电话: +86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IS61WV5128BLL-10BLI-TR | 3.2736 | ![]() | 8793 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 36-TFBGA | IS61WV5128 | sram-异步 | 2.4v〜3.6V | 36-TFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,500 | 易挥发的 | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 512k x 8 | 平行线 | 10NS | ||||
![]() | IS67WVC4M16EALL-7010BLA1 | - | ![]() | 9400 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C 〜85°C(TC) | IS67WVC4M16 | PSRAM (伪 SRAM) | 1.7V〜1.95V | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 104 MHz | 易挥发的 | 64mbit | 70 ns | PSRAM | 4m x 16 | 平行线 | 70NS | |||||
![]() | IS42SM32400G-75BI | - | ![]() | 2457 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 90-TFBGA | IS42SM32400 | sdram-移动 | 3v〜3.6V | 90-TFBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 240 | 133 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 6 ns | 德拉姆 | 4m x 32 | 平行线 | - | ||
![]() | IS42SM16800H-6BLI | 4.6611 | ![]() | 7126 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-TFBGA | IS42SM16800 | sdram-移动 | 2.7V〜3.6V | 54-tfbga(8x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 348 | 166 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 8m x 16 | 平行线 | - | ||
![]() | IS49NLC36800A-25EWBL | 29.0237 | ![]() | 5037 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 144-TFBGA | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-twbga(11x18.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS49NLC36800A-25EWBL | 104 | 400 MHz | 易挥发的 | 288Mbit | 15 ns | 德拉姆 | 8m x 36 | HSTL | - | ||||
IS61LV25616AL-10TL-TR | 4.4700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS61LV25616 | sram-异步 | 3.135v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 10NS | ||||
![]() | IS64LPS102436B-166TQLA3 | 132.3258 | ![]() | 1123 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | IS64LPS102436 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 100-LQFP(14x20) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 166 MHz | 易挥发的 | 36mbit | 3.8 ns | SRAM | 1m x 36 | 平行线 | - | ||
![]() | IS62WV1288DBLL-45TLI | - | ![]() | 2467 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-tfsop (0.724英寸,宽度18.40mm) | IS62WV1288 | sram-异步 | 2.3v〜3.6V | 32-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 156 | 易挥发的 | 1Mbit | 45 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 45ns | |||
![]() | IS46TR85120BL-125KBLA2 | - | ![]() | 5229 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | IS46TR85120 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-TWBGA (8x10.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS46TR85120BL-125KBLA2 | Ear99 | 8542.32.0036 | 136 | 800 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 512m x 8 | 平行线 | 15ns | |
![]() | IS42S16800F-6TLI | 2.5379 | ![]() | 8874 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS42S16800 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 166 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 8m x 16 | 平行线 | - | ||
IS46DR16640B-25DBLA1 | 8.9157 | ![]() | 3449 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 不适合新设计 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 84-TFBGA | IS46DR16640 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA(8x12.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0032 | 209 | 400 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 400 ps | 德拉姆 | 64m x 16 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | IS43TR81280C-125JBLI-Tr | 3.4178 | ![]() | 1087 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-TWBGA (8x10.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS43TR81280C-125JBLI-TR | 2,000 | 800 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 128m x 8 | 平行线 | 15ns | |||||
![]() | IS43R32800B-5BL-TR | - | ![]() | 4094 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 144-LFBGA | IS43R32800 | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 144-Minibga(12x12) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,500 | 200 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 8m x 32 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | IS43LR32320C-5BLI | 8.9852 | ![]() | 2599 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 90-TFBGA | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-TFBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS43LR32320C-5BLI | 240 | 208 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 5 ns | 德拉姆 | 32m x 32 | 平行线 | 14.4ns | |||||
![]() | IS45S16160J-7CTLA2 | 5.6109 | ![]() | 2256 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS45S16160 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 108 | 143 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 16m x 16 | 平行线 | - | ||
