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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 |
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![]() | IS61WV2568EDBLL-10KLI | 4.9249 | ![]() | 1336 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 36-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) | IS61WV2568 | sram-异步 | 2.4v〜3.6V | 36-SOJ | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 19 | 易挥发的 | 2Mbit | 10 ns | SRAM | 256K x 8 | 平行线 | 10NS | |||
![]() | IS43TR81280CL-125JBL | 3.3404 | ![]() | 1056 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 积极的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | IS43TR81280 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-TWBGA (8x10.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS43TR81280CL-125JBL | Ear99 | 8542.32.0032 | 242 | 800 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 128m x 8 | 平行线 | 15ns | |
![]() | IS49NLC93200A-25WBL | 27.7833 | ![]() | 5598 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 144-TFBGA | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-twbga(11x18.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS49NLC93200A-25WBL | 104 | 400 MHz | 易挥发的 | 288Mbit | 20 ns | 德拉姆 | 32m x 9 | HSTL | - | ||||
![]() | IS62WV51216HBLL-45BLI-TR | 3.8489 | ![]() | 1258 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-VFBGA | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 48-VFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS62WV51216HBLL-45BLI-TR | 2,500 | 易挥发的 | 8mbit | 45 ns | SRAM | 512k x 16 | 平行线 | 45ns | ||||||
![]() | IS46TR16256AL-107MBLA2 | - | ![]() | 7276 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | IS46TR16256 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA(9x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS46TR16256AL-107MBLA2 | Ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 933 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 256m x 16 | 平行线 | 15ns | |
![]() | IS45S32800D-7BLA1 | - | ![]() | 1146 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 90-TFBGA | IS45S32400 | Sdram | 3v〜3.6V | 90-TFBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 240 | 143 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 32m x 8 | 平行线 | - | ||
![]() | IS25WP016D-JBLA3-TR | 0.9827 | ![]() | 7618 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | 闪存-SLC) | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS25WP016D-JBLA3-TR | 2,000 | 133 MHz | 非易失性 | 16mbit | 7 ns | 闪光 | 2m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 40µs,800µs | |||||
![]() | IS29GL128-70SLET | 7.8000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | IS29GL128 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 56-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS29GL128-70SLET | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 非易失性 | 128mbit | 70 ns | 闪光 | 16m x 8 | 平行线 | 200µs | ||
![]() | IS42S32400B-6B-Tr | - | ![]() | 8456 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 90-TFBGA | IS42S32400 | Sdram | 3v〜3.6V | 90-TFBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 166 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 4m x 32 | 平行线 | - | ||
![]() | IS46TR81024B-107MBLA1 | 26.8521 | ![]() | 5267 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-TWBGA(10x14) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS46TR81024B-107MBLA1 | 136 | 933 MHz | 易挥发的 | 8Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 1G x 8 | 平行线 | 15ns | |||||
![]() | IS61WV25616FALL-10TLI | 3.2472 | ![]() | 8981 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | sram-异步 | 1.65V〜2.2V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS61WV25616FALL-10TLI | 135 | 易挥发的 | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 10NS | ||||||
![]() | IS61VPS102436B-250B3L | 94.1664 | ![]() | 1583年 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | IS61VPS102436 | sram-同步,sdr | 2.375V〜2.625V | 165-TFBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 250 MHz | 易挥发的 | 36mbit | 2.8 ns | SRAM | 1m x 36 | 平行线 | - | ||
![]() | IS29GL128-70FLEB | 7.2900 | ![]() | 288 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 64-LBGA | IS29GL128 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 64-LFBGA(11x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS29GL128-70FLEB | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 144 | 非易失性 | 128mbit | 70 ns | 闪光 | 16m x 8 | 平行线 | 200µs | ||
![]() | IS43LD32640B-25BLI-TR | 10.5750 | ![]() | 8150 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 134-TFBGA | IS43LD32640 | sdram- lpddr2 -S4 | 1.14v〜1.95v | 134-TFBGA(10x11.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 400 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 德拉姆 | 64m x 32 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | IS21TF128G-JQLI-TR | 66.2340 | ![]() | 3828 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LBGA | Flash -nand(tlc) | 2.7V〜3.6V | 100-LFBGA(14x18) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS21TF128G-JQLI-TR | 1,000 | 200 MHz | 非易失性 | 1Tbit | 闪光 | 128g x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||||
