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IS62WV25616BLL-55TI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616BLL-55TI-TR -
RFQ
ECAD 8017 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) IS62WV25616 sram-异步 2.5V〜3.6V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 易挥发的 4Mbit 55 ns SRAM 256K x 16 平行线 55ns
IS25WP256D-JMLE-TY ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP256D-JMLE-TY 4.2121
RFQ
ECAD 9978 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) 闪光灯 -也不 1.65V〜1.95V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS25WP256D-JMLE-TY 176 133 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 40µs,800µs
IS45S16160D-6BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160D-6BLA1 -
RFQ
ECAD 3635 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-TFBGA IS45S16160 Sdram 3v〜3.6V 54-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 240 166 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 -
IS25LP020E-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP020E-JNLE 0.4000
RFQ
ECAD 825 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 管子 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IS25LP020 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS25LP020E-JNLE Ear99 8542.32.0071 100 104 MHz 非易失性 2Mbit 8 ns 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 1.2ms
IS61VPS102418A-250TQL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS102418A-250TQL-Tr -
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ECAD 4781 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP IS61VPS102418 sram-同步,sdr 2.375V〜2.625V 100-LQFP(14x20) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 800 250 MHz 易挥发的 18mbit 2.6 ns SRAM 1m x 18 平行线 -
IS42RM32200M-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32200M-6BLI -
RFQ
ECAD 9155 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS42RM32200 sdram-移动 2.3v〜2.7V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 240 166 MHz 易挥发的 64mbit 5.5 ns 德拉姆 2m x 32 平行线 -
IS43DR16320C-25DBI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320C-25DBI -
RFQ
ECAD 8880 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 84-TFBGA IS43DR16320 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA(8x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 209 400 MHz 易挥发的 512Mbit 400 ps 德拉姆 32m x 16 平行线 15ns
IS61LV2568L-8TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV2568L-8TL-Tr -
RFQ
ECAD 9160 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) IS61LV2568 sram-异步 3.135v〜3.6V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 易挥发的 2Mbit 8 ns SRAM 256K x 8 平行线 8ns
IS42S32160B-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160B-6BLI -
RFQ
ECAD 2558 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS42S32160 Sdram 3v〜3.6V 90-WBGA(11x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 144 166 MHz 易挥发的 512Mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 32 平行线 -
IS43DR82560C-3DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR82560C-3DBL-TR 6.3808
RFQ
ECAD 3776 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜85°C(TC) 表面安装 60-TFBGA SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-TWBGA(8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS43DR82560C-3DBL-TR 2,000 333 MHz 易挥发的 2Gbit 450 ps 德拉姆 256m x 8 SSTL_18 15ns
IS62WV51216ALL-70BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV51216ALL-70BLI 7.1992
RFQ
ECAD 9435 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFBGA IS62WV51216 sram-异步 2.5V〜3.6V 48-Minibga(7.2x8.7) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 312 易挥发的 8mbit 70 ns SRAM 512k x 16 平行线 70NS
IS66WV51216EBLL-70BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WV51216EBLL-70BLI-TR 2.5370
RFQ
ECAD 8262 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFBGA IS66WV51216 PSRAM (伪 SRAM) 2.5V〜3.6V 48-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 易挥发的 8mbit 70 ns PSRAM 512k x 16 平行线 70NS
IS42S32200C1-7BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200C1-7BI-TR -
RFQ
ECAD 5931 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-LFBGA IS42S32200 Sdram 3.15V〜3.45V 90-BGA(13x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 2,500 143 MHz 易挥发的 64mbit 5.5 ns 德拉姆 2m x 32 平行线 -
IS61LF204818A-7.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF204818A-7.5TQLI -
RFQ
ECAD 9688 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP IS61LF204818 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 100-LQFP(14x20) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 72 117 MHz 易挥发的 36mbit 7.5 ns SRAM 2m x 18 平行线 -
IS43TR16256A-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256A-125KBL-TR -
RFQ
ECAD 1326 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS43TR16256 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,500 800 MHz 易挥发的 4Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 16 平行线 15ns
IS43R86400E-5BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400E-5BI -
