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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
IS42S32160B-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160B-75BLI -
RFQ
ECAD 2177 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-LFBGA IS42S32160 Sdram 3v〜3.6V 90-LFBGA(13x11) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 144 133 MHz 易挥发的 512Mbit 5.5 ns 德拉姆 16m x 32 平行线 -
IS61DDB42M36A-300M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB42M36A-300M3L 74.4172
RFQ
ECAD 9459 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-LBGA IS61DDB42 Sram-同步,DDR II 1.71V〜1.89V 165-LFBGA(15x17) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0002 105 300 MHz 易挥发的 72Mbit SRAM 2m x 36 平行线 -
IS61NLP51236-250B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP51236-250B3I -
RFQ
ECAD 3389 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS61NLP51236 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 165-TFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 144 250 MHz 易挥发的 18mbit 2.6 ns SRAM 512k x 36 平行线 -
IS62WV102416GALL-55TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV102416GALL-55TLI-TR 8.7750
RFQ
ECAD 2636 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) IS62WV102416 sram-异步 1.65V〜2.2V 48-tsop i 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1,500 易挥发的 16mbit 55 ns SRAM 1m x 16 平行线 55ns
IS43LD16128B-18BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16128B-18BL 10.5339
RFQ
ECAD 1206 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C 〜85°C(TC) 表面安装 134-TFBGA IS43LD16128 sdram- lpddr2 -S4 1.14v〜1.95v 134-TFBGA(10x11.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 171 533 MHz 易挥发的 2Gbit 德拉姆 128m x 16 平行线 15ns
IS62WV5128BLL-55HLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128BLL-55HLI 4.4000
RFQ
ECAD 4 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 32-tfsop (0.465英寸,11.80mm((11.80mm)) IS62WV5128 sram-异步 2.5V〜3.6V 32-Stsop i 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 234 易挥发的 4Mbit 55 ns SRAM 512k x 8 平行线 55ns
IS66WVS2M8BLL-104NLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVS2M8BLL-104NLI-TR 2.1457
RFQ
ECAD 2540 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) PSRAM (伪 SRAM) 2.7V〜3.6V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS66WVS2M8BLL-104NLI-TR 3,000 104 MHz 易挥发的 16mbit 7 ns PSRAM 2m x 8 SPI,QPI -
IS62WV6416DBLL-45TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV6416DBLL-45TLI -
RFQ
ECAD 4579 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) IS62WV6416 sram-异步 2.3v〜3.6V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0041 135 易挥发的 1Mbit 45 ns SRAM 64k x 16 平行线 45ns
IS42S32400D-7B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400D-7B -
RFQ
ECAD 6072 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS42S32400 Sdram 3v〜3.6V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 240 143 MHz 易挥发的 128mbit 5.4 ns 德拉姆 4m x 32 平行线 -
IS61LF51218A-7.5TQI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF51218A-7.5TQI-Tr -
RFQ
ECAD 7300 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP IS61LF51218 sram-同步,sdr 3.135v〜3.6V 100-LQFP(14x20) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 800 117 MHz 易挥发的 9Mbit 7.5 ns SRAM 512k x 18 平行线 -
IS25LP128-JLLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP128-JLLE-TR 1.8341
RFQ
ECAD 7521 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 IS25LP128 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-wson(8x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 133 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O,QPI 1ms
IS42S16800E-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800E-6BLI-TR -
RFQ
ECAD 4044 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-TFBGA IS42S16800 Sdram 3v〜3.6V 54-tfbga(8x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 2,500 166 MHz 易挥发的 128mbit 5.4 ns 德拉姆 8m x 16 平行线 -
IS43LR16320C-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16320C-6BLI-TR 6.5100
RFQ
ECAD 7351 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 60-TFBGA IS43LR16320 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-tfbga(8x10) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 2,000 166 MHz 易挥发的 512Mbit 5.5 ns 德拉姆 32m x 16 平行线 15ns
IS42S16160D-75EBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160D-75EBL-TR -
RFQ
ECAD 2800 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-TFBGA IS42S16160 Sdram 3v〜3.6V 54-TW-BGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 2,500 133 MHz 易挥发的 256Mbit 5.5 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 -
IS42S16160D-7BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160D-7BL -
RFQ
ECAD 1984 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-TFBGA IS42S16160 Sdram 3v〜3.6V 54-TW-BGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 240 143 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 -
