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（ICS）（5782）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
IS61NVP25672-200B1	-	RFQ	2694	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	209-BGA	IS61NVP25672	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	209-LFBGA（14x22）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	84	200 MHz	易挥发的	18mbit	3.1 ns	SRAM	256K x 72	平行线	-
IS43LD16256A-18BPLI	-	RFQ	1467	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	168-VFBGA	IS43LD16256	sdram- lpddr2 -S4	1.14v〜1.3v，1.7v〜1.95v	168-VFBGA（12x12）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43LD16256A-18BPLI	过时的		1	533 MHz	易挥发的	4Gbit	5.5 ns	德拉姆	256m x 16	HSUL_12	15ns
IS25WJ032F-JBLE	1.0600	RFQ	365	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	IS25WJ032F	闪光灯 -也不	1.65V〜1.95V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS25WJ032F-JBLE	3A991B1A	8542.32.0071	90	133 MHz	非易失性	32Mbit	6 ns	闪光	4m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	1.6ms
IS21TF16G-JQLI-TR	24.9000	RFQ	2699	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LBGA	IS21TF16G	Flash -nand（tlc）	2.7V〜3.6V	100-LFBGA（14x18）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS21TF16G-JQLI-Tr	3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200 MHz	非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	MMC	-
IS43TR16640CL-125JBLI	4.5200	RFQ	2	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS43TR16640	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43TR16640CL-125JBLI	Ear99	8542.32.0032	190	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS46TR16640BL-125JBLA25	-	RFQ	8026	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	托盘	过时的	-40°C〜115°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS46TR16640	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS46TR16640BL-125JBLA25	Ear99	8542.32.0032	190	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS43TR85120A-093NBLI-TR	-	RFQ	3001	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	IS43TR85120	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-TWBGA（9x10.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43TR85120A-093NBLI-TR	Ear99	8542.32.0036	1,500	1.066 GHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 8	平行线	15ns
IS46TR16640C-125JBLA2	4.2112	RFQ	5328	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS46TR16640	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS46TR16640C-125JBLA2	Ear99	8542.32.0032	190	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS43TR85120BL-107MBL-TR	-	RFQ	1863年	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	IS43TR85120	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-TWBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43TR85120BL-107MBL-TR	Ear99	8542.32.0036	1,500	933 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 8	平行线	15ns
IS43TR85120BL-125KBLI-TR	7.9135	RFQ	9478	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	IS43TR85120	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-TWBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43TR85120BL-125KBLI-TR	Ear99	8542.32.0036	2,000	800 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 8	平行线	15ns
IS43TR85120AL-107MBL	-	RFQ	6473	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	IS43TR85120	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-TWBGA（9x10.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43TR85120AL-107MBL	Ear99	8542.32.0036	220	933 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 8	平行线	15ns
IS46TR82560DL-125KBLA2	-	RFQ	6321	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	IS46TR82560	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-TWBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS46TR82560DL-125KBLA2	Ear99	8542.32.0036	136	800 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 8	平行线	15ns
IS46LQ16256A-062BLA2-TR	-	RFQ	4001	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	200-VFBGA		sdram- lpddr4	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-VFBGA（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46LQ16256A-062BLA2-TR			2,500	1.6 GHz	易挥发的	4Gbit		德拉姆	256m x 16	lvstl	-
IS49NLS93200A-25WBL	27.7833	RFQ	5531	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	144-TFBGA	IS49NLS93200	rldram 2	1.7V〜1.9V	144-twbga（11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS49NLS93200A-25WBL			104	400 MHz	易挥发的	288Mbit	20 ns	德拉姆		HSTL	-
IS43TR81024B-107MBL-TR	19.5776	RFQ	6281	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA		SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-TWBGA（10x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43TR81024B-107MBL-TR			2,000	933 MHz	易挥发的	8Gbit	20 ns	德拉姆	1G x 8	平行线	15ns
IS43R16320F-6TLI	7.1700	RFQ	5704	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS43R16320	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-1551	Ear99	8542.32.0028	108	167 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
IS25LP128F-RHLE	2.1310	RFQ	4479	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	24-TBGA		闪存-SLC）	2.3v〜3.6V	24-tfbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS25LP128F-RHLE			480	166 MHz	非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	40µs，800µs
IS43LD16160B-25BLI-TR	4.8511	RFQ	1831年	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	134-TFBGA		sdram- lpddr2 -S4	1.14v〜1.3v，1.7v〜1.95v	134-TFBGA（10x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43LD16160B-25BLI-TR			2,000	400 MHz	易挥发的	256Mbit	5.5 ns	德拉姆	16m x 16	HSUL_12	15ns
IS25LE512M-RMLE	-	RFQ	6673	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）		闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	16-Soic	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS25LE512M-RMLE	过时的		1	133 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	50µs，1ms
IS66WVE1M16EBLL-55BLI-TR	-	RFQ	7031	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS66WVE1M16	PSRAM （伪 SRAM）	2.7V〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,500		易挥发的	16mbit	55 ns	PSRAM	1m x 16	平行线	55ns
IS49RL18320A-093FBL	66.5861	RFQ	7124	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	168-LBGA		rldram 3	1.28V〜1.42V	168-FBGA（（13.5x13.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS49RL18320A-093FBL			119	1.066 GHz	易挥发的	576Mbit	7.5 ns	德拉姆	32m x 18	平行线	-
IS63LV1024L-12J-Tr	-	RFQ	4081	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	IS63LV1024	sram-异步	3v〜3.6V	32-soj	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	1,000		易挥发的	1Mbit	12 ns	SRAM	128K x 8	平行线	12ns
IS46DR81280B-3DBLA1-Tr	-	RFQ	2516	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS46DR81280	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-TWBGA（8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	2,000	333 MHz	易挥发的	1Gbit	450 ps	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
IS43LR16320B-6BL	-	RFQ	5638	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS43LR16320	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-tfbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	300	166 MHz	易挥发的	512Mbit	5.5 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	12ns
IS42S16100C1-6TL-Tr	-	RFQ	8090	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	50-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS42S16100	Sdram	3v〜3.6V	50-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	166 MHz	易挥发的	16mbit	5.5 ns	德拉姆	1m x 16	平行线	-
IS25WE01G-RIE-Tr	11.7439	RFQ	9710	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	24-LBGA		闪存-SLC）	1.7V〜1.95V	24-LFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS25WE01G-RIE-Tr			2,500	104 MHz	非易失性	1Gbit	10 ns	闪光	128m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	50µs，1ms
IS43TR16640CL-107MBL-TR	3.1137	RFQ	1450	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS43TR16640	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43TR16640CL-107MBL-TR	Ear99	8542.32.0032	1,500	933 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS62WV12816BLL-55BLI-TR	2.0680	RFQ	5548	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS62WV12816	sram-异步	2.5V〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,500		易挥发的	2Mbit	55 ns	SRAM	128K x 16	平行线	55ns
IS25CD512-JKLE	-	RFQ	8411	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	IS25CD512	闪光	2.7V〜3.6V	8-wson（6x5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	100	100 MHz	非易失性	512kbit		闪光	64k x 8	spi	5ms
IS64WV102416FBLL-10CTLA3	19.7868	RFQ	5928	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）		sram-异步	2.4v〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））		706-IS64WV102416FBLL-10CTLA3			96		易挥发的	16mbit	10 ns	SRAM	1m x 16	平行线	10NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS）（5782）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²