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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
IS64WV25616EFBLL-10CTLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV25616EFBLL-10CTLA3 6.4867
RFQ
ECAD 3002 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 大部分 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) sram-异步 2.4v〜3.6V 44-TSOP II - rohs3符合条件 3(168)) 706-IS64WV25616EFBLL-10CTLA3 135 易挥发的 4Mbit 10 ns SRAM 256K x 16 平行线 10NS
IS43LR16160H-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16160H-6BL 4.8239
RFQ
ECAD 2579 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 60-TFBGA sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-tfbga(8x10) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS43LR16160H-6BL 300 166 MHz 易挥发的 256Mbit 5.5 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 15ns
IS42S16100H-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100H-6BLI 1.5808
RFQ
ECAD 9027 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 60-TFBGA IS42S16100 Sdram 3v〜3.6V 60-TFBGA(6.4x10.1) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0002 286 166 MHz 易挥发的 16mbit 5.5 ns 德拉姆 1m x 16 平行线 -
IS43R16160D-5TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160D-5TL 4.7138
RFQ
ECAD 3797 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 不适合新设计 0°C〜70°C(TA) 表面安装 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) IS43R16160 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 66-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 108 200 MHz 易挥发的 256Mbit 700 ps 德拉姆 16m x 16 平行线 15ns
IS42S81600F-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S81600F-7TL 2.3748
RFQ
ECAD 5227 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) IS42S81600 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 108 143 MHz 易挥发的 128mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 8 平行线 -
IS43TR85120A-093NBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR85120A-093NBLI -
RFQ
ECAD 7700 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 托盘 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA IS43TR85120 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-TWBGA(9x10.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS43TR85120A-093NBLI Ear99 8542.32.0036 220 1.066 GHz 易挥发的 4Gbit 20 ns 德拉姆 512m x 8 平行线 15ns
IS62WVS5128FBLL-20NLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WVS5128FBLL-20NLI-TR 3.5832
RFQ
ECAD 9892 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) sram-同步 2.2v〜3.6V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS62WVS5128FBLL-20NLI-TR 3,000 20 MHz 易挥发的 4Mbit 25 ns SRAM 512k x 8 Spi -Quad I/O,SDI -
IS49NLS18160A-25WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS18160A-25WBLI 30.5534
RFQ
ECAD 2942 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 144-TFBGA rldram 2 1.7V〜1.9V 144-twbga(11x18.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS49NLS18160A-25WBLI 104 400 MHz 易挥发的 288Mbit 20 ns 德拉姆 16m x 18 HSTL -
IS61VPS51236A-200TQI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS51236A-200TQI -
RFQ
ECAD 3534 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP IS61VPS51236 sram-同步,sdr 2.375V〜2.625V 100-LQFP(14x20) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 72 200 MHz 易挥发的 18mbit 3.1 ns SRAM 512k x 36 平行线 -
IS42R32800J-7TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42R32800J-7TLI -
RFQ
ECAD 1889年 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 IS42R32800 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 240
IS61DDB24M18A-300M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB24M18A-300M3L 74.4172
RFQ
ECAD 6619 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-LBGA IS61DDB24 Sram-同步,DDR II 1.71V〜1.89V 165-LFBGA(15x17) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0002 105 300 MHz 易挥发的 72Mbit SRAM 4m x 18 平行线 -
IS43TR16128D-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128D-125KBL 4.6100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-1720 Ear99 8542.32.0036 190 800 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 16 平行线 15ns
IS42S32200C1-7BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200C1-7BL -
RFQ
ECAD 2380 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 90-LFBGA IS42S32200 Sdram 3.15V〜3.45V 90-BGA(13x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 240 143 MHz 易挥发的 64mbit 5.5 ns 德拉姆 2m x 32 平行线 -
IS25WD020-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WD020-JNLE -
RFQ
ECAD 4947 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IS25WD020 闪光灯 -也不 1.65V〜1.95V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 100 80 MHz 非易失性 2Mbit 闪光 256K x 8 spi 3ms
IS25LP128F-RHLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP128F-RHLA3-Tr 2.4676
RFQ
ECAD 5098 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC) 2.3v〜3.6V 24-tfbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS25LP128F-RHLA3-Tr 2,500 166 MHz 非易失性 128mbit 6.5 ns 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 40µs,800µs
