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（ICS）（5782）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
IS49NLC18160-25Bli	-	RFQ	4931	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	144-TFBGA	IS49NLC18160	rldram 2	1.7V〜1.9V	144-FCBGA （11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	104	400 MHz	易挥发的	288Mbit	20 ns	德拉姆	16m x 18	平行线	-
IS66WVE1M16EBLL-70BLI	2.7843	RFQ	1052	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS66WVE1M16	PSRAM （伪 SRAM）	2.7V〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	480		易挥发的	16mbit	70 ns	PSRAM	1m x 16	平行线	70NS
IS61VPS51236A-250B3I-Tr	-	RFQ	2959	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61VPS51236	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	250 MHz	易挥发的	18mbit	2.6 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
IS61NVP102418-200B3	-	RFQ	9609	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61NVP102418	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	144	200 MHz	易挥发的	18mbit	3.1 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
IS42S32160F-7TL-Tr	10.9500	RFQ	7971	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS42S32160	Sdram	3v〜3.6V	86-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	1,500	143 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 32	平行线	-
IS42S32800B-7Ti-Tr	-	RFQ	6618	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS42S32800	Sdram	3v〜3.6V	86-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,500	143 MHz	易挥发的	256Mbit	5.5 ns	德拉姆	8m x 32	平行线	-
IS46DR16320D-3DBLA1	6.4315	RFQ	4911	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	84-TFBGA	IS46DR16320	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	209	333 MHz	易挥发的	512Mbit	450 ps	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
IS62WV1288BLL-55QLI-TR	1.6819	RFQ	4779	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-SOIC （0.445“，11.30mm宽度）	IS62WV1288	sram-异步	2.5V〜3.6V	32 SOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	1,000		易挥发的	1Mbit	55 ns	SRAM	128K x 8	平行线	55ns
IS43LR16640C-6BLI	7.7181	RFQ	4633	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA		sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-tfbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43LR16640C-6BLI			300	166 MHz	易挥发的	1Gbit	5 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS66WVE2M16BLL-70BLI-TR	-	RFQ	5976	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS66WVE2M16	PSRAM （伪 SRAM）	2.7V〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	2,500		易挥发的	32Mbit	70 ns	PSRAM	2m x 16	平行线	70NS
IS49NLS96400-25BI	-	RFQ	9190	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	144-TFBGA	IS49NLS96400	rldram 2	1.7V〜1.9V	144-FCBGA （11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	104	400 MHz	易挥发的	576Mbit	20 ns	德拉姆	64m x 9	平行线	-
IS45S16320D-7BLA1-Tr	19.4700	RFQ	3487	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS45S16320	Sdram	3v〜3.6V	54-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	2,500	143 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	-
IS66WVS4M8ALL-104NLI	3.6600	RFQ	395	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IS66WVS4M8	PSRAM （伪 SRAM）	1.65V〜1.95V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS66WVS4M8ALL-104NLI	3A991B2A	8542.32.0041	100	104 MHz	易挥发的	32Mbit	7 ns	PSRAM	4m x 8	SPI，QPI	-
IS46TR16640BL-125KBLA3	-	RFQ	6864	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	托盘	过时的	-40°C〜125°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS46TR16640	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS46TR16640BL-125KBLA3	Ear99	8542.32.0032	190	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS42S16400J-7B2LI-Tr	2.8644	RFQ	4580	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS42S16400	Sdram	3v〜3.6V	60-TFBGA（6.4x10.1）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500	143 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 16	平行线	-
IS43LQ32640A-062TBLI-TR	9.2036	RFQ	2418	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-tfbga（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43LQ32640A-062TBLI-TR			2,500	1.6 GHz	易挥发的	2Gbit	3.5 ns	德拉姆	64m x 32	lvstl	18NS
IS63WV1024BLL-12JLI-TR	1.7660	RFQ	4779	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	IS63WV1024	sram-异步	3v〜3.6V	32-soj	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	1,000		易挥发的	1Mbit	12 ns	SRAM	128K x 8	平行线	12ns
IS46LQ16128A-062BLA1	-	RFQ	3510	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr4	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-VFBGA（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46LQ16128A-062BLA1			136	1.6 GHz	易挥发的	2Gbit	3.5 ns	德拉姆	128m x 16	lvstl	18NS
IS61QDB251236A-250M3L	32.3796	RFQ	4700	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	IS61QDB251236	sram-同步，四边形	1.71V〜1.89V	165-LFBGA（15x17）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105	250 MHz	易挥发的	18mbit		SRAM	512k x 36	平行线	-
IS25WX128-JHLE	3.3203	RFQ	3870	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	24-TBGA	IS25WX128	闪光	1.7V〜2V	24-tfbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS25WX128-JHLE	3A991B1A	8542.32.0071	480	200 MHz	非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	spi -octal I/o	-
IS61C64AL-10JLI-TR	1.2505	RFQ	5203	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	28-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	IS61C64	sram-异步	4.75V〜5.25V	28-soj	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	1,000		易挥发的	64kbit	10 ns	SRAM	8k x 8	平行线	10NS
IS42S32400F-7BI	-	RFQ	8427	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42S32400	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	240	143 MHz	易挥发的	128mbit		德拉姆	4m x 32	平行线	-
IS43LR32800H-6BL-Tr	4.4761	RFQ	8721	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	90-TFBGA		sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43LR32800H-6BL-TR			2,500	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5.5 ns	德拉姆	8m x 32	lvcmos	15ns
IS34ML02G084-TLI-TR	4.8842	RFQ	1662	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	IS34ML02	Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	48-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,500		非易失性	2Gbit	25 ns	闪光	256m x 8	平行线	25ns
IS25WP040E-JBLE	0.4261	RFQ	9254	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	IS25WP040	闪光灯 -也不	1.7V〜1.95V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS25WP040E-JBLE	Ear99	8542.32.0071	90	104 MHz	非易失性	4Mbit	8 ns	闪光	512k x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	1.2ms
IS62WV25616BLL-55TLI	4.1800	RFQ	3	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS62WV25616	sram-异步	2.5V〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	135		易挥发的	4Mbit	55 ns	SRAM	256K x 16	平行线	55ns
IS64LPS204818B-166TQLA3	132.3258	RFQ	9494	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS64LPS204818	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	166 MHz	易挥发的	36mbit	3.8 ns	SRAM	2m x 18	平行线	-
IS43TR16640B-125JBLI-TR	-	RFQ	7248	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS43TR16640	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,500	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS43TR81024BL-125KBLI	28.7000	RFQ	2	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	IS43TR81024	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-TWBGA（10x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43TR81024BL-125KBLI	Ear99	8542.32.0036	136	800 MHz	易挥发的	8Gbit	20 ns	德拉姆	1G x 8	平行线	15ns
IS42S16800F-7BL-TR	2.1838	RFQ	4973	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42S16800	Sdram	3v〜3.6V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500	143 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS）（5782）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²