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![]() | IS43TR81280B-125KBLI | - | ![]() | 7668 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | IS43TR81280 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-TWBGA (8x10.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0032 | 242 | 800 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 128m x 8 | 平行线 | 15ns | |||||||||||||
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![]() | IS25LP512MH-RMLE-TR | 6.7142 | ![]() | 2549 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | 闪存-SLC) | 2.7V〜3.6V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS25LP512MH-RMLE-TR | 1,000 | 166 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 50µs,1ms | |||||||||||||||||
![]() | IS22TF16G-JCLA2-TR | 26.3340 | ![]() | 5757 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 153-VFBGA | Flash -nand(tlc) | 2.7V〜3.6V | 153-VFBGA(11.5x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS22TF16G-JCLA2-TR | 2,000 | 200 MHz | 非易失性 | 128Gbit | 闪光 | 16克x 8 | EMMC_5.1 | - | |||||||||||||||||
![]() | IS46LQ32128AL-06T2BLA2-TR | - | ![]() | 2462 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 200-tfbga | sdram- lpddr4x | 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V | 200-tfbga(10x14.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS46LQ32128AL-06T2BLA2-TR | 2,500 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 4Gbit | 3.5 ns | 德拉姆 | 128m x 32 | lvstl | 18NS | ||||||||||||||||
![]() | IS62C256AL-45ULI | 1.4200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 28-SOIC (0.330英寸,8.38毫米宽) | IS62C256 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28 SOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 120 | 易挥发的 | 256kbit | 45 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 45ns | ||||||||||||||
![]() | IS49NLC18320A-18WBLI | 57.2059 | ![]() | 9691 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 144-TFBGA | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-twbga(11x18.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS49NLC18320A-18WBLI | 104 | 533 MHz | 易挥发的 | 576Mbit | 15 ns | 德拉姆 | 32m x 18 | HSTL | - | |||||||||||||||
![]() | IS46TR85120BL-107MBLA2 | - | ![]() | 4235 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | IS46TR85120 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-TWBGA (8x10.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS46TR85120BL-107MBLA2 | Ear99 | 8542.32.0036 | 136 | 933 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 512m x 8 | 平行线 | 15ns | ||||||||||||
IS61LV6416-10TI | - | ![]() | 5516 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS61LV6416 | sram-异步 | 3.135v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 135 | 易挥发的 | 1Mbit | 10 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 10NS | |||||||||||||||
![]() | IS43LR32800H-6BLI | 5.5951 | ![]() | 2436 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 90-TFBGA | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-TFBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS43LR32800H-6BLI | 240 | 166 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 8m x 32 | lvcmos | 15ns | ||||||||||||||||
![]() | IS22TF08G-JCLA2-TR | 17.3565 | ![]() | 5280 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 153-VFBGA | Flash -nand(pslc) | 2.7V〜3.6V | 153-VFBGA(11.5x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS22TF08G-JCLA2-TR | 2,000 | 200 MHz | 非易失性 | 64Gbit | 闪光 | 8g x 8 | EMMC_5.1 | - | |||||||||||||||||
![]() | IS46DR81280B-25DBLA1-Tr | - | ![]() | 6590 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 60-TFBGA | IS46DR81280 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-TWBGA(8x10.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 400 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 400 ps | 德拉姆 | 128m x 8 | 平行线 | 15ns | |||||||||||||
![]() | IS61WV25616FALL-10TLI-TR | 2.9743 | ![]() | 5401 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | sram-异步 | 1.65V〜2.2V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS61WV25616FALL-10TLI-TR | 1,000 | 易挥发的 | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 10NS |
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