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（ICS）（5782）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
IS25LQ032B-JLLE	-	RFQ	4303	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	IS25LQ032	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-wson（8x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	480	104 MHz	非易失性	32Mbit		闪光	4m x 8	Spi -Quad I/O。	1ms
IS65WV12816BLL-55TLA3	4.6436	RFQ	4136	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS65WV12816	sram-异步	2.5V〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	135		易挥发的	2Mbit	55 ns	SRAM	128K x 16	平行线	55ns
IS25WQ040-JNLE	-	RFQ	9997	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	IS25WQ040	闪光灯 -也不	1.65V〜1.95V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	100	104 MHz	非易失性	4Mbit		闪光	512k x 8	spi	1ms
IS25LQ512B-JDLE-TR	-	RFQ	8195	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	IS25LQ512	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	3,500	104 MHz	非易失性	512kbit		闪光	64k x 8	Spi -Quad I/O。	800µs
IS42S86400D-7TL-Tr	12.3000	RFQ	5919	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S86400	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	1,500	143 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	64m x 8	平行线	-
IS66WV51216DBLL-70TLI	-	RFQ	8722	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS66WV51216	PSRAM （伪 SRAM）	2.5V〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	135		易挥发的	8mbit	70 ns	PSRAM	512k x 16	平行线	70NS
IS46QR81024A-083TBLA2-TR	19.6175	RFQ	9373	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	78-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-TWBGA（10x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46QR81024A-083TBLA2-TR			2,000	1.2 GHz	易挥发的	8Gbit	18 ns	德拉姆	1G x 8	平行线	15ns
IS45S32200E-7BLA1-TR	-	RFQ	1031	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS45S32200	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500	143 MHz	易挥发的	64mbit	5.5 ns	德拉姆	2m x 32	平行线	-
IS21ES04G-JQLI	-	RFQ	4520	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LBGA	IS21ES04	Flash -nand （MLC）	2.7V〜3.6V	100-LFBGA（14x18）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS21ES04G-JQLI	3A991B1A	8542.32.0071	98	200 MHz	非易失性	32Gbit		闪光	4G x 8	EMMC	-
IS46TR16128AL-125KBLA2-TR	-	RFQ	5832	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS46TR16128	SDRAM -DDR3	1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,500	800 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
IS42RM32400G-75BLI	-	RFQ	6179	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42RM32400	sdram-移动	2.3V〜3V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	240	133 MHz	易挥发的	128mbit	6 ns	德拉姆	4m x 32	平行线	-
IS66WVQ8M4DBLL-133BLI-TR	2.6055	RFQ	9912	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA		PSRAM （伪 SRAM）	2.7V〜3.6V	24-tfbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS66WVQ8M4DBLL-133BLI-TR			2,500	133 MHz	易挥发的	32Mbit		PSRAM	8m x 4	Spi -Quad I/O。	45ns
IS61WV25616BLL-10TL	3.6500	RFQ	4	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS61WV25616	sram-异步	2.4v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	135		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	256K x 16	平行线	10NS
IS61NLF51236-6.5B3	-	RFQ	6126	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61NLF51236	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	144	133 MHz	易挥发的	18mbit	6.5 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
IS45S32400E-7TLA2-Tr	-	RFQ	1169	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS45S32400	Sdram	3v〜3.6V	86-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,500	143 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 32	平行线	-
IS43LR16320B-6BLI-TR	-	RFQ	9237	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS43LR16320	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-tfbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	2,000	166 MHz	易挥发的	512Mbit	5.5 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	12ns
IS61WV51216EEBLL-10BLI	7.3822	RFQ	1184	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS61WV51216	sram-异步	2.4v〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	480		易挥发的	8mbit	10 ns	SRAM	512k x 16	平行线	10NS
IS41C16100C-50TI	-	RFQ	2796	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	50-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽），44条线索	IS41C16100	戏剧性	4.5V〜5.5V	50-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	117		易挥发的	16mbit	25 ns	德拉姆	1m x 16	平行线	85ns
IS43TR81280B-107MBL	5.9578	RFQ	9314	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	不适合新设计	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	IS43TR81280	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-TWBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	242	933 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
IS43LR16640A-5BL	9.4267	RFQ	9562	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS43LR16640	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-twbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	300	200 MHz	易挥发的	1Gbit	5 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS43LQ32640AL-062TBLI	10.4241	RFQ	9537	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4x	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-tfbga（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43LQ32640AL-062TBLI			136	1.6 GHz	易挥发的	2Gbit	3.5 ns	德拉姆	64m x 32	lvstl	18NS
IS62WV2568BLL-55BLI-TR	2.1507	RFQ	9241	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	36-TFBGA	IS62WV2568	sram-异步	2.5V〜3.6V	36-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,500		易挥发的	2Mbit	55 ns	SRAM	256K x 8	平行线	55ns
IS43R16320E-5TLI	7.4065	RFQ	1847年	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS43R16320	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	108	200 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
IS46LQ32640AL-062TBLA1	-	RFQ	5977	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4x	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-tfbga（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46LQ32640AL-062TBLA1			136	1.6 GHz	易挥发的	2Gbit	3.5 ns	德拉姆	64m x 32	lvstl	18NS
IS21TF32G-JQLI	48.3300	RFQ	29	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LBGA	IS21TF32G	Flash -nand（tlc）	2.7V〜3.6V	100-LFBGA（14x18）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS21TF32G-JQLI	3A991B1A	8542.32.0071	98	200 MHz	非易失性	256Gbit		闪光	32g x 8	MMC	-
IS45S16400F-7TLA2	-	RFQ	8590	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	50-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS45S16400	Sdram	3v〜3.6V	50-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	108	143 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 16	平行线	-
IS43TR81280BL-107MBL	-	RFQ	8146	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	IS43TR81280	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-TWBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	242	933 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
IS46DR16640C-25DBLA1-Tr	5.4450	RFQ	5649	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	84-TFBGA	IS46DR16640	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	2,500	400 MHz	易挥发的	1Gbit	400 ps	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS49NLC36800A-25WBL	27.7833	RFQ	8236	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	144-TFBGA		rldram 2	1.7V〜1.9V	144-twbga（11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS49NLC36800A-25WBL			104	400 MHz	易挥发的	288Mbit	20 ns	德拉姆	8m x 36	HSTL	-
IS61WV5128BLL-10TLI-TR	3.0606	RFQ	2226	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS61WV5128	sram-异步	2.4v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	512k x 8	平行线	10NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS）（5782）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²