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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 |
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![]() | IS42S32160B-75BLI | - | ![]() | 2177 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 90-LFBGA | IS42S32160 | Sdram | 3v〜3.6V | 90-LFBGA(13x11) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 144 | 133 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 16m x 32 | 平行线 | - | ||
![]() | IS61DDB42M36A-300M3L | 74.4172 | ![]() | 9459 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | IS61DDB42 | Sram-同步,DDR II | 1.71V〜1.89V | 165-LFBGA(15x17) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 105 | 300 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | SRAM | 2m x 36 | 平行线 | - | |||
![]() | IS61NLP51236-250B3I | - | ![]() | 3389 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | IS61NLP51236 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 250 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 2.6 ns | SRAM | 512k x 36 | 平行线 | - | ||
![]() | IS62WV102416GALL-55TLI-TR | 8.7750 | ![]() | 2636 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | IS62WV102416 | sram-异步 | 1.65V〜2.2V | 48-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,500 | 易挥发的 | 16mbit | 55 ns | SRAM | 1m x 16 | 平行线 | 55ns | |||
![]() | IS43LD16128B-18BL | 10.5339 | ![]() | 1206 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 134-TFBGA | IS43LD16128 | sdram- lpddr2 -S4 | 1.14v〜1.95v | 134-TFBGA(10x11.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 171 | 533 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 德拉姆 | 128m x 16 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | IS62WV5128BLL-55HLI | 4.4000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-tfsop (0.465英寸,11.80mm((11.80mm)) | IS62WV5128 | sram-异步 | 2.5V〜3.6V | 32-Stsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 234 | 易挥发的 | 4Mbit | 55 ns | SRAM | 512k x 8 | 平行线 | 55ns | |||
![]() | IS66WVS2M8BLL-104NLI-TR | 2.1457 | ![]() | 2540 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | PSRAM (伪 SRAM) | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS66WVS2M8BLL-104NLI-TR | 3,000 | 104 MHz | 易挥发的 | 16mbit | 7 ns | PSRAM | 2m x 8 | SPI,QPI | - | |||||
IS62WV6416DBLL-45TLI | - | ![]() | 4579 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS62WV6416 | sram-异步 | 2.3v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 135 | 易挥发的 | 1Mbit | 45 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 45ns | ||||
![]() | IS42S32400D-7B | - | ![]() | 6072 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 90-TFBGA | IS42S32400 | Sdram | 3v〜3.6V | 90-TFBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 240 | 143 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 4m x 32 | 平行线 | - | ||
![]() | IS61LF51218A-7.5TQI-Tr | - | ![]() | 7300 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | IS61LF51218 | sram-同步,sdr | 3.135v〜3.6V | 100-LQFP(14x20) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 117 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | 7.5 ns | SRAM | 512k x 18 | 平行线 | - | ||
![]() | IS25LP128-JLLE-TR | 1.8341 | ![]() | 7521 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | IS25LP128 | 闪光灯 -也不 | 2.3v〜3.6V | 8-wson(8x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 133 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | 1ms | |||
![]() | IS42S16800E-6BLI-TR | - | ![]() | 4044 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-TFBGA | IS42S16800 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-tfbga(8x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 166 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 8m x 16 | 平行线 | - | ||
IS43LR16320C-6BLI-TR | 6.5100 | ![]() | 7351 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 60-TFBGA | IS43LR16320 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-tfbga(8x10) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 2,000 | 166 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 32m x 16 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | IS42S16160D-75EBL-TR | - | ![]() | 2800 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 54-TFBGA | IS42S16160 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TW-BGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 133 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 16m x 16 | 平行线 | - | ||
![]() | IS42S16160D-7BL | - | ![]() | 1984 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 54-TFBGA | IS42S16160 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TW-BGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 240 | 143 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 16m x 16 | 平行线 | - | ||
![]() | IS62WV102416DBLL-45TLI | 11.1800 | ![]() | 9315 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | IS62WV102416 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 48-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 96 | 易挥发的 | 16mbit | 45 ns | SRAM | 1m x 16 | 平行线 | 45ns | |||
