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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
IS25WP032D-JLLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP032D-JLLE -
RFQ
ECAD 4663 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 IS25WP032 闪光灯 -也不 1.65V〜1.95V 8-wson(8x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 800µs
IS42S16160D-75ETLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160D-75ETLI-TR -
RFQ
ECAD 8801 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) IS42S16160 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,500 133 MHz 易挥发的 256Mbit 5.5 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 -
IS42VM32160D-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32160D-75BLI -
RFQ
ECAD 6278 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS42VM32160 sdram-移动 1.7V〜1.95V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 240 133 MHz 易挥发的 512Mbit 6 ns 德拉姆 16m x 32 平行线 -
IS42S16160B-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160B-6BL-TR -
RFQ
ECAD 3912 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-LFBGA IS42S16160 Sdram 3v〜3.6V 54-LFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 2,500 166 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 -
IS62C25616EL-45TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62C25616EL-45TLI-TR 3.4742
RFQ
ECAD 3497 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) IS62C25616 sram-异步 4.5V〜5.5V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 易挥发的 4Mbit 45 ns SRAM 256K x 16 平行线 45ns
IS61NLF25636A-7.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF25636A-7.5TQLI-Tr 12.7500
RFQ
ECAD 3910 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP IS61NLF25636 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 100-LQFP(14x20) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 800 117 MHz 易挥发的 9Mbit 7.5 ns SRAM 256K x 36 平行线 -
IS61VPS51236A-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS51236A-200TQLI -
RFQ
ECAD 6817 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP IS61VPS51236 sram-同步,sdr 2.375V〜2.625V 100-LQFP(14x20) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 72 200 MHz 易挥发的 18mbit 3.1 ns SRAM 512k x 36 平行线 -
IS49RL18320-093EBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL18320-093EBL -
RFQ
ECAD 3278 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 168-LBGA IS49RL18320 德拉姆 1.28V〜1.42V 168-FBGA((13.5x13.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 119 1.066 GHz 易挥发的 576Mbit 8 ns 德拉姆 32m x 18 平行线 -
IS34ML04G081-TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS34ML04G081-TLI 11.7000
RFQ
ECAD 8 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) IS34ML04 Flash -nand(slc) 2.7V〜3.6V 48-tsop i 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-1634 3A991B1A 8542.32.0071 96 非易失性 4Gbit 25 ns 闪光 512m x 8 平行线 25ns
IS42S32400B-6T-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400B-6T-TR -
RFQ
ECAD 8887 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) IS42S32400 Sdram 3v〜3.6V 86-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,500 166 MHz 易挥发的 128mbit 5.4 ns 德拉姆 4m x 32 平行线 -
IS61LF102418B-7.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF102418B-7.5TQLI 17.2425
RFQ
ECAD 8483 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP IS61LF102418 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 100-LQFP(14x20) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 72 117 MHz 易挥发的 18mbit 7.5 ns SRAM 1m x 18 平行线 -
IS42S16100H-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100H-6BL-TR 1.3591
RFQ
ECAD 6310 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 60-TFBGA IS42S16100 Sdram 3v〜3.6V 60-TFBGA(6.4x10.1) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0002 2,500 166 MHz 易挥发的 16mbit 5.5 ns 德拉姆 1m x 16 平行线 -
IS61NLF51218A-7.5B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF51218A-7.5B3I-Tr -
RFQ
ECAD 3961 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS61NLF51218 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 165-TFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 117 MHz 易挥发的 9Mbit 7.5 ns SRAM 512k x 18 平行线 -
IS64WV5128EDBLL-10CTLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV5128EDBLL-10CTLA3-TR 6.3941
RFQ
ECAD 9499 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) IS64WV5128 sram-异步 2.4v〜3.6V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 易挥发的 4Mbit 10 ns SRAM 512k x 8 平行线 10NS
IS66WVE4M16EBLL-70BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVE4M16EBLL-70BLI-TR 3.6010
RFQ
ECAD 7353 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFBGA IS66WVE4M16 PSRAM (伪 SRAM) 2.7V〜3.6V 48-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 易挥发的 64mbit 70 ns PSRAM 4m x 16 平行线 70NS
IS43TR81280B-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81280B-125KBLI-TR -
RFQ
