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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 |
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![]() | IS66WVQ4M4DALL-200BLI | 3.4400 | ![]() | 480 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | IS66WVQ4M4 | PSRAM (伪 SRAM) | 1.7V〜1.95V | 24-tfbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS66WVQ4M4DALL-200BLI | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 200 MHz | 易挥发的 | 16mbit | PSRAM | 4m x 4 | Spi -Quad I/O。 | 40ns | ||
![]() | IS49RL36160A-093EBL | 88.0700 | ![]() | 119 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 168-LBGA | IS49RL36160 | rldram 3 | 1.28V〜1.42V | 168-FBGA((13.5x13.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS49RL36160A-093EBL | Ear99 | 8542.32.0032 | 119 | 1.066 GHz | 易挥发的 | 576Mbit | 7.5 ns | 德拉姆 | 16m x 36 | 平行线 | - | |
![]() | IS66WVS4M8ALL-104NLI | 3.6600 | ![]() | 395 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IS66WVS4M8 | PSRAM (伪 SRAM) | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS66WVS4M8ALL-104NLI | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 100 | 104 MHz | 易挥发的 | 32Mbit | 7 ns | PSRAM | 4m x 8 | SPI,QPI | - | |
![]() | IS25WJ032F-JTLE-TR | 1.1100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-udfn裸露的垫子 | IS25WJ032F | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜1.95V | 8-uson (4x3) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 5,000 | 133 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 6 ns | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 1.6ms | ||
![]() | IS42S16400E-7TL | 1.1100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS42S16400 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TSOP II | - | Rohs不合规 | 供应商不确定 | 2156-IS42S16400E-7TL | Ear99 | 8542.32.0002 | 1 | 143 MHz | 易挥发的 | 64mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 4m x 16 | lvttl | - | ||
![]() | IS25LX256-JHLE | 5.4500 | ![]() | 8572 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | IS25LX256 | 闪光 | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS25LX256-JHLE | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | spi -octal I/o | - | ||
![]() | IS25WP032D-RMLE-TY | 1.1336 | ![]() | 9803 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜1.95V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS25WP032D-RMLE-TY | 176 | 133 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 7 ns | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 40µs,800µs | ||||
![]() | IS25WP256D-JMLE-TY | 4.2121 | ![]() | 9978 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜1.95V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS25WP256D-JMLE-TY | 176 | 133 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 40µs,800µs | |||||
![]() | IS25WE512M-RMLE | - | ![]() | 4762 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜1.95V | 16-Soic | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS25WE512M-RMLE | 过时的 | 1 | 112 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 50µs,1ms | ||||
![]() | IS46LD32640C-18BLA2 | - | ![]() | 6906 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 134-TFBGA | sdram- lpddr2 -S4 | 1.14v〜1.3v,1.7v〜1.95v | 134-TFBGA(10x11.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS46LD32640C-18BLA2 | 1 | 533 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 64m x 32 | HSUL_12 | 15ns | ||||
![]() | IS21ES04G-JQLI | - | ![]() | 4520 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LBGA | IS21ES04 | Flash -nand (MLC) | 2.7V〜3.6V | 100-LFBGA(14x18) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS21ES04G-JQLI | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 98 | 200 MHz | 非易失性 | 32Gbit | 闪光 | 4G x 8 | EMMC | - | ||
![]() | IS43LD32128A-25BPLI | - | ![]() | 7721 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 168-VFBGA | IS43LD32128 | sdram- lpddr2 -S4 | 1.14v〜1.3v,1.7v〜1.95v | 168-VFBGA(12x12) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS43LD32128A-25BPLI | Ear99 | 8542.32.0036 | 100 | 400 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 德拉姆 | 128m x 32 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | IS26KS512S-DPBLI00 | - | ![]() | 7827 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-vbga | IS26KS512 | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜1.95V | 24-vfbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS26KS512S-DPBLI00 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 338 | 166 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 96 ns | 闪光 | 64m x 8 | 平行线 | - | |
![]() | IS43TR81024B-125KBLI | 28.7000 | ![]() | 96 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | IS43TR81024 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-TWBGA(10x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS43TR81024B-125KBLI | Ear99 | 8542.32.0036 | 136 | 800 MHz | 易挥发的 | 8Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 1G x 8 | 平行线 | 15ns | |
![]() | IS21es32g-jqli | - | ![]() | 4915 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LBGA | IS21es32 | Flash -nand (MLC) | 2.7V〜3.3V | 100-LFBGA(14x18) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS21ES32G-JQLI | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 98 | 200 MHz | 非易失性 | 256Gbit | 闪光 | 32g x 8 | EMMC | - | ||
![]() | IS29GL128-70SLEB | 6.3300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | IS29GL128 | 闪光灯 -也不 | 2.7V〜3.6V | 56-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS29GL128-70SLEB | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 非易失性 | 128mbit | 70 ns | 闪光 | 16m x 8 | 平行线 | 200µs | ||
