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（ICS）（5782）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	频率	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	电流 -输出 /通道	时钟频率	输出数量	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	内部开关	拓扑	电压 -电源（最大）	昏暗	电压 -电源（最小）	电压 -输出
IS61C6416AL-12TLI	2.4500	RFQ	4	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）		表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）		IS61C6416		sram-异步	4.5V〜5.5V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	135				易挥发的	1Mbit	12 ns	SRAM	64k x 16	平行线	12ns
IS45S16320D-7CTLA1	20.0828	RFQ	4678	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）		表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）		IS45S16320		Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	108		143 MHz		易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	-
IS62WV25616ECLL-35TLI	4.1774	RFQ	6952	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）		表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）				sram-异步	3.135V〜3.465V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS62WV25616ECLL-35TLI			135				易挥发的	4Mbit	35 ns	SRAM	256K x 16	平行线	35ns
IS25WP080D-JNLE	0.8600	RFQ	4	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	积极的	-40°C〜105°C（TA）		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		IS25WP080		闪光灯 -也不	1.65V〜1.95V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	100		133 MHz		非易失性	8mbit		闪光	1m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	800µs
IS43LQ16128AL-062BLI	-	RFQ	2173	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜95°C（TC）		表面安装	200-WFBGA				sdram- lpddr4x	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-VFBGA（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43LQ16128AL-062BLI			136		1.6 GHz		易挥发的	2Gbit	3.5 ns	德拉姆	128m x 16	lvstl	18NS
IS43TR16256AL-15HBL-TR	-	RFQ	5255	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）		表面安装	96-TFBGA		IS43TR16256		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,500		667 MHz		易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	15ns
IS46LQ16256A-062BLA1-TR	-	RFQ	4120	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）		表面安装	200-VFBGA				sdram- lpddr4	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-VFBGA（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46LQ16256A-062BLA1-TR			2,500		1.6 GHz		易挥发的	4Gbit		德拉姆	256m x 16	lvstl	-
IS42S16400D-6BL-TR	-	RFQ	2162	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）		表面安装	60-TFBGA		IS42S16400		Sdram	3v〜3.6V	60 minibga（6.4x10.1）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500		166 MHz		易挥发的	64mbit	5 ns	德拉姆	4m x 16	平行线	-
IS42S16320F-7BL-TR	10.4550	RFQ	7176	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）		表面安装	54-TFBGA		IS42S16320		Sdram	3v〜3.6V	54-TW-BGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	2,500		143 MHz		易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	-
IS31FL3741-QFLS4-Tr	2.0250	RFQ	9023	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜125°C	通用目的	表面安装	60-WFQFN暴露垫	线性	IS31FL3741	1MHz			60-qfn （7x7）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	2,500	38mA		39								不	-	5.5V	PWM	2.7V	-
IS43TR16512A-125KBLI-TR	-	RFQ	1889年	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜95°C（TC）		表面安装	96-LFBGA		IS43TR16512		SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-LFBGA（10x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000		800 MHz		易挥发的	8Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 16	平行线	15ns
IS43DR16160B-3DBL-TR	2.3989	RFQ	3886	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）		表面安装	84-TFBGA		IS43DR16160		SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	2,500		333 MHz		易挥发的	256Mbit	450 ps	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
IS61NLP25672-250B1	-	RFQ	4554	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）		表面安装	209-BGA		IS61NLP25672		sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	209-LFBGA（14x22）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	84		250 MHz		易挥发的	18mbit	2.6 ns	SRAM	256K x 72	平行线	-
IS61LPS204818B-200B3L	89.7750	RFQ	2839	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）		表面安装	165-TBGA		IS61LPS204818		sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	144		200 MHz		易挥发的	36mbit	3.1 ns	SRAM	2m x 18	平行线	-
IS42S16160G-7BI	-	RFQ	7376	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）		表面安装	54-TFBGA		IS42S16160		Sdram	3v〜3.6V	54-tfbga（8x8）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	348		143 MHz		易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	-
IS45S16800F-6TLA1	4.4232	RFQ	2490	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）		表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）		IS45S16800		Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	108		166 MHz		易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	-
IS46QR16512A-083TBLA2-TR	20.8943	RFQ	1215	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TC）		表面安装	96-TFBGA				SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-TWBGA（10x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46QR16512A-083TBLA2-TR			2,000		1.2 GHz		易挥发的	8Gbit	18 ns	德拉姆	512m x 16	平行线	15ns
IS64LF12836A-7.5B3LA3-Tr	11.2024	RFQ	9926	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）		表面安装	165-TBGA		IS64LF12836		sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000		117 MHz		易挥发的	4.5mbit	7.5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
IS43R16160F-6TLI-Tr	2.6967	RFQ	7512	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）		表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）		IS43R16160		sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,500		166 MHz		易挥发的	256Mbit	700 ps	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
IS43TR16128CL-125KBL-TR	5.3700	RFQ	5	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）		表面安装	96-TFBGA		IS43TR16128		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,500		800 MHz		易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
IS43TR81280BL-107MBL-TR	-	RFQ	4283	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）		表面安装	78-TFBGA		IS43TR81280		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-TWBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	2,000		933 MHz		易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
IS65WV102416EBLL-55BLA3	9.6935	RFQ	6435	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TA）		表面安装	48-VFBGA				sram-异步	2.2v〜3.6V	48-VFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS65WV102416EBLL-55BLA3			480				易挥发的	16mbit	55 ns	SRAM	1m x 16	平行线	55ns
IS61C64AL-10JLI	1.3059	RFQ	7629	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）		表面安装	28-bsoj（0.300英寸，7.62mm宽度）		IS61C64		sram-异步	4.75V〜5.25V	28-soj	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	25				易挥发的	64kbit	10 ns	SRAM	8k x 8	平行线	10NS
IS61WV25616EDBLL-10TLI-TR	2.8952	RFQ	7390	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）		表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）		IS61WV25616		sram-异步	2.4v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000				易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	256K x 16	平行线	10NS
IS42S16400D-7BL	-	RFQ	8155	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）		表面安装	60-TFBGA		IS42S16400		Sdram	3v〜3.6V	60 minibga（6.4x10.1）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	286		143 MHz		易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 16	平行线	-
IS42S16400D-7T	-	RFQ	3257	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	在sic中停产	0°C〜70°C（TA）		表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）		IS42S16400		Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	108		143 MHz		易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 16	平行线	-
IS45S16160G-7BLA2	9.0269	RFQ	2379	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	不适合新设计	-40°C〜105°C（TA）		表面安装	54-TFBGA		IS45S16160		Sdram	3v〜3.6V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	348		143 MHz		易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	-
IS49NLC18320-25B	-	RFQ	5005	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）		表面安装	144-TFBGA		IS49NLC18320		rldram 2	1.7V〜1.9V	144-FCBGA （11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	104		400 MHz		易挥发的	576Mbit	20 ns	德拉姆	32m x 18	平行线	-
IS42SM16800G-75BLI	-	RFQ	2094	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）		表面安装	54-TFBGA		IS42SM16800		sdram-移动	2.7V〜3.6V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	348		133 MHz		易挥发的	128mbit	6 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	-
IS46TR16640ED-125KBLA1	7.7520	RFQ	2473	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜95°C（TC）		表面安装	96-TFBGA				SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	-	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46TR16640ED-125KBLA1			190		800 MHz		易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	SSTL_15	15ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS）（5782）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²