ECAD 6127 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA IS43TR81280 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-TWBGA (8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 2,000 800 MHz 易挥发的 1Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 8 平行线 15ns
IS65WV12816BLL-55TA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS65WV12816BLL-55TA3-TR -
RFQ
ECAD 4373 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) IS65WV12816 sram-异步 2.5V〜3.6V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 易挥发的 2Mbit 55 ns SRAM 128K x 16 平行线 55ns
IS61WV102416DALL-12BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416DALL-12BLI-TR 10.2942
RFQ
ECAD 6051 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFBGA sram-异步 1.65V〜2.2V 48-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS61WV102416DALL-12BLI-TR 2,500 易挥发的 16mbit 12 ns SRAM 1m x 16 平行线 12ns
IS25LP064D-JLLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP064D-JLLE 1.3716
RFQ
ECAD 5872 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 大部分 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC) 2.3v〜3.6V 8-wson(8x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS25LP064D-JLLE 480 166 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 40µs,800µs
IS41LV16100B-50TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16100B-50TL -
RFQ
ECAD 9357 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) IS41LV16100 戏剧性 3v〜3.6V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 117 易挥发的 16mbit 25 ns 德拉姆 1m x 16 平行线 -
IS49NLS18160-33WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS18160-33WBLI -
RFQ
ECAD 5594 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 144-TFBGA IS49NLS18160 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-twbga(11x18.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 104 300 MHz 易挥发的 288Mbit 20 ns 德拉姆 16m x 18 平行线 -
IS61WV51216EDALL-20BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV51216EDALL-20BLI-TR 12.0000
RFQ
ECAD 7651 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFBGA IS61WV51216 sram-异步 1.65V〜2.2V 48-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 易挥发的 8mbit 20 ns SRAM 512k x 16 平行线 20NS
IS43R16160D-6BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160D-6BI-Tr -
RFQ
ECAD 3555 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 60-TFBGA IS43R16160 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 60-tfbga(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 2,500 166 MHz 易挥发的 256Mbit 700 ps 德拉姆 16m x 16 平行线 15ns
IS43TR81024B-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81024B-107MBLI 22.8583
RFQ
ECAD 9132 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-TWBGA(10x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS43TR81024B-107MBLI 136 933 MHz 易挥发的 8Gbit 20 ns 德拉姆 1G x 8 平行线 15ns
IS61NLF102418-6.5B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF102418-6.5B3I-Tr -
RFQ
ECAD 1120 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS61NLF102418 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 165-TFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 133 MHz 易挥发的 18mbit 6.5 ns SRAM 1m x 18 平行线 -
IS43TR16512B-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512B-125KBLI 26.1600
RFQ
ECAD 658 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS43TR16512 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA(10x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-1657 Ear99 8542.32.0036 136 800 MHz 易挥发的 8Gbit 20 ns 德拉姆 512m x 16 平行线 -
IS42SM32160C-7BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM32160C-7BLI-TR -
RFQ
ECAD 7627 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-LFBGA IS42SM32160 sdram-移动 3v〜3.6V 90-WBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 2,500 133 MHz 易挥发的 512Mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 32 平行线 -
IS62WV5128DBLL-45TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128DBLL-45TLI-TR -
RFQ
ECAD 8746 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 32-tfsop (0.465英寸,11.80mm((11.80mm)) IS62WV5128 sram-异步 2.3v〜3.6V 32-tsop i 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1,500 易挥发的 4Mbit 45 ns SRAM 512k x 8 平行线 45ns
IS61VF102418A-7.5B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VF102418A-7.5B3-Tr -
RFQ
ECAD 5243 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS61VF102418 sram-同步,sdr 2.375V〜2.625V 165-TFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 117 MHz 易挥发的 18mbit 7.5 ns SRAM 1m x 18 平行线 -
IS49NLC96400A-33WBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC96400A-33WBL -
RFQ
ECAD 3498 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 144-TFBGA IS49NLC96400 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-twbga(11x18.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 104 300 MHz 易挥发的 576Mbit 20 ns 德拉姆 64m x 9 平行线 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库