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（ICS）（5782）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
IS46LD16640A-25BLA2-TR	-	RFQ	1336	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	134-TFBGA	IS46LD16640	sdram- lpddr2 -S4	1.14v〜1.95v	134-TFBGA（10x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	1200	400 MHz	易挥发的	1Gbit		DRAM	64m x 16	平行线	15ns
IS45S32400F-6BLA2-TR	9.4050	RFQ	4088	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS45S32400	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500	166 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	DRAM	4m x 32	平行线	-
IS25WP032D-JKLE-TR	0.9680	RFQ	5888	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	IS25WP032	闪光灯 -也不	1.65V〜1.95V	8-wson（6x5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	4,500	133 MHz	非易失性	32Mbit		闪光	4m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	800µs
IS42S32200E-6B	-	RFQ	1467	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42S32200	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	240	166 MHz	易挥发的	64mbit	5.5 ns	DRAM	2m x 32	平行线	-
IS62WV25616EBLL-45BLI	3.6600	RFQ	930	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS62WV25616	sram-异步	2.2v〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	480		易挥发的	4Mbit	45 ns	SRAM	256K x 16	平行线	45ns
IS46DR16160B-25DBLA2-Tr	6.4500	RFQ	9956	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	84-TFBGA	IS46DR16160	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	2,500	400 MHz	易挥发的	256Mbit	400 ps	DRAM	16m x 16	平行线	15ns
IS61C632A-7TQ-TR	-	RFQ	6764	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61C632	sram-异步	3.135v〜3.6V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	800	75 MHz	易挥发的	1Mbit	7 ns	SRAM	32K x 32	平行线	-
IS43TR16256BL-107MBL	10.3400	RFQ	1	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS43TR16256	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-1729	Ear99	8542.32.0036	190	933 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	DRAM	256m x 16	平行线	15ns
IS63WV1288DBLL-10TLI-TR	1.6819	RFQ	7061	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-SOIC（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS63WV1288	sram-异步	2.4v〜3.6V	32-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	1,000		易挥发的	1Mbit	10 ns	SRAM	128K x 8	平行线	10NS
IS61LPS51236A-200TQI	-	RFQ	5953	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61LPS51236	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	200 MHz	易挥发的	18mbit	3.1 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
IS61LV25616AL-10T	-	RFQ	2800	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS61LV25616	sram-异步	3.135v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	135		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	256K x 16	平行线	10NS
IS61LPS12836A-200B2LI	-	RFQ	8636	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	119-BBGA	IS61LPS12836	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	119-PBGA（14x22）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	84	200 MHz	易挥发的	4.5mbit	3.1 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
IS42SM32400H-6BLI-TR	4.4454	RFQ	4972	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42SM32400	sdram-移动	2.7V〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0002	2,500	166 MHz	易挥发的	128mbit	5.5 ns	DRAM	4m x 32	平行线	-
IS49NLC18320-25Bli	-	RFQ	1713年	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	144-TFBGA	IS49NLC18320	rldram 2	1.7V〜1.9V	144-FCBGA （11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	104	400 MHz	易挥发的	576Mbit	20 ns	DRAM	32m x 18	平行线	-
IS25LP512M-JLLE-TR	10.2300	RFQ	2	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	IS25LP512	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-wson（8x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	4,000	133 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	1.6ms
IS62WV51216EBLL-45BLI	6.5500	RFQ	10	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-VFBGA	IS62WV51216	sram-异步	2.2v〜3.6V	48-VFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	480		易挥发的	8mbit	45 ns	SRAM	512k x 16	平行线	45ns
IS61LV12824-10TQI	-	RFQ	5358	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61LV12824	sram-异步	3.135v〜3.6V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72		易挥发的	3Mbit	10 ns	SRAM	128K x 24	平行线	10NS
IS25LQ080-JKLE	-	RFQ	2323	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	在sic中停产	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	IS25LQ080	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-wson（6x5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	100	104 MHz	非易失性	8mbit		闪光	1m x 8	Spi -Quad I/O。	1ms
IS42VM32800E-75BLI	-	RFQ	6111	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42VM32800	sdram-移动	1.7V〜1.95V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	240	133 MHz	易挥发的	256Mbit	6 ns	DRAM	8m x 32	平行线	-
IS64WV102416BLL-10MA3	-	RFQ	4062	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS64WV102416	sram-异步	2.4v〜3.6V	48-Minibga（9x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	220		易挥发的	16mbit	10 ns	SRAM	1m x 16	平行线	10NS
IS61LF51236A-7.5TQI	-	RFQ	3646	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61LF51236	sram-同步，sdr	3.135v〜3.6V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	117 MHz	易挥发的	18mbit	7.5 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
IS61WV25616BLL-10TLI-TR	4.1200	RFQ	3	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS61WV25616	sram-异步	2.4v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	256K x 16	平行线	10NS
IS34MW02G084-TLI-TR	4.8842	RFQ	4209	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	IS34MW02	Flash -nand（slc）	1.7V〜1.95V	48-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,500		非易失性	2Gbit	45 ns	闪光	256m x 8	平行线	45ns
IS42S32200L-7BL	4.0459	RFQ	6373	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42S32200	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	240	143 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	DRAM	2m x 32	平行线	-
IS62WV25616BLL-55BI-TR	-	RFQ	7966	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS62WV25616	sram-异步	2.5V〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,500		易挥发的	4Mbit	55 ns	SRAM	256K x 16	平行线	55ns
IS61LV25616AL-10KLI	-	RFQ	8389	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-bsoj（0.400英寸，10.16mm宽度）	IS61LV25616	sram-异步	3.135v〜3.6V	44-SOJ	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	16		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	256K x 16	平行线	10NS
IS64WV51216BLL-10CTLA3	16.3574	RFQ	9852	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS64WV51216	sram-异步	2.4v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	135		易挥发的	8mbit	10 ns	SRAM	512k x 16	平行线	10NS
IS42S32160F-7TLI-TR	12.0000	RFQ	9351	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS42S32160	Sdram	3v〜3.6V	86-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	1,500	143 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	DRAM	16m x 32	平行线	-
IS42S16800F-6B-Tr	-	RFQ	6455	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42S16800	Sdram	3v〜3.6V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500	166 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	DRAM	8m x 16	平行线	-
IS45VM16800H-75BLA1	-	RFQ	9311	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS45VM16800	sdram-移动	1.7V〜1.95V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	348	133 MHz	易挥发的	128mbit	5.5 ns	DRAM	8m x 16	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS）（5782）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²