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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
IS25WQ040-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WQ040-JNLE -
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ECAD 9997 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 管子 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) IS25WQ040 闪光灯 -也不 1.65V〜1.95V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 100 104 MHz 非易失性 4Mbit 闪光 512k x 8 spi 1ms
IS45S32400E-7TLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32400E-7TLA2-Tr -
RFQ
ECAD 1169 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) IS45S32400 Sdram 3v〜3.6V 86-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,500 143 MHz 易挥发的 128mbit 5.4 ns 德拉姆 4m x 32 平行线 -
IS61WV25616BLL-10TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616BLL-10TL 3.6500
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ECAD 4 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) IS61WV25616 sram-异步 2.4v〜3.6V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 135 易挥发的 4Mbit 10 ns SRAM 256K x 16 平行线 10NS
IS41LV16100B-60KLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16100B-60KLI-TR -
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ECAD 7062 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 42-BSOJ(0.400英寸,10.16mm宽度) IS41LV16100 戏剧性 3v〜3.6V 42-soj 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,000 易挥发的 16mbit 30 ns 德拉姆 1m x 16 平行线 -
IS46TR16128AL-125KBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128AL-125KBLA2-TR -
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ECAD 5832 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM -DDR3 1.283V〜1.45V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,500 800 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 16 平行线 15ns
IS41C16100C-50TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41C16100C-50TI -
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ECAD 2796 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 50-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽),44条线索 IS41C16100 戏剧性 4.5V〜5.5V 50-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 117 易挥发的 16mbit 25 ns 德拉姆 1m x 16 平行线 85ns
IS43LQ32640AL-062TBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LQ32640AL-062TBLI 10.4241
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ECAD 9537 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 200-tfbga sdram- lpddr4x 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V 200-tfbga(10x14.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS43LQ32640AL-062TBLI 136 1.6 GHz 易挥发的 2Gbit 3.5 ns 德拉姆 64m x 32 lvstl 18NS
IS42RM32400G-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32400G-75BLI -
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ECAD 6179 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS42RM32400 sdram-移动 2.3V〜3V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 240 133 MHz 易挥发的 128mbit 6 ns 德拉姆 4m x 32 平行线 -
IS61NLP25636A-200B2I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP25636A-200B2I -
RFQ
ECAD 5947 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 119-BBGA IS61NLP25636 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 119-PBGA(14x22) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 84 200 MHz 易挥发的 9Mbit 3.1 ns SRAM 256K x 36 平行线 -
IS49NLC96400A-25WBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC96400A-25WBL 52.8000
RFQ
ECAD 2939 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 144-TFBGA IS49NLC96400 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-twbga(11x18.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 104 400 MHz 易挥发的 576Mbit 20 ns 德拉姆 64m x 9 平行线 -
IS61LV5128AL-10KLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV5128AL-10KLI 4.1694
RFQ
ECAD 4295 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 管子 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 36-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) IS61LV5128 sram-异步 3.135v〜3.6V 36-SOJ 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 19 易挥发的 4Mbit 10 ns SRAM 512k x 8 平行线 10NS
IS43LR32640A-5BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32640A-5BLI-TR 12.8850
RFQ
ECAD 1124 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-LFBGA IS43LR32640 sdram -ddr 1.7V〜1.95V 90-WBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,500 200 MHz 易挥发的 2Gbit 5 ns 德拉姆 64m x 32 平行线 15ns
IS49NLC36800A-25WBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC36800A-25WBL 27.7833
RFQ
ECAD 8236 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 144-TFBGA rldram 2 1.7V〜1.9V 144-twbga(11x18.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS49NLC36800A-25WBL 104 400 MHz 易挥发的 288Mbit 20 ns 德拉姆 8m x 36 HSTL -
IS61WV5128BLL-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV5128BLL-10TLI-TR 3.0606
RFQ
ECAD 2226 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) IS61WV5128 sram-异步 2.4v〜3.6V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 易挥发的 4Mbit 10 ns SRAM 512k x 8 平行线 10NS
IS61NLP102436B-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP102436B-200TQLI-TR 69.6500
RFQ
