||||||||
![]() | IS43LR16128B-5BLI | 9.8204 | ![]() | 5191 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 60-TFBGA | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-tfbga(8x10) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS43LR16128B-5BLI | 300 | 208 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 5 ns | 德拉姆 | 128m x 16 | 平行线 | 15ns | ||||||||||||||||
![]() | IS25LP064D-RMLE | - | ![]() | 1746年 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | 闪光灯 -也不 | 2.3v〜3.6V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS25LP064D-RMLE | 过时的 | 1 | 166 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 40µs,800µs | |||||||||||||||
![]() | IS46TR16640BL-125JBLA25-TR | - | ![]() | 8310 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜115°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | IS46TR16640 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA(9x13) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS46TR16640BL-125JBLA25-TR | Ear99 | 8542.32.0032 | 1,500 | 800 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 64m x 16 | 平行线 | 15ns | ||||||||||||
![]() | IS43QR8K02S2A-083TBL-TR | 39.1020 | ![]() | 5572 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | * | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS43QR8K02S2A-083TBL-TR | 2,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IS22TF32G-JCLA1 | 37.0720 | ![]() | 1168 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 153-VFBGA | Flash -nand(tlc) | 2.7V〜3.6V | 153-VFBGA(11.5x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS22TF32G-JCLA1 | 152 | 200 MHz | 非易失性 | 256Gbit | 闪光 | 32g x 8 | EMMC_5.1 | - | |||||||||||||||||
![]() | IS29GL256-70FLEB-TR | 5.0853 | ![]() | 6208 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 64-LBGA | 闪存-SLC) | 3v〜3.6V | 64-LFBGA(11x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS29GL256-70FLEB-TR | 2,000 | 非易失性 | 256Mbit | 70 ns | 闪光 | 32m x 8 | CFI | 70ns,200µs | |||||||||||||||||
![]() | IS61NVF51236B-6.5B3LI-Tr | 15.2600 | ![]() | 8281 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | IS61NVF51236 | sram-同步,sdr | 2.375V〜2.625V | 165-TFBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 133 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 6.5 ns | SRAM | 512k x 36 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS61WV102416EDALL-12TLI-TR | 10.9725 | ![]() | 2802 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | sram-异步 | 1.65V〜2.2V | 48-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS61WV102416EDALL-12TLI-TR | 1,500 | 易挥发的 | 16mbit | 12 ns | SRAM | 1m x 16 | 平行线 | 12ns | |||||||||||||||||
![]() | IS49NLC93200A-18WBLI | 33.5439 | ![]() | 8665 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 144-TFBGA | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-twbga(11x18.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS49NLC93200A-18WBLI | 104 | 533 MHz | 易挥发的 | 288Mbit | 15 ns | 德拉姆 | 32m x 9 | HSTL | - | |||||||||||||||
![]() | IS49NLC18320A-25WBLI | 51.8860 | ![]() | 5967 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 144-TFBGA | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-twbga(11x18.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS49NLC18320A-25WBLI | 104 | 400 MHz | 易挥发的 | 576Mbit | 20 ns | 德拉姆 | 32m x 18 | HSTL | - | |||||||||||||||
![]() | IS46LD32640C-18BLA1 | - | ![]() | 1270 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 134-TFBGA | sdram- lpddr2 -S4 | 1.14v〜1.3v,1.7v〜1.95v | 134-TFBGA(10x11.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS46LD32640C-18BLA1 | 1 | 533 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 64m x 32 | HSUL_12 | 15ns | |||||||||||||||
![]() | IS25WX256-JHLE-TR | 3.8400 | ![]() | 7782 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | IS25WX256 | 闪光 | 1.7V〜2V | 24-tfbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS25WX256-JHLE-TR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 200 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | spi -octal I/o | - | |||||||||||||
![]() | IS61NLP102418-250B3I | - | ![]() | 1440 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | IS61NLP102418 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 250 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 2.6 ns | SRAM | 1m x 18 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS42SM32800E-6BLI | - | ![]() | 6548 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 90-TFBGA | IS42SM32800 | sdram-移动 | 2.7V〜3.6V | 90-TFBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 240 | 166 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 8m x 32 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS42S16400J-7TL-Tr | 1.4470 | ![]() | 5133 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS42S16400 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 1,500 | 143 MHz | 易挥发的 | 64mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 4m x 16 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS62WV102416ALL-35MI | - | ![]() | 9440 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | IS62WV102416 | sram-异步 | 1.65V〜2.2V | 48-Minibga(9x11) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS62WV102416ALL-35MI | 过时的 | 210 | 易挥发的 | 16mbit | 35 ns | SRAM | 1m x 16 | 平行线 | 35ns | ||||||||||||||
![]() | IS49NLC18320-33BL | - | ![]() | 7631 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 144-TFBGA | IS49NLC18320 | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-FCBGA (11x18.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0032 | 104 | 300 MHz | 易挥发的 | 576Mbit | 20 ns | 德拉姆 | 32m x 18 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS46TR16640CL-107MBLA1 | 3.8730 | ![]() | 5398 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | IS46TR16640 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA(9x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS46TR16640CL-107MBLA1 | Ear99 | 8542.32.0032 | 190 | 933 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 64m x 16 | 平行线 | 15ns | ||||||||||||
![]() | IS46LQ16128A-062TBLA1 | 10.6342 | ![]() | 4344 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 200-tfbga | sdram- lpddr4 | 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V | 200-tfbga(10x14.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS46LQ16128A-062TBLA1 | 136 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 2Gbit | 3.5 ns | 德拉姆 | 128m x 16 | lvstl | 18NS | ||||||||||||||||
![]() | IS31LT3916-SLS2-TR | - | ![]() | 7200 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -45°C〜105°C(TA) | 灯光 | 表面安装 | 8-tssop,8-msop(0.118英寸,3.00mm宽度) | AC DC离线切换器 | IS31LT3916 | 50kHz | 8-msop | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | - | 1 | 不 | 飞回来 | 22V | - | 9V | - | ||||||||||||
![]() | IS21TF64G-JCLI-TR | 53.6250 | ![]() | 8583 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 153-VFBGA | IS21TF64G | Flash -nand(tlc) | 2.7V〜3.6V | 153-VFBGA(11.5x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS21TF64G-JCLI-Tr | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 200 MHz | 非易失性 | 512Gbit | 闪光 | 64g x 8 | MMC | - | |||||||||||||
![]() | IS61LF51236A-6.5B3 | - | ![]() | 7087 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | IS61LF51236 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 133 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 6.5 ns | SRAM | 512k x 36 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS61WV25616FALL-10BLI | 3.2589 | ![]() | 7502 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | sram-异步 | 1.65V〜2.2V | 48-TFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS61WV25616FALL-10BLI | 480 | 易挥发的 | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 10NS |
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