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（ICS）（5782）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	特征	基本产品编号	技术	输出类型	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	最大输出电源x @ @负载	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
IS65WV1288FBLL-55CTLA3-TR	-	RFQ	5809	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.724英寸，宽度18.40mm）			IS65WV1288	sram-同步		2.2v〜3.6V	32-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS65WV1288FBLL-55CTLA3-TR	Ear99	8542.32.0041	1,500			易挥发的	1Mbit	55 ns	SRAM	128K x 8	平行线	55ns
IS62WV25616ECLL-35BLI-TR	3.6351	RFQ	1562	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-VFBGA				sram-异步		3.135V〜3.465V	48-VFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS62WV25616ECLL-35BLI-TR			2,500			易挥发的	4Mbit	35 ns	SRAM	256K x 16	平行线	35ns
IS43TR16256AL-107MBL-TR	-	RFQ	2524	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA			IS43TR16256	SDRAM -DDR3L		1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,500		933 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	15ns
IS43TR16512S2DL-107MBL	20.5636	RFQ	3836	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-LFBGA				SDRAM -DDR3L		1.283V〜1.45V	96-LWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43TR16512S2DL-107MBL			190		933 MHz	易挥发的	8Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 16	平行线	15ns
IS61NVP51236B-200B3I	-	RFQ	8705	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA			IS61NVP51236	sram-同步，sdr		2.375V〜2.625V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	144		200 MHz	易挥发的	18mbit	3 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
IS42S16800F-6BLI-TR	2.4879	RFQ	4731	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA			IS42S16800	Sdram		3v〜3.6V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500		166 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	-
IS61WV25616FBLL-10TLI-TR	2.7265	RFQ	8170	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）				sram-异步		2.4v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS61WV25616FBLL-10TLI-TR			1,000			易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	256K x 16	平行线	10NS
IS61LF25636B-7.5TQLI	13.7940	RFQ	9496	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP			IS61LF25636	sram-同步，sdr		3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72		117 MHz	易挥发的	9Mbit	7.5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
IS46TR16128C-125KBLA25	7.0633	RFQ	4324	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜115°C（TC）	表面安装	96-TFBGA				SDRAM -DDR3		1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46TR16128C-125KBLA25			190		800 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
IS61NVP204836B-200TQLI-TR	103.7400	RFQ	6710	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP				SRA -MZBT		2.375V〜2.625V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS61NVP204836B-200TQLI-TR			800		200 MHz	易挥发的	72Mbit	3.1 ns	SRAM	2m x 36	平行线	-
IS42S32160B-75BLI	-	RFQ	2177	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-LFBGA			IS42S32160	Sdram		3v〜3.6V	90-LFBGA（13x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	144		133 MHz	易挥发的	512Mbit	5.5 ns	德拉姆	16m x 32	平行线	-
IS45VM16800H-75BLA1-Tr	-	RFQ	3801	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA			IS45VM16800	sdram-移动		1.7V〜1.95V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500		133 MHz	易挥发的	128mbit	5.5 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	-
IS32AP2123-ZLA3	-	RFQ	3082	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	16-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽）	d	-			（1 通道（单声道）	4.5V〜24V	16秒	下载		3（168））		706-IS32AP2123-ZLA3			96	24W x 1 @ 4ohm
IS42S16160D-7TLI-TR	-	RFQ	3533	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）			IS42S16160	Sdram		3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,500		143 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	-
IS42RM32800D-75BL-TR	-	RFQ	5905	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	0°C〜70°C（TA）	表面安装	90-TFBGA			IS42RM32800	sdram-移动		2.3V〜3V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	2,500		133 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 32	平行线	-
IS46R16320D-6BLA2-TR	11.2500	RFQ	7530	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	60-TFBGA			IS46R16320	sdram -ddr		2.3v〜2.7V	60-tfbga（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	2,500		166 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
IS62WV20488BLL-25MLI-TR	18.5250	RFQ	8252	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA			IS62WV20488	sram-异步		2.4v〜3.6V	48-Minibga（9x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000			易挥发的	16mbit	25 ns	SRAM	2m x 8	平行线	25ns
IS42S32160B-75BLI-TR	-	RFQ	4165	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-LFBGA			IS42S32160	Sdram		3v〜3.6V	90-LFBGA（13x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	2,500		133 MHz	易挥发的	512Mbit	5.5 ns	德拉姆	16m x 32	平行线	-
IS71LD32160WP128-3BPLI	-	RFQ	4013	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	-			IS71LD32160	闪光 -否，dram -lpddr2		1.2V，1.8V	168-BGA	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Q9572210	3A991B1A	8542.32.0071	10		133 MHz	非易失性，挥发性	128mbit（闪光），512mbit（dram）		闪光，ram	-	平行线	-
IS43DR16160A-37CBLI-TR	-	RFQ	2203	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	84-TFBGA			IS43DR16160	SDRAM -DDR2		1.7V〜1.9V	84-TWBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	2,500		266 MHz	易挥发的	256Mbit	500 ps	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
IS61DDB21M18A-300B4L	32.3796	RFQ	9363	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA			IS61DDB21	Sram-同步，DDR II		1.71V〜1.89V	165-LFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0002	144		300 MHz	易挥发的	18mbit		SRAM	1m x 18	平行线	-
IS25LX512M-JHA3-Tr	-	RFQ	1490	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	24-TBGA			IS25LX512M	闪光		2.7V〜3.6V	24-tfbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS25LX512M-JHA3-Tr	3A991B1A	8542.32.0071	2,500		133 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	spi -octal I/o	-
IS42S16320F-7TL-Tr	10.1250	RFQ	5107	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）			IS42S16320	Sdram		3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	1,500		143 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	-
IS61NLF51236B-7.5TQLI-Tr	-	RFQ	7656	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP			IS61NLF51236	sram-同步，sdr		3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	800		117 MHz	易挥发的	18mbit	7.5 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
IS43TR16256ECL-125LB2LI-TR	-	RFQ	4830	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	表面安装	96-BGA				SDRAM -DDR3L		-	96-BGA	-	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43TR16256ECL-125LB2LI-TR			2,000		800 MHz	易挥发的	4Gbit		德拉姆	256m x 16	平行线	-
IS62WV5128BLL-55BLI	4.1765	RFQ	2330	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	36-TFBGA			IS62WV5128	sram-异步		2.5V〜3.6V	36-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	480			易挥发的	4Mbit	55 ns	SRAM	512k x 8	平行线	55ns
IS42RM16160E-75BLI-TR	-	RFQ	9248	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA			IS42RM16160	sdram-移动		2.3V〜3V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	2,500		133 MHz	易挥发的	256Mbit	6 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	-
IS42S16800D-6B-Tr	-	RFQ	3335	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-VFBGA			IS42S16800	Sdram		3v〜3.6V	54-Minibga（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500		166 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	-
IS62C256-70U	-	RFQ	9184	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	28 SOP			IS62C256	sram-异步		4.5V〜5.5V	28 SOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	25			易挥发的	256kbit	70 ns	SRAM	32K x 8	平行线	70NS
IS61QDB42M18C-250M3	-	RFQ	7464	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA			IS61QDB42	sram-同步，四边形		1.71V〜1.89V	165-LFBGA（15x17）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105		250 MHz	易挥发的	36mbit	8.4 ns	SRAM	2m x 18	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS）（5782）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²