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（ICS）（5782）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
IS61WV1288EEBLL-10BLI-TR	2.5289	RFQ	3202	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA		sram-异步	2.4v〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS61WV1288EEBLL-10BLI-TR			2,500		易挥发的	1Mbit	10 ns	SRAM	128K x 8	平行线	10NS
IS43R16160D-5TL	4.7138	RFQ	3797	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	不适合新设计	0°C〜70°C（ta）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS43R16160	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	108	200 MHz	易挥发的	256Mbit	700 ps	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
IS46TR16256AL-15HBLA1	-	RFQ	3553	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS46TR16256	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	190	667 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	15ns
IS43LQ32128A-062BLI	-	RFQ	7499	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-WFBGA	IS43LQ32128	sdram- lpddr4	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-VFBGA（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43LQ32128A-062BLI	Ear99	8542.32.0036	136	1.6 GHz	易挥发的	4Gbit		德拉姆	128m x 32	平行线	-
IS46TR16256A-15HBLA1-Tr	-	RFQ	9290	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS46TR16256	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,500	667 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	15ns
IS43TR16128B-107MBLI-TR	-	RFQ	8529	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS43TR16128	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,500	933 MHz	易挥发的	2Gbit	195 PS	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
IS61NVP51236B-200B-200B-200B-200B3LI-Tr	14.6300	RFQ	6150	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61NVP51236	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	200 MHz	易挥发的	18mbit	3 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
IS43TR16128BL-125KBL-TR	-	RFQ	6443	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS43TR16128	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,500	800 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
IS25LX256-JHLE	5.4500	RFQ	8572	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	24-TBGA	IS25LX256	闪光	2.7V〜3.6V	24-tfbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS25LX256-JHLE	3A991B1A	8542.32.0071	480	133 MHz	非易失性	256Mbit		闪光	32m x 8	spi -octal I/o	-
IS46LQ32640AL-062BLA1	-	RFQ	1406	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr4x	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-VFBGA（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46LQ32640AL-062BLA1			136	1.6 GHz	易挥发的	2Gbit	3.5 ns	德拉姆	64m x 32	lvstl	18NS
IS42S16800F-7BLI	3.2200	RFQ	1684年	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42S16800	Sdram	3v〜3.6V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	348	143 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	-
IS41LV16105B-60KLI-Tr	-	RFQ	4330	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	42-BSOJ（0.400英寸，10.16mm宽度）	IS41LV16105	DRAM -FP	3v〜3.6V	42-soj	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000		易挥发的	16mbit	30 ns	德拉姆	1m x 16	平行线	-
IS25LP020E-JNLA3-Tr	0.4537	RFQ	1090	ISSI，综合硅解决方案	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的								-	rohs3符合条件	3（168））		706-IS25LP020E-JNLA3-TR			3,000
IS42RM16800G-75BLI	-	RFQ	4213	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42RM16800	sdram-移动	2.3V〜3V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	348	133 MHz	易挥发的	128mbit	6 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	-
IS45S16320F-7TLA2-Tr	15.3000	RFQ	9029	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS45S16320	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	1,500	143 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	-
IS66WV25616BLL-55TLI	-	RFQ	9585	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS66WV25616	PSRAM （伪 SRAM）	2.5V〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	135		易挥发的	4Mbit	55 ns	PSRAM	256K x 16	平行线	55ns
IS61WV51216EEALL-20TLI	7.4957	RFQ	7133	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）		sram-异步	1.65V〜2.2V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS61WV51216EEALL-20TLI			135		易挥发的	8mbit	20 ns	SRAM	512k x 16	平行线	20NS
IS61DDB21M36C-300M3L	-	RFQ	3251	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	165-LBGA	IS61DDB21	Sram-同步，DDR II	1.71V〜1.89V	165-LFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105	300 MHz	易挥发的	36mbit	8.4 ns	SRAM	1m x 36	平行线	-
IS43TR16256BL-125KBL	7.8500	RFQ	3	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS43TR16256	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-1731	Ear99	8542.32.0036	190	800 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	15ns
IS43TR85120AL-107MBL-TR	-	RFQ	6772	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	IS43TR85120	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-TWBGA（9x10.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43TR85120AL-107MBL-TR	Ear99	8542.32.0036	1,500	933 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 8	平行线	15ns
IS43R16320E-5BLI-TR	7.1700	RFQ	1333	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS43R16320	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	60-tfbga（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	2,500	200 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
IS46QR81024A-083TBLA2	21.5457	RFQ	5636	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	78-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-TWBGA（10x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46QR81024A-083TBLA2			136	1.2 GHz	易挥发的	8Gbit	18 ns	德拉姆	1G x 8	平行线	15ns
IS43LR16128B-6BLI-TR	8.8844	RFQ	7546	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA		sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-tfbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43LR16128B-6BLI-TR			2,000	166 MHz	易挥发的	2Gbit	5 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
IS43R83200F-5TL	3.0705	RFQ	1726年	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	积极的	0°C〜70°C（ta）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS43R83200	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	108	200 MHz	易挥发的	256Mbit	700 ps	德拉姆	32m x 8	平行线	15ns
IS61LF12836A-7.5B2I-Tr	-	RFQ	5104	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	119-BBGA	IS61LF12836	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	119-PBGA（14x22）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000	117 MHz	易挥发的	4.5mbit	7.5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
IS66WVH16M8DALL-166B1LI	5.0400	RFQ	6	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	IS66WVH16M8	PSRAM （伪 SRAM）	1.7V〜1.95V	24-tfbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	480	166 MHz	易挥发的	128mbit	36 NS	PSRAM	16m x 8	平行线	36ns
IS62WV51216HBLL-45BLI-TR	3.8489	RFQ	1258	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-VFBGA		sram-异步	2.2v〜3.6V	48-VFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS62WV51216HBLL-45BLI-TR			2,500		易挥发的	8mbit	45 ns	SRAM	512k x 16	平行线	45ns
IS41LV16100D-50KLI-TR	-	RFQ	3506	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	42-BSOJ（0.400英寸，10.16mm宽度）	IS41LV16100	戏剧性	3v〜3.6V	42-soj	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000		易挥发的	16mbit	25 ns	德拉姆	1m x 16	平行线	-
IS43R16160D-5TL-Tr	3.4412	RFQ	3875	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	0°C〜70°C（ta）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS43R16160	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,500	200 MHz	易挥发的	256Mbit	700 ps	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
IS61WV102416FALL-20BLI-TR	8.8844	RFQ	9640	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA		sram-异步	1.65V〜2.2V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS61WV102416FALL-20BLI-TR			2,500		易挥发的	16mbit	20 ns	SRAM	1m x 16	平行线	20NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS）（5782）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²