ECAD 2715 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP IS61NLP102436 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 100-LQFP(14x20) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 800 200 MHz 易挥发的 36mbit 3.1 ns SRAM 1m x 36 平行线 -
IS61NLP102418-250B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP102418-250B3I-Tr -
RFQ
ECAD 1486年 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS61NLP102418 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 165-TFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 250 MHz 易挥发的 18mbit 2.6 ns SRAM 1m x 18 平行线 -
IS62WV2568BLL-55BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV2568BLL-55BLI-TR 2.1507
RFQ
ECAD 9241 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 36-TFBGA IS62WV2568 sram-异步 2.5V〜3.6V 36-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 易挥发的 2Mbit 55 ns SRAM 256K x 8 平行线 55ns
IS45S16400F-7TLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16400F-7TLA2 -
RFQ
ECAD 8590 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 50-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽) IS45S16400 Sdram 3v〜3.6V 50-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 108 143 MHz 易挥发的 64mbit 5.4 ns 德拉姆 4m x 16 平行线 -
IS43TR81280BL-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81280BL-107MBL -
RFQ
ECAD 8146 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA IS43TR81280 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-TWBGA (8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 242 933 MHz 易挥发的 1Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 8 平行线 15ns
IS42SM32200K-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM32200K-6BLI-TR -
RFQ
ECAD 4910 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS42SM32200 sdram-移动 2.7V〜3.6V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 2,500 166 MHz 易挥发的 64mbit 5.5 ns 德拉姆 2m x 32 平行线 -
IS43R16320E-5TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320E-5TLI 7.4065
RFQ
ECAD 1847年 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) IS43R16320 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 66-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 108 200 MHz 易挥发的 512Mbit 700 ps 德拉姆 32m x 16 平行线 15ns
IS61NVF51236-6.5B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVF51236-6.5B3I -
RFQ
ECAD 2938 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS61NVF51236 sram-同步,sdr 2.375V〜2.625V 165-TFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 144 133 MHz 易挥发的 18mbit 6.5 ns SRAM 512k x 36 平行线 -
IS43TR16640A-125JBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640A-125JBLI-TR -
RFQ
ECAD 1373 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS43TR16640 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 1,500 800 MHz 易挥发的 1Gbit 20 ns 德拉姆 64m x 16 平行线 15ns
IS62WV102416FBLL-45BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV102416FBLL-45BLI-TR 8.1000
RFQ
ECAD 8879 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-VFBGA IS62WV102416 sram-异步 2.2v〜3.6V 48-VFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 易挥发的 16mbit 45 ns SRAM 1m x 16 平行线 45ns
IS43LR32800G-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32800G-6BL-TR 5.3250
RFQ
ECAD 1088 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS43LR32800 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 2,500 166 MHz 易挥发的 256Mbit 5.5 ns 德拉姆 8m x 32 平行线 15ns
IS42S16160J-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160J-7TL-Tr 2.5809
RFQ
ECAD 1477 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) IS42S16160 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,500 143 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 -
IS61DDP2B22M36A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDP2B22M36A-400M3L 100.1770
RFQ
ECAD 2518 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-LBGA IS61DDP2 sram-同步,ddr iip 1.71V〜1.89V 165-LFBGA(15x17) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0002 105 400 MHz 易挥发的 72Mbit SRAM 2m x 36 平行线 -
IS46LQ32640AL-062TBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32640AL-062TBLA1 -
RFQ
ECAD 5977 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 大部分 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 200-tfbga sdram- lpddr4x 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V 200-tfbga(10x14.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS46LQ32640AL-062TBLA1 136 1.6 GHz 易挥发的 2Gbit 3.5 ns 德拉姆 64m x 32 lvstl 18NS
IS21TF32G-JQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21TF32G-JQLI 48.3300
RFQ
ECAD 29 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LBGA IS21TF32G Flash -nand(tlc) 2.7V〜3.6V 100-LFBGA(14x18) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS21TF32G-JQLI 3A991B1A 8542.32.0071 98 200 MHz 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 MMC -
IS61C256AL-12TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C256AL-12TLI-TR 1.0839
RFQ
ECAD 5472 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 28-tssop (0.465英寸,11.80mm宽度) IS61C256 sram-异步 4.5V〜5.5V 28-tsop i 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0041 2,000 易挥发的 256kbit 12 ns SRAM 32K x 8 平行线 12ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库