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![]() | IS42S81600F-7TL | 2.3748 | ![]() | 5227 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS42S81600 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 16m x 8 | 平行线 | - | ||
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![]() | IS61QDPB42M36A1-500B4L | 111.7063 | ![]() | 5269 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | IS61QDPB42 | sram-同步,Quadp | 1.71V〜1.89V | 165-LFBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 500 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | 8.4 ns | SRAM | 2m x 36 | 平行线 | - | ||
![]() | IS61QDPB42M36A1-550B4LI | - | ![]() | 1887年 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | IS61QDPB42 | sram-四边形端口,同步 | 1.71V〜1.89V | 165-LFBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 550 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | SRAM | 2m x 36 | 平行线 | - | |||
![]() | IS46TR82560B-15HBLA2-TR | - | ![]() | 3188 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | IS46TR82560 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-TWBGA (8x10.5) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS46TR82560B-15HBLA2-TR | Ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 667 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 256m x 8 | 平行线 | 15ns | |
![]() | IS46R16160D-6BLA1-Tr | 6.1200 | ![]() | 8742 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 60-TFBGA | IS46R16160 | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 60-tfbga(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 166 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 16m x 16 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | IS46TR16640BL-125JBLA2-TR | - | ![]() | 7854 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | IS46TR16640 | SDRAM -DDR3 | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA(9x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0032 | 1,500 | 800 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 64m x 16 | 平行线 | - | ||
![]() | IS43R83200D-6TLI | 6.1236 | ![]() | 4063 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 不适合新设计 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) | IS43R83200 | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 66-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 108 | 166 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 32m x 8 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | IS43TR16128BL-15HBL-TR | - | ![]() | 7957 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | IS43TR16128 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA(9x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 667 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 128m x 16 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | IS42S81600F-7TLI-TR | 2.4556 | ![]() | 8492 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS42S81600 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 1,500 | 143 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 16m x 8 | 平行线 | - | ||
![]() | IS43LR32160C-6BLI | 8.0950 | ![]() | 3692 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 90-TFBGA | IS43LR32160 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-TFBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 240 | 166 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 16m x 32 | 平行线 | 12ns | ||
![]() | IS65C1024AL-45QLA3-TR | 4.1213 | ![]() | 2117 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 32-SOIC (0.445“,11.30mm宽度) | IS65C1024 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 32 SOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 1Mbit | 45 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 45ns | |||
![]() | IS25LQ512B-JBLE | - | ![]() | 4790 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | IS25LQ512 | 闪光灯 -也不 | 2.3v〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-1323 | Ear99 | 8542.32.0071 | 90 | 104 MHz | 非易失性 | 512kbit | 闪光 | 64k x 8 | Spi -Quad I/O。 | 800µs | ||
![]() | IS43TR16256BL-125KBL-TR | 5.6308 | ![]() | 6065 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | IS43TR16256 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA(9x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS43TR16256BL-125KBL-TR | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 800 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 256m x 16 | 平行线 | 15ns | |
![]() | IS49NLS18160A-18WBLI | 33.5439 | ![]() | 8006 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 144-TFBGA | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-twbga(11x18.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS49NLS18160A-18WBLI | 104 | 533 MHz | 易挥发的 | 288Mbit | 15 ns | 德拉姆 | 16m x 18 | HSTL | - | ||||
![]() | IS62WV1288FBLL-45TLI | 1.7723 | ![]() | 3352 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-tfsop (0.724英寸,宽度18.40mm) | IS62WV1288 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 32-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 156 | 易挥发的 | 1Mbit | 45 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 45ns | |||
IS43DR16320D-25DBL | 2.8719 | ![]() | 5929 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 不适合新设计 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 84-TFBGA | IS43DR16320 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA(8x12.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 209 | 400 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 400 ps | 德拉姆 | 32m x 16 | 平行线 | 15ns |
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