IS61QDPB42M36A1-500B4L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB42M36A1-500B4L 111.7063
RFQ
ECAD 5269 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-LBGA IS61QDPB42 sram-同步,Quadp 1.71V〜1.89V 165-LFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 105 500 MHz 易挥发的 72Mbit 8.4 ns SRAM 2m x 36 平行线 -
IS61QDPB42M36A1-550B4LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB42M36A1-550B4LI -
RFQ
ECAD 1887年 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-LBGA IS61QDPB42 sram-四边形端口,同步 1.71V〜1.89V 165-LFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 105 550 MHz 易挥发的 72Mbit SRAM 2m x 36 平行线 -
IS46TR82560B-15HBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR82560B-15HBLA2-TR -
RFQ
ECAD 3188 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 78-TFBGA IS46TR82560 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-TWBGA (8x10.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS46TR82560B-15HBLA2-TR Ear99 8542.32.0036 2,000 667 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 8 平行线 15ns
IS46R16160D-6BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16160D-6BLA1-Tr 6.1200
RFQ
ECAD 8742 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 60-TFBGA IS46R16160 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 60-tfbga(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 2,500 166 MHz 易挥发的 256Mbit 700 ps 德拉姆 16m x 16 平行线 15ns
IS46TR16640BL-125JBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640BL-125JBLA2-TR -
RFQ
ECAD 7854 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM -DDR3 1.283V〜1.45V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 1,500 800 MHz 易挥发的 1Gbit 20 ns 德拉姆 64m x 16 平行线 -
IS43R83200D-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R83200D-6TLI 6.1236
RFQ
ECAD 4063 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) IS43R83200 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 66-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 108 166 MHz 易挥发的 256Mbit 700 ps 德拉姆 32m x 8 平行线 15ns
IS43TR16128BL-15HBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128BL-15HBL-TR -
RFQ
ECAD 7957 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,500 667 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 16 平行线 15ns
IS42S81600F-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S81600F-7TLI-TR 2.4556
RFQ
ECAD 8492 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) IS42S81600 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,500 143 MHz 易挥发的 128mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 8 平行线 -
IS43LR32160C-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32160C-6BLI 8.0950
RFQ
ECAD 3692 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS43LR32160 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 240 166 MHz 易挥发的 512Mbit 5.5 ns 德拉姆 16m x 32 平行线 12ns
IS65C1024AL-45QLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS65C1024AL-45QLA3-TR 4.1213
RFQ
ECAD 2117 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 32-SOIC (0.445“,11.30mm宽度) IS65C1024 sram-异步 4.5V〜5.5V 32 SOP 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0041 1,000 易挥发的 1Mbit 45 ns SRAM 128K x 8 平行线 45ns
IS25LQ512B-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ512B-JBLE -
RFQ
ECAD 4790 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) IS25LQ512 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-1323 Ear99 8542.32.0071 90 104 MHz 非易失性 512kbit 闪光 64k x 8 Spi -Quad I/O。 800µs
IS43TR16256BL-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256BL-125KBL-TR 5.6308
RFQ
ECAD 6065 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS43TR16256 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS43TR16256BL-125KBL-TR Ear99 8542.32.0036 1,500 800 MHz 易挥发的 4Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 16 平行线 15ns
IS49NLS18160A-18WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS18160A-18WBLI 33.5439
RFQ
ECAD 8006 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 144-TFBGA rldram 2 1.7V〜1.9V 144-twbga(11x18.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS49NLS18160A-18WBLI 104 533 MHz 易挥发的 288Mbit 15 ns 德拉姆 16m x 18 HSTL -
IS62WV1288FBLL-45TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV1288FBLL-45TLI 1.7723
RFQ
ECAD 3352 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 32-tfsop (0.724英寸,宽度18.40mm) IS62WV1288 sram-异步 2.2v〜3.6V 32-tsop i 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2B 8542.32.0041 156 易挥发的 1Mbit 45 ns SRAM 128K x 8 平行线 45ns
IS43DR16320D-25DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320D-25DBL 2.8719
RFQ
ECAD 5929 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 不适合新设计 0°C〜70°C(TA) 表面安装 84-TFBGA IS43DR16320 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA(8x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 209 400 MHz 易挥发的 512Mbit 400 ps 德拉姆 32m x 16 平行线 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

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    全球制造商

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