![]() | IS45S32200L-6BLA1-TR | 4.8260 | ![]() | 5207 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 90-TFBGA | IS45S32200 | Sdram | 3v〜3.6V | 90-TFBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 166 MHz | 易挥发的 | 64mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 2m x 32 | 平行线 | - | ||
![]() | IS62LV256-70U | - | ![]() | 6944 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 28 SOP | IS62LV256 | sram-异步 | 3.135V〜3.465V | 28 SOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 25 | 易挥发的 | 256kbit | 70 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 70NS | |||
![]() | IS29GL128-70FLEB-TR | 4.5047 | ![]() | 3464 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 64-LBGA | 闪存-SLC) | 3v〜3.6V | 64-LFBGA(11x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS29GL128-70FLEB-TR | 2,000 | 非易失性 | 128mbit | 70 ns | 闪光 | 16m x 8 | CFI | 70ns,200µs | ||||||
![]() | IS42S16800F-7TLI-TR | 2.2538 | ![]() | 6321 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS42S16800 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 1,500 | 143 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 8m x 16 | 平行线 | - | ||
![]() | IS42S16100C1-7TL-TR | - | ![]() | 7497 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 50-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽) | IS42S16100 | Sdram | 3v〜3.6V | 50-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 143 MHz | 易挥发的 | 16mbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 1m x 16 | 平行线 | - | ||
![]() | IS66WV51216EBLL-70BLI | 2.6973 | ![]() | 9806 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | IS66WV51216 | PSRAM (伪 SRAM) | 2.5V〜3.6V | 48-TFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 易挥发的 | 8mbit | 70 ns | PSRAM | 512k x 16 | 平行线 | 70NS | |||
IS43DR16128C-3DBL-TR | 6.7500 | ![]() | 1217 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 84-TFBGA | IS43DR16128 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA(8x12.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 2,500 | 333 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 450 ps | 德拉姆 | 128m x 16 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | IS25LQ032B-JMLE-TR | - | ![]() | 2750 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | IS25LQ032 | 闪光灯 -也不 | 2.3v〜3.6V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 104 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 1ms | |||
![]() | IS45S16160D-7BLA2-TR | - | ![]() | 5925 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 54-TFBGA | IS45S16160 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TFBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 2,500 | 143 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 16m x 16 | 平行线 | - | ||
![]() | IS46LD32128C-18BPLA2 | - | ![]() | 9933 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 168-VFBGA | IS46LD32128 | sdram- lpddr2 | 1.14v〜1.3v,1.7v〜1.95v | 168-VFBGA(12x12) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS46LD32128C-18BPLA2 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1 | 533 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 128m x 32 | HSUL_12 | 15ns | |
![]() | IS25WP080D-JULE-TR | 0.6114 | ![]() | 6186 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-UFDFN暴露垫 | 闪存-SLC) | 1.65V〜1.95V | 8-uson(2x3) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS25WP080D-JULE-TR | 5,000 | 133 MHz | 非易失性 | 8mbit | 7 ns | 闪光 | 1m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 40µs,800µs | |||||
![]() | IS42S32800D-75ETLI-TR | - | ![]() | 4245 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) | IS42S32800 | Sdram | 3v〜3.6V | 86-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,500 | 133 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 8m x 32 | 平行线 | - | ||
IS62WV10248DBLL-55TLI-TR | - | ![]() | 6132 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS62WV10248 | sram-异步 | 2.4v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 8mbit | 55 ns | SRAM | 1m x 8 | 平行线 | 55ns | ||||
![]() | IS43R83200D-5TL | 5.3822 | ![]() | 9812 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 不适合新设计 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) | IS43R83200 | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 66-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 108 | 200 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 32m x 8 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | IS43TR16512S2DL-107MBLI-TR | 20.6150 | ![]() | 9096 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-LFBGA | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-LWBGA(9x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS43TR16512S2DL-107MBLI-TR | 1,500 | 933 MHz | 易挥发的 | 8Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 512m x 16 | 平行线 | 15ns |
每日平均RFQ量
标准产品单位
全球制造商
智能仓库