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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 频率 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电流 -输出 /通道 | 时钟频率 | 输出数量 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | 内部开关 | 拓扑 | 电压 -电源(最大) | 昏暗 | 电压 -电源(最小) | 电压 -输出 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IS43DR16160B-25DBL | 2.6286 | ![]() | 6581 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 84-TFBGA | IS43DR16160 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA(8x12.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 209 | 400 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 400 ps | 德拉姆 | 16m x 16 | 平行线 | 15ns | ||||||||||||||
![]() | IS61LPD51236A-200B3-Tr | - | ![]() | 4019 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | IS61LPD51236 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 165-PBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 200 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 3.1 ns | SRAM | 512k x 36 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS61WV10248BLL-10MLI-TR | 12.7500 | ![]() | 8985 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | IS61WV10248 | sram-异步 | 2.4v〜3.6V | 48-Minibga(9x11) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 易挥发的 | 8mbit | 10 ns | SRAM | 1m x 8 | 平行线 | 10NS | ||||||||||||||
![]() | IS62WV25616ECLL-35BLI | 3.9214 | ![]() | 4530 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | sram-异步 | 3.135V〜3.465V | 48-TFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS62WV25616ECLL-35BLI | 480 | 易挥发的 | 4Mbit | 35 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 35ns | |||||||||||||||||
![]() | IS43TR16256A-107MBL | - | ![]() | 4085 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | IS43TR16256 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA(9x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 933 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 256m x 16 | 平行线 | 15ns | |||||||||||||
![]() | IS49RL18320A-093EBLI | 76.6200 | ![]() | 1858年 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 168-LBGA | rldram 3 | 1.28V〜1.42V | 168-FBGA((13.5x13.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS49RL18320A-093EBLI | Ear99 | 8542.32.0032 | 119 | 1.066 GHz | 易挥发的 | 576Mbit | 7.5 ns | 德拉姆 | 32m x 18 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS61NLP51236-250TQLI-Tr | - | ![]() | 5723 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | IS61NLP51236 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 100-LQFP(14x20) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 250 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 2.6 ns | SRAM | 512k x 36 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS61C1024AL-12KLI | - | ![]() | 2104 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-bsoj(0.400英寸,10.16毫米宽) | IS61C1024 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 32-soj | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 21 | 易挥发的 | 1Mbit | 12 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 12ns | ||||||||||||||
![]() | IS49RL18320-107EBL | - | ![]() | 2949 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 168-LBGA | IS49RL18320 | 德拉姆 | 1.28V〜1.42V | 168-FBGA((13.5x13.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0032 | 119 | 933 MHz | 易挥发的 | 576Mbit | 8 ns | 德拉姆 | 32m x 18 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS43TR81280C-125JBLI | 3.7208 | ![]() | 1086 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-TWBGA (8x10.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS43TR81280C-125JBLI | 242 | 800 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 128m x 8 | 平行线 | 15ns | ||||||||||||||||
![]() | IS42RM32800D-75TLI | - | ![]() | 1923年 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 90-TFBGA | IS42RM32800 | sdram-移动 | 2.3v〜2.7V | 90-TFBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 240 | 133 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 8m x 32 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS46TR16128DL-125KBLA2-TR | 5.5738 | ![]() | 5961 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | IS46TR16128 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA(9x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS46TR16128DL-125KBLA2-TR | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 800 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 128m x 16 | 平行线 | 15ns | ||||||||||||
![]() | IS29GL128-70GLEB | 4.9552 | ![]() | 9994 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 56-TFBGA | 闪存-SLC) | 3v〜3.6V | 56-TFBGA(7x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS29GL128-70GLEB | 240 | 非易失性 | 128mbit | 70 ns | 闪光 | 16m x 8 | CFI | 70ns,200µs | |||||||||||||||||
![]() | IS62WV12816DBLL-45BLI-TR | - | ![]() | 6107 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | IS62WV12816 | sram-异步 | 2.5V〜3.6V | 48-TFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,500 | 易挥发的 | 2Mbit | 45 ns | SRAM | 128K x 16 | 平行线 | 45ns | ||||||||||||||
