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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
IS61WV2568EDBLL-10KLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV2568EDBLL-10KLI 4.9249
RFQ
ECAD 1336 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 管子 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 36-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) IS61WV2568 sram-异步 2.4v〜3.6V 36-SOJ 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 19 易挥发的 2Mbit 10 ns SRAM 256K x 8 平行线 10NS
IS43TR81280CL-125JBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81280CL-125JBL 3.3404
RFQ
ECAD 1056 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA IS43TR81280 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-TWBGA (8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS43TR81280CL-125JBL Ear99 8542.32.0032 242 800 MHz 易挥发的 1Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 8 平行线 15ns
IS49NLC93200A-25WBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC93200A-25WBL 27.7833
RFQ
ECAD 5598 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 144-TFBGA rldram 2 1.7V〜1.9V 144-twbga(11x18.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS49NLC93200A-25WBL 104 400 MHz 易挥发的 288Mbit 20 ns 德拉姆 32m x 9 HSTL -
IS62WV51216HBLL-45BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV51216HBLL-45BLI-TR 3.8489
RFQ
ECAD 1258 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-VFBGA sram-异步 2.2v〜3.6V 48-VFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS62WV51216HBLL-45BLI-TR 2,500 易挥发的 8mbit 45 ns SRAM 512k x 16 平行线 45ns
IS46TR16256AL-107MBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256AL-107MBLA2 -
RFQ
ECAD 7276 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 托盘 过时的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS46TR16256 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS46TR16256AL-107MBLA2 Ear99 8542.32.0036 190 933 MHz 易挥发的 4Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 16 平行线 15ns
IS45S32800D-7BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32800D-7BLA1 -
RFQ
ECAD 1146 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS45S32400 Sdram 3v〜3.6V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 240 143 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 32m x 8 平行线 -
IS25WP016D-JBLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP016D-JBLA3-TR 0.9827
RFQ
ECAD 7618 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) 闪存-SLC) 1.65V〜1.95V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS25WP016D-JBLA3-TR 2,000 133 MHz 非易失性 16mbit 7 ns 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 40µs,800µs
IS29GL128-70SLET ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS29GL128-70SLET 7.8000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) IS29GL128 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 56-tsop i 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS29GL128-70SLET 3A991B1A 8542.32.0071 96 非易失性 128mbit 70 ns 闪光 16m x 8 平行线 200µs
IS42S32400B-6B-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400B-6B-Tr -
RFQ
ECAD 8456 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS42S32400 Sdram 3v〜3.6V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 2,500 166 MHz 易挥发的 128mbit 5.4 ns 德拉姆 4m x 32 平行线 -
IS46TR81024B-107MBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR81024B-107MBLA1 26.8521
RFQ
ECAD 5267 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 大部分 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-TWBGA(10x14) - rohs3符合条件 3(168)) 706-IS46TR81024B-107MBLA1 136 933 MHz 易挥发的 8Gbit 20 ns 德拉姆 1G x 8 平行线 15ns
IS61WV25616FALL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616FALL-10TLI 3.2472
RFQ
ECAD 8981 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) sram-异步 1.65V〜2.2V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS61WV25616FALL-10TLI 135 易挥发的 4Mbit 10 ns SRAM 256K x 16 平行线 10NS
IS61VPS102436B-250B3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS102436B-250B3L 94.1664
RFQ
ECAD 1583年 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS61VPS102436 sram-同步,sdr 2.375V〜2.625V 165-TFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 144 250 MHz 易挥发的 36mbit 2.8 ns SRAM 1m x 36 平行线 -
IS29GL128-70FLEB ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS29GL128-70FLEB 7.2900
RFQ
ECAD 288 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 64-LBGA IS29GL128 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 64-LFBGA(11x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS29GL128-70FLEB 3A991B1A 8542.32.0071 144 非易失性 128mbit 70 ns 闪光 16m x 8 平行线 200µs
IS43LD32640B-25BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32640B-25BLI-TR 10.5750
RFQ
ECAD 8150 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 上次购买 -40°C 〜85°C(TC) 表面安装 134-TFBGA IS43LD32640 sdram- lpddr2 -S4 1.14v〜1.95v 134-TFBGA(10x11.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 400 MHz 易挥发的 2Gbit 德拉姆 64m x 32 平行线 15ns
IS21TF128G-JQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21TF128G-JQLI-TR 66.2340
RFQ
