SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 重量( kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
IS43TR82560CL-15HBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560CL-15HBLI-TR 6.0087
RFQ
ECAD 9140 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA IS43TR82560 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-TWBGA (8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 667 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 8 平行线 15ns
IS42SM32100D-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM32100D-6BLI 2.3119
RFQ
ECAD 2118 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-TFBGA IS42SM32100 sdram-移动 3v〜3.6V 54-tfbga(8x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 240 166 MHz 易挥发的 32Mbit 5.5 ns 德拉姆 1m x 32 平行线 -
IS49NLC96400-25BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC96400-25BI -
RFQ
ECAD 6433 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 144-TFBGA IS49NLC96400 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-FCBGA (11x18.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 104 400 MHz 易挥发的 576Mbit 20 ns 德拉姆 64m x 9 平行线 -
IS46TR82560B-15HBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR82560B-15HBLA2-TR -
RFQ
ECAD 3188 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 78-TFBGA IS46TR82560 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-TWBGA (8x10.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS46TR82560B-15HBLA2-TR Ear99 8542.32.0036 2,000 667 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 8 平行线 15ns
IS66WV51216DBLL-70TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WV51216DBLL-70TLI -
RFQ
ECAD 8722 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) IS66WV51216 PSRAM (伪 SRAM) 2.5V〜3.6V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0041 135 易挥发的 8mbit 70 ns PSRAM 512k x 16 平行线 70NS
IS61VPS102418A-200B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS102418A-200B3I-Tr -
RFQ
ECAD 1985 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS61VPS102418 sram-同步,sdr 2.375V〜2.625V 165-TFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 200 MHz 易挥发的 18mbit 3.1 ns SRAM 1m x 18 平行线 -
IS43DR16320E-25DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320E-25DBL-TR 2.2990
RFQ
ECAD 4105 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜85°C(TC) 表面安装 84-TFBGA SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA(8x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS43DR16320E-25DBL-TR 2,500 400 MHz 易挥发的 512Mbit 400 ps 德拉姆 32m x 16 SSTL_18 15ns
IS45S16160G-7CTLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160G-7CTLA2-Tr 8.1900
RFQ
ECAD 2777 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) IS45S16160 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 1,500 143 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 -
IS62WV5128DALL-55BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128DALL-55BLI-TR -
RFQ
ECAD 4891 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 36-TFBGA IS62WV5128 sram-异步 1.65V〜2.2V 36-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4Mbit 55 ns SRAM 512k x 8 平行线 55ns
IS43TR16128CL-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128CL-125KBL-TR 5.3700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,500 800 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 16 平行线 15ns
IS62WV102416FALL-55BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV102416FALL-55BLI 8.0827
RFQ
ECAD 5563 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFBGA sram-异步 1.65V〜2.2V 48-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS62WV102416FALL-55BLI 480 易挥发的 16mbit 55 ns SRAM 1m x 16 平行线 55ns
IS43LD16640A-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16640A-25BLI -
RFQ
ECAD 8049 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 134-TFBGA IS43LD16640 sdram- lpddr2 1.14v〜1.95v 134-TFBGA(10x11.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-1355 Ear99 8542.32.0002 171 400 MHz 易挥发的 1Gbit 德拉姆 64m x 16 平行线 15ns
IS61DDB21M36-250M3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB21M36-250M3 -
RFQ
ECAD 9951 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 在sic中停产 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-LBGA IS61DDB21 Sram-同步,DDR II 1.71V〜1.89V 165-LFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 105 250 MHz 易挥发的 36mbit SRAM 1m x 36 平行线 -
IS42SM32160E-75BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM32160E-75BL-Tr 9.1200
RFQ
ECAD 8155 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS42SM32160 sdram-移动 2.7V〜3.6V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 2,500 133 MHz 易挥发的 512Mbit 6 ns 德拉姆 16m x 32 平行线 -
IS49NLC36160-25BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC36160-25BL -
RFQ
ECAD 5151 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 144-TFBGA IS49NLC36160 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-FCBGA (11x18.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 104 400 MHz 易挥发的 576Mbit 20 ns 德拉姆 16m x 36 平行线 -
