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（ICS）（5782）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
IS61LF12836A-7.5TQLI-Tr	7.5837	RFQ	9170	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61LF12836	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	800	117 MHz	易挥发的	4.5mbit	7.5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
IS46LQ32640A-062TBLA2	-	RFQ	3190	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-tfbga（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46LQ32640A-062TBLA2			136	1.6 GHz	易挥发的	2Gbit		德拉姆	64m x 32	lvstl	-
IS63LV1024-8KL	-	RFQ	8512	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS63LV1024	sram-异步	3v〜3.6V	32-soj	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	21		易挥发的	1Mbit	8 ns	SRAM	128K x 8	平行线	8ns
IS42S16160J-6TI	-	RFQ	8023	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S16160	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	108	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	-
IS43LR16800F-6BL-TR	-	RFQ	4632	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS43LR16800	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-tfbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,000	166 MHz	易挥发的	128mbit	5.5 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	15ns
IS42S16400J-5TL	1.6790	RFQ	2644	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S16400	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	108	200 MHz	易挥发的	64mbit	4.8 ns	德拉姆	4m x 16	平行线	-
IS66WVE2M16TCLL-70BLI	3.6544	RFQ	3782	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS66WVE2M16	PSRAM （伪 SRAM）	1.7V〜1.95V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	480		易挥发的	32Mbit	70 ns	PSRAM	2m x 16	平行线	70NS
IS61DDB22M36A-300B4LI	78.0000	RFQ	9155	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-LBGA	IS61DDB22	Sram-同步，DDR II	1.71V〜1.89V	165-LFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0002	144	300 MHz	易挥发的	72Mbit		SRAM	2m x 36	平行线	-
IS49NLS18320A-25WBL	52.8000	RFQ	3211	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	144-TFBGA	IS49NLS18320	rldram 2	1.7V〜1.9V	144-twbga（11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	104	400 MHz	易挥发的	576Mbit	20 ns	德拉姆	32m x 18	平行线	-
IS43TR81280BL-107MBLI-TR	5.3868	RFQ	5047	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	IS43TR81280	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-TWBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	2,000	933 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
IS66WVE2M16ALL-7010BLI-TR	-	RFQ	4935	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS66WVE2M16	PSRAM （伪 SRAM）	1.7V〜1.95V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,500		易挥发的	32Mbit	70 ns	PSRAM	2m x 16	平行线	70NS
IS45S16160J-7TLA2	5.1008	RFQ	8932	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS45S16160	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	108	143 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	-
IS42S32160B-75TLI-Tr	-	RFQ	4682	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS42S32160	Sdram	3v〜3.6V	86-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	2,500	133 MHz	易挥发的	512Mbit	5.5 ns	德拉姆	16m x 32	平行线	-
IS25LQ020A-JNLE	-	RFQ	5822	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	在sic中停产	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IS25LQ020	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-SOIC	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	100	80 MHz	非易失性	2Mbit		闪光	256K x 8	Spi -Quad I/O。	400µs
IS42S83200J-6TL-Tr	2.8787	RFQ	7174	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S83200	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,500	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 8	平行线	-
IS42VM16160E-75BLI-Tr	-	RFQ	3339	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42VM16160	sdram-移动	1.7V〜1.95V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	2,500	133 MHz	易挥发的	256Mbit	6 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	-
IS43LR16400B-6BLI	-	RFQ	1855年	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS43LR16400	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-tfbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	300	166 MHz	易挥发的	64mbit	5.5 ns	德拉姆	4m x 16	平行线	15ns
IS49NLC96400A-25WBLI	51.8860	RFQ	6386	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	144-TFBGA		rldram 2	1.7V〜1.9V	144-twbga（11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS49NLC96400A-25WBLI			104	400 MHz	易挥发的	576Mbit	20 ns	德拉姆	64m x 9	HSTL	-
IS63LV1024-8KL-Tr	-	RFQ	2079	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS63LV1024	sram-异步	3v〜3.6V	32-soj	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	800		易挥发的	1Mbit	8 ns	SRAM	128K x 8	平行线	8ns
IS42S16160D-6TLI	-	RFQ	2431	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S16160	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	108	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	-
IS64WV5128EDBLL-10BLA3-TR	7.5000	RFQ	5923	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	36-TFBGA	IS64WV5128	sram-异步	2.4v〜3.6V	36-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,500		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	512k x 8	平行线	10NS
IS61WV102416FBLL-8TLI-TR	10.0200	RFQ	4794	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	IS61WV102416	sram-双端口，异步	2.4v〜3.6V	48-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,500		易挥发的	16mbit	8 ns	SRAM	1m x 16	平行线	8ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS）（5782）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²