RFQ
ECAD 1475 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 60-TFBGA IS43R86400 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 60-tfbga(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS43R86400E-5BI 过时的 190 200 MHz 易挥发的 512Mbit 700 ps 德拉姆 64m x 8 平行线 15ns
IS42S16100F-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100F-6BL-TR -
RFQ
ECAD 4831 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 60-TFBGA IS42S16100 Sdram 3v〜3.6V 60-TFBGA(6.4x10.1) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,000 166 MHz 易挥发的 16mbit 5.5 ns 德拉姆 1m x 16 平行线 -
IS25LQ020B-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ020B-JNLE -
RFQ
ECAD 6475 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 管子 过时的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IS25LQ020 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-1319 Ear99 8542.32.0071 100 104 MHz 非易失性 2Mbit 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 800µs
IS63LV1024L-10KLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63LV1024L-10KLI -
RFQ
ECAD 8567 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 32-bsoj(0.400英寸,10.16毫米宽) IS63LV1024 sram-异步 3.15V〜3.45V 32-soj 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2B 8542.32.0041 21 易挥发的 1Mbit 10 ns SRAM 128K x 8 平行线 10NS
IS45S16320D-7CTLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16320D-7CTLA1 20.0828
RFQ
ECAD 4678 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) IS45S16320 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 108 143 MHz 易挥发的 512Mbit 5.4 ns 德拉姆 32m x 16 平行线 -
IS49NLC36800-25WBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC36800-25WBL -
RFQ
ECAD 2041 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 144-TFBGA IS49NLC36800 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-twbga(11x18.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 104 400 MHz 易挥发的 288Mbit 15 ns 德拉姆 8m x 36 平行线 -
IS46DR81280C-3DBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR81280C-3DBLA2 -
RFQ
ECAD 5021 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 60-TFBGA IS46DR81280 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-TWBGA(8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 242 333 MHz 易挥发的 1Gbit 450 ps 德拉姆 128m x 8 平行线 15ns
IS25WP016D-JNLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP016D-JNLE-TR 0.7337
RFQ
ECAD 2677 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IS25WP016 闪光灯 -也不 1.65V〜1.95V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 133 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 800µs
IS45S16800F-6TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16800F-6TLA1 4.4232
RFQ
ECAD 2490 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) IS45S16800 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 108 166 MHz 易挥发的 128mbit 5.4 ns 德拉姆 8m x 16 平行线 -
IS46TR16128AL-125KBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128AL-125KBLA1 -
RFQ
ECAD 7204 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM -DDR3 1.283V〜1.45V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 190 800 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 16 平行线 15ns
IS45S16400J-6TLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16400J-6TLA2 -
RFQ
ECAD 8961 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) IS45S16400 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 108 166 MHz 易挥发的 64mbit 5.4 ns 德拉姆 4m x 16 平行线 -
IS42S16160G-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160G-6BLI 4.2807
RFQ
ECAD 1779年 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-TFBGA IS42S16160 Sdram 3v〜3.6V 54-tfbga(8x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 348 166 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 -
IS42S32400F-6BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400F-6BI-Tr -
RFQ
ECAD 1842年 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS42S32400 Sdram 3v〜3.6V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 2,500 166 MHz 易挥发的 128mbit 德拉姆 4m x 32 平行线 -
IS66WV51216BLL-55BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WV51216BLL-55BLI -
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ECAD 1690年 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFBGA IS66WV51216 PSRAM (伪 SRAM) 2.5V〜3.6V 48-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 312 易挥发的 8mbit 55 ns PSRAM 512k x 16 平行线 55ns
IS61LPS204836B-166TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS204836B-166TQLI-TR 98.0000
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ECAD 8608 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP IS61LPS204836 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 100-LQFP(14x20) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 800 166 MHz 易挥发的 72Mbit 3.8 ns SRAM 2m x 36 平行线 -
  • Daily average RFQ Volume

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    每日平均RFQ量

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    30,000,000

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