IS43LD16640A-3BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16640A-3BL -
RFQ
ECAD 3028 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 在sic中停产 0°C〜85°C(TA) 表面安装 134-TFBGA IS43LD16640 sdram- lpddr2 1.14v〜1.95v 134-TFBGA(10x11.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 171 333 MHz 易挥发的 1Gbit 德拉姆 64m x 16 平行线 15ns
IS43QR81024A-075VBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR81024A-075VBL 18.1892
RFQ
ECAD 7487 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 78-TWBGA(10x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS43QR81024A-075VBL 136 1.333 GHz 易挥发的 8Gbit 18 ns 德拉姆 1G x 8 平行线 15ns
IS45S32200E-7BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32200E-7BLA2 -
RFQ
ECAD 5107 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS45S32200 Sdram 3v〜3.6V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 240 143 MHz 易挥发的 64mbit 5.5 ns 德拉姆 2m x 32 平行线 -
IS61NVF25672-7.5B1I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVF25672-7.5B1I-Tr -
RFQ
ECAD 9927 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 209-BGA IS61NVF25672 sram-同步,sdr 2.375V〜2.625V 209-LFBGA(14x22) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 117 MHz 易挥发的 18mbit 7.5 ns SRAM 256K x 72 平行线 -
IS61LPD51236A-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPD51236A-200TQLI-TR 19.1250
RFQ
ECAD 5183 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP IS61LPD51236 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 100-LQFP(14x20) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 800 200 MHz 易挥发的 18mbit 3.1 ns SRAM 512k x 36 平行线 -
IS46TR16256AL-125KBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256AL-125KBLA1 -
RFQ
ECAD 9893 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS46TR16256 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 190 800 MHz 易挥发的 4Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 16 平行线 15ns
IS62WV25616DALL-55BI -TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616DALL -55BI -TR -
RFQ
ECAD 7111 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFBGA IS62WV25616 sram-异步 1.65V〜2.2V 48-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4Mbit 55 ns SRAM 256K x 16 平行线 55ns
IS61NLF51236-7.5TQI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF51236-7.5TQI-Tr -
RFQ
ECAD 8543 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP IS61NLF51236 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 100-LQFP(14x20) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 800 117 MHz 易挥发的 18mbit 7.5 ns SRAM 512k x 36 平行线 -
IS43DR16320C-25DBI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320C-25DBI-Tr -
RFQ
ECAD 8119 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 84-TFBGA IS43DR16320 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA(8x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 2,500 400 MHz 易挥发的 512Mbit 400 ps 德拉姆 32m x 16 平行线 15ns
IS25WP032D-JLLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP032D-JLLE -
RFQ
ECAD 4663 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 IS25WP032 闪光灯 -也不 1.65V〜1.95V 8-wson(8x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 800µs
IS42S16400J-7TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400J-7TLI 2.0300
RFQ
ECAD 7681 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) IS42S16400 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 108 143 MHz 易挥发的 64mbit 5.4 ns 德拉姆 4m x 16 平行线 -
IS43R16160D-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160D-6TL 4.5300
RFQ
ECAD 1808年 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 不适合新设计 0°C〜70°C(TA) 表面安装 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) IS43R16160 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 66-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 108 166 MHz 易挥发的 256Mbit 700 ps 德拉姆 16m x 16 平行线 15ns
IS43R32800D-5BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R32800D-5BLI-TR -
RFQ
ECAD 1208 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 144-LFBGA IS43R32800 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 144-LFBGA(12x12) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,500 200 MHz 易挥发的 256Mbit 700 ps 德拉姆 8m x 32 平行线 15ns
IS42S16800E-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800E-6TL -
RFQ
ECAD 6590 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) IS42S16800 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 108 166 MHz 易挥发的 128mbit 5.4 ns 德拉姆 8m x 16 平行线 -
IS42S16160G-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160G-6BLI-TR -
RFQ
ECAD 5093 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-TFBGA IS42S16160 Sdram 3v〜3.6V 54-tfbga(8x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 2,500 166 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库