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（ICS）（5782）

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IS25LP01G-RIL	11.0326	RFQ	5155	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	24-LBGA		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	24-LFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS25LP01G-RIL			480	133 MHz	非易失性	1Gbit	8 ns	闪光	128m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	50µs，1ms
IS42SM16320E-6Bli-Tr	10.5750	RFQ	6946	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42SM16320	sdram-移动	3v〜3.6V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	2,500	166 MHz	易挥发的	512Mbit	5.5 ns	DRAM	32m x 16	平行线	-
IS25WP032A-JLLE-TR	-	RFQ	6148	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫	IS25WP032	闪光灯 -也不	1.65V〜1.95V	8-wson（8x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	4,000	133 MHz	非易失性	32Mbit		闪光	4m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	800µs
IS42RM32800E-6BLI-TR	8.6727	RFQ	5735	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42RM32800	sdram-移动	2.3V〜3V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	2,500	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5.5 ns	DRAM	8m x 32	平行线	-
IS42S83200G-6TLI	7.1841	RFQ	8338	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S83200	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	108	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	DRAM	32m x 8	平行线	-
IS43LQ32128AL-062TBLI-TR	11.7306	RFQ	5703	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4x	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-tfbga（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43LQ32128AL-062TBLI-TR			2,500	1.6 GHz	易挥发的	4Gbit		DRAM	128m x 32	lvstl	-
IS46DR81280B-3DBLA2-TR	-	RFQ	3355	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS46DR81280	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-TWBGA（8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	2,000	333 MHz	易挥发的	1Gbit	450 ps	DRAM	128m x 8	平行线	15ns
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IS42RM32400H-75BI	-	RFQ	5514	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42RM32400	sdram-移动	2.3v〜2.7V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	240	133 MHz	易挥发的	128mbit	6 ns	DRAM	4m x 32	平行线	-
IS61LPS51218A-200TQI-TR	-	RFQ	5992	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61LPS51218	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	800	200 MHz	易挥发的	9Mbit	3.1 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
IS25WP016D-JMLE-TR	0.8263	RFQ	5534	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	IS25WP016	闪光灯 -也不	1.65V〜1.95V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	1,000	133 MHz	非易失性	16mbit		闪光	2m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	800µs
IS42VM16800E-75BLI-TR	-	RFQ	9882	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42VM16800	sdram-移动	1.7V〜1.95V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500	133 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	DRAM	8m x 16	平行线	-
IS61LPS51236A-250B3	-	RFQ	8454	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61LPS51236	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	144	250 MHz	易挥发的	18mbit	2.6 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
IS42S32800G-6BL	7.3485	RFQ	4267	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	不适合新设计	0°C〜70°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42S32800	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	240	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	DRAM	8m x 32	平行线	-
IS43TR85120AL-15HBL-TR	-	RFQ	3153	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	IS43TR85120	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-TWBGA（9x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,500	667 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	DRAM	512m x 8	平行线	15ns
IS42SM16800G-75BLI-TR	-	RFQ	6223	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42SM16800	sdram-移动	2.7V〜3.6V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500	133 MHz	易挥发的	128mbit	6 ns	DRAM	8m x 16	平行线	-
IS43R83200D-6TL-Tr	4.7033	RFQ	6228	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	0°C〜70°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS43R83200	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,500	166 MHz	易挥发的	256Mbit	700 ps	DRAM	32m x 8	平行线	15ns
IS43R86400F-6BLI	6.3460	RFQ	1874年	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS43R86400	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	60-tfbga（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	190	166 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	DRAM	64m x 8	平行线	15ns
IS49NLS93200-33BL	-	RFQ	1596年	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	144-TFBGA	IS49NLS93200	rldram 2	1.7V〜1.9V	144-FCBGA （11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	104	300 MHz	易挥发的	288Mbit	20 ns	DRAM	32m x 9	平行线	-
IS42S16400D-7BLI-TR	-	RFQ	4045	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS42S16400	Sdram	3v〜3.6V	60 minibga（6.4x10.1）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500	143 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	DRAM	4m x 16	平行线	-
IS42S83200B-7Ti-Tr	-	RFQ	1473	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S83200	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,500	143 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	DRAM	32m x 8	平行线	-
IS45S16160G-7CTLA2	8.5597	RFQ	7768	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	不适合新设计	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS45S16160	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	108	143 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	DRAM	16m x 16	平行线	-
IS42SM16400K-75BLI-TR	-	RFQ	8581	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42SM16400	sdram-移动	3v〜3.6V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500	133 MHz	易挥发的	64mbit	6 ns	DRAM	4m x 16	平行线	-
IS43R83200B-5TL-Tr	-	RFQ	8819	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS43R83200	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,500	200 MHz	易挥发的	256Mbit	700 ps	DRAM	32m x 8	平行线	15ns
IS49NLC18320-25EBLI	-	RFQ	6095	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	144-TFBGA	IS49NLC18320	rldram 2	1.7V〜1.9V	144-FCBGA （11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	104	400 MHz	易挥发的	576Mbit	15 ns	DRAM	32m x 18	平行线	-
IS49NLC36160-33BL	-	RFQ	8886	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	144-TFBGA	IS49NLC36160	rldram 2	1.7V〜1.9V	144-FCBGA （11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	104	300 MHz	易挥发的	576Mbit	20 ns	DRAM	16m x 36	平行线	-
IS61WV5128EDBLL-10TLI	3.7500	RFQ	2	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS61WV5128	sram-异步	2.4v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	135		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	512k x 8	平行线	10NS
IS42S32200L-7BL-TR	3.7974	RFQ	1798年	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42S32200	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500	143 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	DRAM	2m x 32	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS）（5782）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²