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（ICS）（5782）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
IS64C25616AL-12CTLA3	10.1940	RFQ	6242	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS64C25616	sram-异步	4.5V〜5.5V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	135		易挥发的	4Mbit	12 ns	SRAM	256K x 16	平行线	12ns
IS43TR81280BL-125JBL-TR	-	RFQ	1372	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	IS43TR81280	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-TWBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	2,000	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
IS43TR16512B-125KBLI-TR	18.7929	RFQ	3137	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（10x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43TR16512B-125KBLI-TR			2,000	800 MHz	易挥发的	8Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 16	平行线	15ns
IS45S32400F-6TLA2	8.2446	RFQ	1104	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS45S32400	Sdram	3v〜3.6V	86-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	108	166 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 32	平行线	-
IS46DR16320C-25DBLA1	8.2104	RFQ	4126	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	84-TFBGA	IS46DR16320	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	209	400 MHz	易挥发的	512Mbit	400 ps	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
IS61VPS25636A-200TQLI-TR	12.7500	RFQ	7454	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61VPS25636	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	800	200 MHz	易挥发的	9Mbit	3.1 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
IS43TR16640BL-125KBL-TR	-	RFQ	1743年	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS43TR16640	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43TR16640BL-125KBL-TR	Ear99	8542.32.0032	1,500	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS43LR32800G-6BLI	6.3864	RFQ	6355	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS43LR32800	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	240	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5.5 ns	德拉姆	8m x 32	平行线	15ns
IS49NLC96400-25Bli	-	RFQ	1412	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	144-TFBGA	IS49NLC96400	rldram 2	1.7V〜1.9V	144-FCBGA （11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	104	400 MHz	易挥发的	576Mbit	20 ns	德拉姆	64m x 9	平行线	-
IS25LP016D-JLLE	0.8679	RFQ	8108	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	IS25LP016	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-wson（8x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS25LP016D-JLLE	Ear99	8542.32.0071	480	133 MHz	非易失性	16mbit		闪光	2m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	800µs
IS42S32400B-7BI-Tr	-	RFQ	2034	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42S32400	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500	143 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 32	平行线	-
IS42SM32800E-75BLI-TR	-	RFQ	7933	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42SM32800	sdram-移动	2.7V〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	2,500	133 MHz	易挥发的	256Mbit	6 ns	德拉姆	8m x 32	平行线	-
IS43LD32640B-18Bli	11.6591	RFQ	3570	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	上次购买	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	134-TFBGA	IS43LD32640	sdram- lpddr2 -S4	1.14v〜1.95v	134-TFBGA（10x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	171	533 MHz	易挥发的	2Gbit		德拉姆	64m x 32	平行线	15ns
IS46TR85120AL-125KBLA1	-	RFQ	3420	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	托盘	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	IS46TR85120	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-TWBGA（9x10.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS46TR85120AL-125KBLA1	Ear99	8542.32.0036	136	800 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 8	平行线	15ns
IS25LP128F-JBLA3	3.1700	RFQ	9	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	IS25LP128	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS25LP128F-JBLA3	3A991B1A	8542.32.0071	90	166 MHz	非易失性	128mbit		闪光	16m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	800µs
IS49NLC18320-25B	-	RFQ	5005	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	144-TFBGA	IS49NLC18320	rldram 2	1.7V〜1.9V	144-FCBGA （11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	104	400 MHz	易挥发的	576Mbit	20 ns	德拉姆	32m x 18	平行线	-
IS25LD040-JVLE-TR	-	RFQ	8308	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IS25LD040	闪光	2.3v〜3.6V	8-VVSOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	3,500	100 MHz	非易失性	4Mbit		闪光	512k x 8	spi	5ms
IS42S16800F-5TLI-TR	3.9209	RFQ	6687	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S16800	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,500	200 MHz	易挥发的	128mbit	5 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	-
IS62WV5128BLL-55QLI-TR	3.6397	RFQ	5988	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-SOIC （0.445“，11.30mm宽度）	IS62WV5128	sram-异步	2.5V〜3.6V	32 SOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	4Mbit	55 ns	SRAM	512k x 8	平行线	55ns
IS49RL18640-107EBL	109.1224	RFQ	1959年	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	168-LBGA		rldram 3	1.28V〜1.42V	168-FBGA（（13.5x13.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS49RL18640-107EBL			119	933 MHz	易挥发的	1.152Gbit	8 ns	德拉姆	64m x 18	平行线	-
IS42S32400E-7BLI	-	RFQ	2186	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42S32400	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	240	143 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 32	平行线	-
IS43DR16640C-25DBLI-TR	5.0239	RFQ	9280	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	84-TFBGA	IS43DR16640	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	2,500	400 MHz	易挥发的	1Gbit	400 ps	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS25LP512M-JLLE	7.1138	RFQ	9871	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	IS25LP512	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-wson（8x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	480	133 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	1.6ms
IS42S16320B-6TL	-	RFQ	2870	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S16320	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	108	166 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	-
IS49NLC18160-33WBLI	-	RFQ	3805	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	144-TFBGA	IS49NLC18160	rldram 2	1.7V〜1.9V	144-twbga（11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	104	300 MHz	易挥发的	288Mbit	20 ns	德拉姆	16m x 18	平行线	-
IS43R86400E-6TLI-Tr	-	RFQ	2638	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS43R86400	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	1,500	166 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	64m x 8	平行线	15ns
IS41C16105C-50KLI-Tr	-	RFQ	9114	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	42-BSOJ（0.400英寸，10.16mm宽度）	IS41C16105	DRAM -FP	4.5V〜5.5V	42-soj	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000		易挥发的	16mbit	25 ns	德拉姆	1m x 16	平行线	-
IS43TR82560B-125KBL-TR	-	RFQ	6165	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	IS43TR82560	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-TWBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43TR82560B-125KBL-TR	Ear99	8542.32.0036	2,000	800 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 8	平行线	15ns
IS42S32800D-6B-Tr	-	RFQ	7302	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42S32800	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	2,500	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 32	平行线	-
IS41LV16105B-60TL	-	RFQ	7481	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS41LV16105	DRAM -FP	3v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	117		易挥发的	16mbit	30 ns	德拉姆	1m x 16	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS）（5782）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²