IS62WV102416DBLL-45TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV102416DBLL-45TLI 11.1800
RFQ
ECAD 9315 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) IS62WV102416 sram-异步 2.2v〜3.6V 48-tsop i 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 96 易挥发的 16mbit 45 ns SRAM 1m x 16 平行线 45ns
IS43LR16800F-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16800F-6BLI -
RFQ
ECAD 2913 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 60-TFBGA IS43LR16800 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-tfbga(8x10) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 300 166 MHz 易挥发的 128mbit 5.5 ns 德拉姆 8m x 16 平行线 15ns
IS43TR16128DL-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128DL-107MBL 6.0700
RFQ
ECAD 31 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-1722 Ear99 8542.32.0036 190 933 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 16 平行线 15ns
IS43DR16160A-25EBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16160A-25EBLI-TR -
RFQ
ECAD 2808 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 84-TFBGA IS43DR16160 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA(8x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 2,500 400 MHz 易挥发的 256Mbit 400 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 15ns
IS42S32200L-7BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200L-7BI-TR -
RFQ
ECAD 2349 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS42S32200 Sdram 3v〜3.6V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 2,500 143 MHz 易挥发的 64mbit 5.4 ns 德拉姆 2m x 32 平行线 -
IS43TR16640B-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640B-107MBLI -
RFQ
ECAD 6521 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS43TR16640 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 190 933 MHz 易挥发的 1Gbit 20 ns 德拉姆 64m x 16 平行线 15ns
IS62WV5128EALL-55BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128EALL-55BLI -
RFQ
ECAD 9883 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 36-TFBGA IS62WV5128 sram-异步 1.65V〜2.2V 36-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4Mbit 55 ns SRAM 512k x 8 平行线 55ns
IS66WVE4M16EBLL-70BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVE4M16EBLL-70BLI 4.7200
RFQ
ECAD 20 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFBGA IS66WVE4M16 PSRAM (伪 SRAM) 2.7V〜3.6V 48-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-1547 3A991B2A 8542.32.0041 480 易挥发的 64mbit 70 ns PSRAM 4m x 16 平行线 70NS
IS43R16320D-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320D-6BLI-TR 8.4600
RFQ
ECAD 6652 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 60-TFBGA IS43R16320 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 60-tfbga(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 2,500 166 MHz 易挥发的 512Mbit 700 ps 德拉姆 32m x 16 平行线 15ns
IS43QR16512A-083TBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR16512A-083TBLI 18.9660
RFQ
ECAD 2909 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS43QR16512 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 96-TWBGA(10x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS43QR16512A-083TBLI Ear99 8542.32.0036 136 1.2 GHz 易挥发的 8Gbit 19 ns 德拉姆 512m x 16 平行线 15ns
IS46LQ16128AL-062TBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16128AL-062TBLA1-TR 9.5760
RFQ
ECAD 9697 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 200-tfbga sdram- lpddr4x 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V 200-tfbga(10x14.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS46LQ16128AL-062TBLA1-TR 2,500 1.6 GHz 易挥发的 2Gbit 3.5 ns 德拉姆 128m x 16 lvstl 18NS
IS42SM32200M-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM32200M-6BLI-TR 3.3554
RFQ
ECAD 2686 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS42SM32200 sdram-移动 2.7V〜3.6V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0002 2,500 166 MHz 易挥发的 64mbit 5.5 ns 德拉姆 2m x 32 平行线 -
IS61WV51216EDALL-20BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV51216EDALL-20BLI 12.1000
RFQ
ECAD 9506 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFBGA IS61WV51216 sram-异步 1.65V〜2.2V 48-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 480 易挥发的 8mbit 20 ns SRAM 512k x 16 平行线 20NS
IS61WV6416DBLL-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV6416DBLL-10TLI-TR 1.7660
RFQ
ECAD 8176 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) IS61WV6416 sram-异步 2.4v〜3.6V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0041 1,000 易挥发的 1Mbit 10 ns SRAM 64k x 16 平行线 10NS
IS25LP512MG-RMLE-TY ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP512MG-RMLE-TY 6.9200
RFQ
ECAD 259 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) IS25LP512 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS25LP512MG-RMLE-TY 3A991B1A 8542.32.0071 176 166 MHz 非易失性 512Mbit 5.5 ns 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 50µs,1ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库