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（ICS）（5782）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
IS42S16100H-7TL	1.3300	RFQ	75	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	50-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS42S16100	Sdram	3v〜3.6V	50-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0002	117	143 MHz	易挥发的	16mbit	5.5 ns	德拉姆	1m x 16	平行线	-
IS61NVP102418-200B3	-	RFQ	9609	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61NVP102418	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	144	200 MHz	易挥发的	18mbit	3.1 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
IS43TR16128A-125KBLI	-	RFQ	1644年	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	在sic中停产	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS43TR16128	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	190	800 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
IS49NLC18160-25Bli	-	RFQ	4931	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	144-TFBGA	IS49NLC18160	rldram 2	1.7V〜1.9V	144-FCBGA （11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	104	400 MHz	易挥发的	288Mbit	20 ns	德拉姆	16m x 18	平行线	-
IS66WVE1M16EBLL-70BLI	2.7843	RFQ	1052	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS66WVE1M16	PSRAM （伪 SRAM）	2.7V〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	480		易挥发的	16mbit	70 ns	PSRAM	1m x 16	平行线	70NS
IS42SM32400G-75BLI-TR	-	RFQ	1954年	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42SM32400	sdram-移动	2.7V〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500	133 MHz	易挥发的	128mbit	6 ns	德拉姆	4m x 32	平行线	-
IS49NLC96400-25BI	-	RFQ	6433	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	144-TFBGA	IS49NLC96400	rldram 2	1.7V〜1.9V	144-FCBGA （11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	104	400 MHz	易挥发的	576Mbit	20 ns	德拉姆	64m x 9	平行线	-
IS62WV2568EBLL-45TLI-TR	2.3547	RFQ	8690	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.724英寸，宽度18.40mm）	IS62WV2568	sram-异步	2.2v〜3.6V	32-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,500		易挥发的	2Mbit	45 ns	SRAM	256K x 8	平行线	45ns
IS42S32400B-7TI	-	RFQ	4988	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS42S32400	Sdram	3v〜3.6V	86-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	108	143 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 32	平行线	-
IS61VPS51236A-250B3I-Tr	-	RFQ	2959	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61VPS51236	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	250 MHz	易挥发的	18mbit	2.6 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
IS42S32800B-7BL-TR	-	RFQ	5315	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	90-LFBGA	IS42S32800	Sdram	3v〜3.6V	90-LFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	2,500	143 MHz	易挥发的	256Mbit	5.5 ns	德拉姆	8m x 32	平行线	-
IS42S32160F-7TL-Tr	10.9500	RFQ	7971	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS42S32160	Sdram	3v〜3.6V	86-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	1,500	143 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 32	平行线	-
IS43R16160F-6BL-TR	3.6992	RFQ	3721	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS43R16160	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	60-tfbga（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	2,500	166 MHz	易挥发的	256Mbit	700 ps	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
IS34ML01G081-TLI	5.1000	RFQ	549	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	IS34ML01	Flash -nand（slc）	2.7V〜3.6V	48-TSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-1630	3A991B1A	8542.32.0071	96		非易失性	1Gbit	25 ns	闪光	128m x 8	平行线	25ns
IS46TR16128A-15HBLA1	-	RFQ	2126	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS46TR16128	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	190	667 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
IS42S16320B-6TL	-	RFQ	2870	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S16320	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	108	166 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	-
IS43TR81280B-107MBLI-TR	5.6700	RFQ	5986	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	IS43TR81280	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-TWBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	2,000	933 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
IS61NVP25636A-200TQLI	15.4275	RFQ	9071	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61NVP25636	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	200 MHz	易挥发的	9Mbit	3.1 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
IS34MW02G084-BLI	5.0397	RFQ	2920	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	63-VFBGA		Flash -nand（slc）	1.7V〜1.95V	63-vfbga（9x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS34MW02G084-BLI			220		非易失性	2Gbit	30 ns	闪光	256m x 8	平行线	45ns
IS25LQ020B-JDLE	-	RFQ	4420	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	IS25LQ020	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	100	104 MHz	非易失性	2Mbit		闪光	256K x 8	Spi -Quad I/O。	800µs
IS46DR16320D-3DBLA1	6.4315	RFQ	4911	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	84-TFBGA	IS46DR16320	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	209	333 MHz	易挥发的	512Mbit	450 ps	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
IS43DR81280C-3DBLI	7.4100	RFQ	9419	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS43DR81280	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-TWBGA（8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-1577	Ear99	8542.32.0032	242	333 MHz	易挥发的	1Gbit	450 ps	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
IS43R16320E-6BI-Tr	-	RFQ	5548	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS43R16320	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	60-tfbga（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	2,500	166 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
IS63WV1024BLL-12JLI-TR	1.7660	RFQ	4779	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）	IS63WV1024	sram-异步	3v〜3.6V	32-soj	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	1,000		易挥发的	1Mbit	12 ns	SRAM	128K x 8	平行线	12ns
IS66WVS4M8ALL-104NLI	3.6600	RFQ	395	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IS66WVS4M8	PSRAM （伪 SRAM）	1.65V〜1.95V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS66WVS4M8ALL-104NLI	3A991B2A	8542.32.0041	100	104 MHz	易挥发的	32Mbit	7 ns	PSRAM	4m x 8	SPI，QPI	-
IS43LQ32640A-062TBLI-TR	9.2036	RFQ	2418	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-tfbga（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43LQ32640A-062TBLI-TR			2,500	1.6 GHz	易挥发的	2Gbit	3.5 ns	德拉姆	64m x 32	lvstl	18NS
IS42S16400J-7B2LI-Tr	2.8644	RFQ	4580	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS42S16400	Sdram	3v〜3.6V	60-TFBGA（6.4x10.1）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500	143 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 16	平行线	-
IS45S16320D-7BLA1-Tr	19.4700	RFQ	3487	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS45S16320	Sdram	3v〜3.6V	54-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	2,500	143 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	-
IS46TR16640BL-125KBLA3	-	RFQ	6864	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	托盘	过时的	-40°C〜125°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS46TR16640	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS46TR16640BL-125KBLA3	Ear99	8542.32.0032	190	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS46LQ16128A-062BLA1	-	RFQ	3510	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr4	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-VFBGA（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46LQ16128A-062BLA1			136	1.6 GHz	易挥发的	2Gbit	3.5 ns	德拉姆	128m x 16	lvstl	18NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS）（5782）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²