ECAD 3828 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LBGA Flash -nand(tlc) 2.7V〜3.6V 100-LFBGA(14x18) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS21TF128G-JQLI-TR 1,000 200 MHz 非易失性 1Tbit 闪光 128g x 8 EMMC_5.1 -
IS43TR16512BL-107MBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512BL-107MBLI-TR 20.1229
RFQ
ECAD 1825年 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA(10x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS43TR16512BL-107MBLI-TR 2,000 933 MHz 易挥发的 8Gbit 20 ns 德拉姆 512m x 16 平行线 15ns
IS43DR16160B-25DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16160B-25DBLI-TR 4.1105
RFQ
ECAD 8550 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 84-TFBGA IS43DR16160 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA(8x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 2,500 400 MHz 易挥发的 256Mbit 400 ps 德拉姆 16m x 16 平行线 15ns
IS61WV204816BLL-10BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV204816BLL-10BLI 24.2500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFBGA IS61WV204816 sram-异步 2.4v〜3.6V 48-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-1542 3A991B2A 8542.32.0041 480 易挥发的 32Mbit 10 ns SRAM 2m x 16 平行线 10NS
IS46LQ32640A-062BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32640A-062BLA1-TR -
RFQ
ECAD 1841年 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 200-VFBGA sdram- lpddr4 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V 200-VFBGA(10x14.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS46LQ32640A-062BLA1-TR 2,500 1.6 GHz 易挥发的 2Gbit 德拉姆 64m x 32 lvstl -
IS43QR16512A-075VBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR16512A-075VBL 17.7495
RFQ
ECAD 9274 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 96-TWBGA(10x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS43QR16512A-075VBL 136 1.333 GHz 易挥发的 8Gbit 18 ns 德拉姆 512m x 16 平行线 15ns
IS42S32160F-75ETL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160F-75ETL 12.0885
RFQ
ECAD 9555 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 管子 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) IS42S32160 Sdram 3v〜3.6V 86-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 108 133 MHz 易挥发的 512Mbit 6 ns 德拉姆 16m x 32 平行线 -
IS62C5128BL-45TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62C5128BL-45TLI -
RFQ
ECAD 2405 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 32-SOIC (0.400英寸,10.16毫米宽) IS62C5128 sram-异步 4.5V〜5.5V 32-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 117 易挥发的 4Mbit 45 ns SRAM 512k x 8 平行线 45ns
IS43LQ16256A-062BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LQ16256A-062BLI-TR -
RFQ
ECAD 2665 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 200-VFBGA sdram- lpddr4 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V 200-VFBGA(10x14.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS43LQ16256A-062BLI-TR 2,500 1.6 GHz 易挥发的 4Gbit 德拉姆 256m x 16 lvstl -
IS25LP128F-JBLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP128F-JBLE-TR 1.7218
RFQ
ECAD 7280 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) IS25LP128 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 800µs
IS22TF16G-JQLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS22TF16G-JQLA1-TR 25.4030
RFQ
ECAD 5678 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LBGA Flash -nand(tlc) 2.7V〜3.6V 100-LFBGA(14x18) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS22TF16G-JQLA1-TR 1,000 200 MHz 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 EMMC_5.1 -
IS66WVH16M8DALL-166B1LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVH16M8DALL-166B1LI 5.0400
RFQ
ECAD 6 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 24-TBGA IS66WVH16M8 PSRAM (伪 SRAM) 1.7V〜1.95V 24-tfbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 480 166 MHz 易挥发的 128mbit 36 NS PSRAM 16m x 8 平行线 36ns
IS62C1024AL-35TI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62C1024AL-35TI-TR -
RFQ
ECAD 5441 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 32-tfsop (0.724英寸,宽度18.40mm) IS62C1024 sram-异步 4.5V〜5.5V 32-tsop i 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2B 8542.32.0041 1,500 易挥发的 1Mbit 35 ns SRAM 128K x 8 平行线 35ns
IS43LD32128B-18BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32128B-18Bli 12.2129
RFQ
ECAD 6850 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 积极的 -40°C 〜85°C(TC) 表面安装 134-TFBGA sdram- lpddr2 -S4 1.14v〜1.3v,1.7v〜1.95v 134-TFBGA(10x11.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS43LD32128B-18BLI 171 533 MHz 易挥发的 4Gbit 5.5 ns 德拉姆 128m x 32 HSUL_12 15ns
IS43R86400E-5BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400E-5BI -
RFQ
ECAD 1475 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 60-TFBGA IS43R86400 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 60-tfbga(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS43R86400E-5BI 过时的 190 200 MHz 易挥发的 512Mbit 700 ps 德拉姆 64m x 8 平行线 15ns
IS61VF102418A-7.5B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VF102418A-7.5B3I -
RFQ
ECAD 1423 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS61VF102418 sram-同步,sdr 2.375V〜2.625V 165-TFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 144 117 MHz 易挥发的 18mbit 7.5 ns SRAM 1m x 18 平行线 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库