IS43LR16800F-6BLI | - | ![]() | 2913 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 60-TFBGA | IS43LR16800 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-tfbga(8x10) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 300 | 166 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 8m x 16 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | IS43TR16128DL-107MBL | 6.0700 | ![]() | 31 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | IS43TR16128 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA(9x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-1722 | Ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 933 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 128m x 16 | 平行线 | 15ns | |
IS43DR16160A-25EBLI-TR | - | ![]() | 2808 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 84-TFBGA | IS43DR16160 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA(8x12.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 400 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 400 ns | 德拉姆 | 16m x 16 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | IS42S32200L-7BI-TR | - | ![]() | 2349 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 90-TFBGA | IS42S32200 | Sdram | 3v〜3.6V | 90-TFBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 143 MHz | 易挥发的 | 64mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 2m x 32 | 平行线 | - | ||
![]() | IS43TR16640B-107MBLI | - | ![]() | 6521 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | IS43TR16640 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA(9x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0032 | 190 | 933 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 64m x 16 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | IS62WV5128EALL-55BLI | - | ![]() | 9883 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 36-TFBGA | IS62WV5128 | sram-异步 | 1.65V〜2.2V | 36-TFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4Mbit | 55 ns | SRAM | 512k x 8 | 平行线 | 55ns | |||
![]() | IS66WVE4M16EBLL-70BLI | 4.7200 | ![]() | 20 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | IS66WVE4M16 | PSRAM (伪 SRAM) | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-1547 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 易挥发的 | 64mbit | 70 ns | PSRAM | 4m x 16 | 平行线 | 70NS | ||
![]() | IS43R16320D-6BLI-TR | 8.4600 | ![]() | 6652 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 60-TFBGA | IS43R16320 | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 60-tfbga(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 2,500 | 166 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 32m x 16 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | IS43QR16512A-083TBLI | 18.9660 | ![]() | 2909 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | IS43QR16512 | SDRAM -DDR4 | 1.14v〜1.26v | 96-TWBGA(10x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS43QR16512A-083TBLI | Ear99 | 8542.32.0036 | 136 | 1.2 GHz | 易挥发的 | 8Gbit | 19 ns | 德拉姆 | 512m x 16 | 平行线 | 15ns | |
![]() | IS46LQ16128AL-062TBLA1-TR | 9.5760 | ![]() | 9697 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 200-tfbga | sdram- lpddr4x | 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V | 200-tfbga(10x14.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS46LQ16128AL-062TBLA1-TR | 2,500 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 2Gbit | 3.5 ns | 德拉姆 | 128m x 16 | lvstl | 18NS | |||||
![]() | IS42SM32200M-6BLI-TR | 3.3554 | ![]() | 2686 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 90-TFBGA | IS42SM32200 | sdram-移动 | 2.7V〜3.6V | 90-TFBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 2,500 | 166 MHz | 易挥发的 | 64mbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 2m x 32 | 平行线 | - | ||
![]() | IS61WV51216EDALL-20BLI | 12.1000 | ![]() | 9506 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | IS61WV51216 | sram-异步 | 1.65V〜2.2V | 48-TFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 易挥发的 | 8mbit | 20 ns | SRAM | 512k x 16 | 平行线 | 20NS | |||
IS61WV6416DBLL-10TLI-TR | 1.7660 | ![]() | 8176 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS61WV6416 | sram-异步 | 2.4v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 1Mbit | 10 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 10NS | ||||
![]() | IS25LP512MG-RMLE-TY | 6.9200 | ![]() | 259 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | IS25LP512 | 闪光灯 -也不 | 2.3v〜3.6V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS25LP512MG-RMLE-TY | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 176 | 166 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 5.5 ns | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 50µs,1ms |
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