![]() | IS43TR16512BL-107MBLI-TR | 20.1229 | ![]() | 1825年 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA(10x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS43TR16512BL-107MBLI-TR | 2,000 | 933 MHz | 易挥发的 | 8Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 512m x 16 | 平行线 | 15ns | |||||
IS43DR16160B-25DBLI-TR | 4.1105 | ![]() | 8550 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 84-TFBGA | IS43DR16160 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA(8x12.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 400 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 400 ps | 德拉姆 | 16m x 16 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | IS61WV204816BLL-10BLI | 24.2500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | IS61WV204816 | sram-异步 | 2.4v〜3.6V | 48-TFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-1542 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 易挥发的 | 32Mbit | 10 ns | SRAM | 2m x 16 | 平行线 | 10NS | ||
![]() | IS46LQ32640A-062BLA1-TR | - | ![]() | 1841年 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 200-VFBGA | sdram- lpddr4 | 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V | 200-VFBGA(10x14.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS46LQ32640A-062BLA1-TR | 2,500 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 2Gbit | 德拉姆 | 64m x 32 | lvstl | - | ||||||
![]() | IS43QR16512A-075VBL | 17.7495 | ![]() | 9274 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14v〜1.26v | 96-TWBGA(10x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS43QR16512A-075VBL | 136 | 1.333 GHz | 易挥发的 | 8Gbit | 18 ns | 德拉姆 | 512m x 16 | 平行线 | 15ns | |||||
![]() | IS42S32160F-75ETL | 12.0885 | ![]() | 9555 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 管子 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) | IS42S32160 | Sdram | 3v〜3.6V | 86-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 108 | 133 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 6 ns | 德拉姆 | 16m x 32 | 平行线 | - | ||
IS62C5128BL-45TLI | - | ![]() | 2405 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-SOIC (0.400英寸,10.16毫米宽) | IS62C5128 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 32-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 117 | 易挥发的 | 4Mbit | 45 ns | SRAM | 512k x 8 | 平行线 | 45ns | ||||
![]() | IS43LQ16256A-062BLI-TR | - | ![]() | 2665 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 200-VFBGA | sdram- lpddr4 | 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V | 200-VFBGA(10x14.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS43LQ16256A-062BLI-TR | 2,500 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 4Gbit | 德拉姆 | 256m x 16 | lvstl | - | ||||||
![]() | IS25LP128F-JBLE-TR | 1.7218 | ![]() | 7280 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | IS25LP128 | 闪光灯 -也不 | 2.3v〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 800µs | |||
![]() | IS22TF16G-JQLA1-TR | 25.4030 | ![]() | 5678 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LBGA | Flash -nand(tlc) | 2.7V〜3.6V | 100-LFBGA(14x18) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS22TF16G-JQLA1-TR | 1,000 | 200 MHz | 非易失性 | 128Gbit | 闪光 | 16克x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||||
![]() | IS66WVH16M8DALL-166B1LI | 5.0400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | IS66WVH16M8 | PSRAM (伪 SRAM) | 1.7V〜1.95V | 24-tfbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 166 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 36 NS | PSRAM | 16m x 8 | 平行线 | 36ns | ||
![]() | IS62C1024AL-35TI-TR | - | ![]() | 5441 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-tfsop (0.724英寸,宽度18.40mm) | IS62C1024 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 32-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1,500 | 易挥发的 | 1Mbit | 35 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 35ns | |||
![]() | IS43LD32128B-18Bli | 12.2129 | ![]() | 6850 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 134-TFBGA | sdram- lpddr2 -S4 | 1.14v〜1.3v,1.7v〜1.95v | 134-TFBGA(10x11.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS43LD32128B-18BLI | 171 | 533 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 128m x 32 | HSUL_12 | 15ns | |||||
![]() | IS43R86400E-5BI | - | ![]() | 1475 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 60-TFBGA | IS43R86400 | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 60-tfbga(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS43R86400E-5BI | 过时的 | 190 | 200 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 64m x 8 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | IS61VF102418A-7.5B3I | - | ![]() | 1423 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | IS61VF102418 | sram-同步,sdr | 2.375V〜2.625V | 165-TFBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 117 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 7.5 ns | SRAM | 1m x 18 | 平行线 | - |
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