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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
IS61NLP102418B-200B3LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP102418B-200B-200B-200B-200B3LI-TR 14.6300
RFQ
ECAD 6881 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS61NLP102418 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 165-TFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 200 MHz 易挥发的 18mbit 3 ns SRAM 1m x 18 平行线 -
IS46TR16640CL-107MBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640CL-107MBLA1-TR 3.6095
RFQ
ECAD 4285 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS46TR16640CL-107MBLA1-TR Ear99 8542.32.0032 1,500 933 MHz 易挥发的 1Gbit 20 ns 德拉姆 64m x 16 平行线 15ns
IS46DR16640B-25DBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16640B-25DBLA2 11.2134
RFQ
ECAD 2681 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 不适合新设计 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 84-TFBGA IS46DR16640 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA(8x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 209 400 MHz 易挥发的 1Gbit 400 ps 德拉姆 64m x 16 平行线 15ns
IS25CD010-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25CD010-JNLE -
RFQ
ECAD 2931 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 管子 过时的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IS25CD010 闪光 2.7V〜3.6V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 100 100 MHz 非易失性 1Mbit 闪光 128K x 8 spi 5ms
IS63LV1024L-10HL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63LV1024L-10HL -
RFQ
ECAD 2494 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(ta) 表面安装 32-tfsop (0.465英寸,11.80mm((11.80mm)) IS63LV1024 sram-异步 3v〜3.6V 32-Stsop i 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2B 8542.32.0041 234 易挥发的 1Mbit 10 ns SRAM 128K x 8 平行线 10NS
IS61LV2568L-8TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV2568L-8TL -
RFQ
ECAD 6782 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 0°C〜70°C(ta) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) IS61LV2568 sram-异步 3.135v〜3.6V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 135 易挥发的 2Mbit 8 ns SRAM 256K x 8 平行线 8ns
IS43R16800E-5TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16800E-5TL 2.4110
RFQ
ECAD 1330 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 0°C〜70°C(ta) 表面安装 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) IS43R16800 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 66-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 108 200 MHz 易挥发的 128mbit 700 ps 德拉姆 8m x 16 平行线 15ns
IS25CQ032-JFLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25CQ032-JFLE -
RFQ
ECAD 3567 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) IS25CQ032 闪光 2.7V〜3.6V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 90 104 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 spi 4ms
IS62WV25616EALL-55TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616EALL-55TLI-TR 4.0112
RFQ
ECAD 1068 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) IS62WV25616 sram-异步 1.65V〜2.2V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 易挥发的 4Mbit 55 ns SRAM 256K x 16 平行线 55ns
IS43TR16128C-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128C-125KBL 4.1840
RFQ
ECAD 1831年 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 190 800 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 16 平行线 15ns
IS42S16160B-6T-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160B-6T-TR -
RFQ
ECAD 4938 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(ta) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) IS42S16160 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,500 166 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 -
IS61QDPB42M36A1-550B4L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB42M36A1-550B4L -
RFQ
ECAD 6182 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 0°C〜70°C(ta) 表面安装 165-LBGA IS61QDPB42 sram-四边形端口,同步 1.71V〜1.89V 165-LFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 105 550 MHz 易挥发的 72Mbit SRAM 2m x 36 平行线 -
IS43TR16256A-15HBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256A-15HBLI -
RFQ
ECAD 7882 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS43TR16256 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 190 667 MHz 易挥发的 4Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 16 平行线 15ns
IS62WVS5128FALL-16NLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WVS5128FALL-16NLI-TR -
RFQ
ECAD 5691 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IS62WVS5128 sram-同步,sdr 1.65V〜2.2V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS62WVS5128FALL-16NLI-TR 3A991B2A 8542.32.0041 100 16 MHz 易挥发的 4Mbit SRAM 512k x 8 Spi -Quad I/O。 -
IS62WV2568BLL-70BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV2568BLL-70BI-TR -
RFQ
ECAD 8475 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 36-TFBGA IS62WV2568 sram-异步 2.5V〜3.6V 36-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 易挥发的 2Mbit 70 ns SRAM 256K x 8 平行线 70NS
IS49RL18320-125BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL18320-125Bli -
RFQ
ECAD 6680 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 168-LBGA IS49RL18320 德拉姆 1.28V〜1.42V 168-FBGA((13.5x13.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 119 800 MHz 易挥发的 576Mbit 12 ns 德拉姆 32m x 18 平行线 -
IS45S16400J-6CTLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16400J-6CTLA1 4.2782
RFQ
ECAD 6309 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) IS45S16400 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 108 166 MHz 易挥发的 64mbit 5.4 ns 德拉姆 4m x 16 平行线 -
IS45S32200L-7BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32200L-7BLA1 5.0992
RFQ
ECAD 5795 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS45S32200 Sdram 3v〜3.6V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 240 143 MHz 易挥发的 64mbit 5.4 ns 德拉姆 2m x 32 平行线 -
IS45S16320F-7CTLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16320F-7CTLA1-Tr 12.6600
RFQ
ECAD 8231 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) IS45S16320 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 1,500 143 MHz 易挥发的 512Mbit 5.4 ns 德拉姆 32m x 16 平行线 -
IS25WX512M-JHLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WX512M-JHLE 7.5600
RFQ
ECAD 2414 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 24-TBGA IS25WX512M 闪光 1.7V〜2V 24-tfbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS25WX512M-JHLE 3A991B1A 8542.32.0071 480 200 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 spi -octal I/o -
IS49NLC36800-33BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC36800-33Bi -
RFQ
ECAD 4628 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 144-TFBGA IS49NLC36800 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-FCBGA (11x18.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 104 300 MHz 易挥发的 288Mbit 20 ns 德拉姆 8m x 36 平行线 -
IS43R16160D-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160D-6TLI 3.9014
RFQ
ECAD 1732年 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) IS43R16160 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 66-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 108 166 MHz 易挥发的 256Mbit 700 ps 德拉姆 16m x 16 平行线 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库