![]() | IS61LF51236A-7.5B3I-Tr | - | ![]() | 7597 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | IS61LF51236 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 117 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 7.5 ns | SRAM | 512k x 36 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS43TR16128DL-107MBLI | 6.6300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | IS43TR16128 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA(9x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-1723 | Ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 933 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 128m x 16 | 平行线 | 15ns | ||||||||||||
![]() | IS31FL3732-QFLS2-TR | 1.2000 | ![]() | 4960 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -40°C〜85°C(TA) | - | 表面安装 | 40-WFQFN暴露垫 | 线性 | IS31FL3732 | - | 40 QFN(5x5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 34ma | 18 | - | - | 5.5V | 类似物 | 2.7V | - | ||||||||||||
![]() | IS42S32200C1-7TL | - | ![]() | 6490 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) | IS42S32200 | Sdram | 3.15V〜3.45V | 86-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | 易挥发的 | 64mbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 2m x 32 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS45S16320F-6CTLA1-Tr | 13.0500 | ![]() | 6885 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS45S16320 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 1,500 | 167 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 32m x 16 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS61NLP51218B-200TQLI-TR | 11.4000 | ![]() | 2440 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | IS61NLP51218 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 100-LQFP(14x20) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 200 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | 3.1 ns | SRAM | 512k x 18 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS42S32160F-6BLI-TR | 12.6600 | ![]() | 4218 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 90-TFBGA | IS42S32160 | Sdram | 3v〜3.6V | 90-TFBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 2,500 | 167 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 16m x 32 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS43LR32640A-6BL | 11.4637 | ![]() | 9262 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 90-LFBGA | IS43LR32640 | sdram -ddr | 1.7V〜1.95V | 90-WBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 240 | 166 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 5 ns | 德拉姆 | 64m x 32 | 平行线 | 15ns | |||||||||||||
![]() | IS43LR32100D-6BLI-TR | 2.9135 | ![]() | 9295 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 90-TFBGA | IS43LR32100 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-TFBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 166 MHz | 易挥发的 | 32Mbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 1m x 32 | 平行线 | 15ns | |||||||||||||
![]() | IS25LQ025B-JNLE | - | ![]() | 8020 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IS25LQ025 | 闪光灯 -也不 | 2.3v〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-1328 | Ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | 非易失性 | 256kbit | 闪光 | 32K x 8 | Spi -Quad I/O。 | 800µs | |||||||||||||
IS64WV2568EDBLL-10CTLA3 | 5.8058 | ![]() | 5067 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS64WV2568 | sram-异步 | 2.4v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 易挥发的 | 2Mbit | 10 ns | SRAM | 256K x 8 | 平行线 | 10NS | |||||||||||||||
![]() | IS61WV25616BLL-10BLI | 4.2900 | ![]() | 275 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | IS61WV25616 | sram-异步 | 2.4v〜3.6V | 48-TFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 易挥发的 | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 10NS | ||||||||||||||
![]() | IS61NVF51236-6.5B3 | - | ![]() | 8165 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | IS61NVF51236 | sram-同步,sdr | 2.375V〜2.625V | 165-TFBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 133 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 6.5 ns | SRAM | 512k x 36 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS43TR16640BL-125JBLI | - | ![]() | 3830 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | IS43TR16640 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA(9x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0032 | 190 | 800 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 64m x 16 | 平行线 | 15ns | |||||||||||||
IS61WV25616EDBLL-8TLI | 4.3891 | ![]() | 9971 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS61WV25616 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 易挥发的 | 4Mbit | 8 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 8ns | |||||||||||||||
IS61LV6416-10KLI-TR | - | ![]() | 7989 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) | IS61LV6416 | sram-异步 | 3.135v〜3.6V | 44-SOJ | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 800 | 易挥发的 | 1Mbit | 10 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 10NS |
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