![]() | IS21ES32G-JCLI | - | ![]() | 9123 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 153-VFBGA | IS21es32 | Flash -nand (MLC) | 2.7V〜3.6V | 153-VFBGA(11.5x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS21ES32G-JCLI | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | 200 MHz | 非易失性 | 256Gbit | 闪光 | 32g x 8 | EMMC | - | ||
![]() | IS25LP032D-JBLA3 | 1.7900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | IS25LP032 | 闪光灯 -也不 | 2.3v〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS25LP032D-JBLA3 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 90 | 133 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 800µs | ||
![]() | IS43TR81024BL-125KBLI | 28.7000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | IS43TR81024 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-TWBGA(10x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS43TR81024BL-125KBLI | Ear99 | 8542.32.0036 | 136 | 800 MHz | 易挥发的 | 8Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 1G x 8 | 平行线 | 15ns | |
![]() | IS43TR16640CL-125JBL | 3.6500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | IS43TR16640 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA(9x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS43TR16640CL-125JBL | Ear99 | 8542.32.0032 | 190 | 800 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 64m x 16 | 平行线 | 15ns | |
![]() | IS25WQ020-JULE-TR | - | ![]() | 4204 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-UFDFN暴露垫 | IS25WQ020 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜1.95V | 8-uson(2x3) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 根据要求获得可用的信息 | 2156-IS25WQ020-JULE-TR | Ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 104 MHz | 非易失性 | 2Mbit | 闪光 | 256K x 8 | Spi -Quad I/O。 | 1ms | ||
![]() | IS25LQ040B-JULE-TR | - | ![]() | 4804 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-UFDFN暴露垫 | 闪存-SLC) | 2.3v〜3.6V | 8-uson(2x3) | 下载 | Ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 104 MHz | 非易失性 | 4Mbit | 8 ns | 闪光 | 512k x 8 | Spi -Quad I/O。 | 25µs,800µs | ||||||
![]() | IS43TR16256A-093NBLI-TR | - | ![]() | 2123 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | IS43TR16256 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA(9x13) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS43TR16256A-093NBLI-TR | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 1.066 GHz | 易挥发的 | 4Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 256m x 16 | 平行线 | 15ns | |
![]() | IS43TR16128BL-107MBLI-TR | - | ![]() | 8196 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | IS43TR16128 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA(9x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS43TR16128BL-107MBLI-TR | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 933 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 128m x 16 | 平行线 | 15ns | |
![]() | IS46TR16256B-125KBLA2 | 9.6817 | ![]() | 8818 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | IS46TR16256 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA(9x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS46TR16256B-125KBLA2 | Ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 800 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 256m x 16 | 平行线 | 15ns | |
![]() | IS46TR16256BL-125KBLA1-TR | 7.8141 | ![]() | 7393 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | IS46TR16256 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA(9x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS46TR16256BL-125KBLA1-TR | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 800 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 256m x 16 | 平行线 | 15ns | |
![]() | IS43TR16128B-093NBL-TR | - | ![]() | 4315 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | IS43TR16128 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA(9x13) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS43TR16128B-093NBL-TR | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 1.066 GHz | 易挥发的 | 2Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 128m x 16 | 平行线 | 15ns | |
![]() | IS43TR85120A-107MBL-TR | - | ![]() | 7116 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | IS43TR85120 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-TWBGA(9x10.5) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS43TR85120A-107MBL-TR | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 933 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 512m x 8 | 平行线 | 15ns | |
![]() | IS46TR16640C-125JBLA1 | 3.8222 | ![]() | 5486 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | IS46TR16640 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA(9x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS46TR16640C-125JBLA1 | Ear99 | 8542.32.0032 | 190 | 800 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 64m x 16 | 平行线 | 15ns | |
![]() | IS43TR85120A-093NBL-TR | - | ![]() | 5302 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | IS43TR85120 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-TWBGA(9x10.5) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS43TR85120A-093NBL-TR | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 1.066 GHz | 易挥发的 | 4Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 512m x 8 | 平行线 | 15ns |
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