SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
IS25WP080D-JBLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP080D-JBLE-TR 0.6025
RFQ
ECAD 5785 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) IS25WP080 闪光灯 -也不 1.65V〜1.95V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,000 133 MHz 非易失性 8mbit 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 800µs
IS61VPD102418A-200B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPD102418A-200B3I-Tr -
RFQ
ECAD 5866 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS61VPD102418 sram-四边形端口,同步 2.375V〜2.625V 165-PBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 200 MHz 易挥发的 18mbit 3.1 ns SRAM 1m x 18 平行线 -
IS43TR81280BL-125JBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81280BL-125JBLI -
RFQ
ECAD 6041 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA IS43TR81280 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-TWBGA (8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 242 800 MHz 易挥发的 1Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 8 平行线 15ns
IS43DR16320E-25DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320E-25DBL 3.4400
RFQ
ECAD 6 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 0°C〜85°C(TC) 表面安装 84-TFBGA IS43DR16320 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA(8x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-1554 Ear99 8542.32.0028 209 400 MHz 易挥发的 512Mbit 400 ps 德拉姆 32m x 16 平行线 15ns
IS61LPS51236A-250B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS51236A-250B3I-Tr -
RFQ
ECAD 4878 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS61LPS51236 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 165-TFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 250 MHz 易挥发的 18mbit 2.6 ns SRAM 512k x 36 平行线 -
IS46LD32640B-25BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32640B-25BLA1 -
RFQ
ECAD 3793 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 上次购买 -40°C 〜85°C(TC) 表面安装 134-TFBGA sdram- lpddr2 -S4 1.14v〜1.3v,1.7v〜1.95v 134-TFBGA(10x11.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS46LD32640B-25BLA1 1 400 MHz 易挥发的 2Gbit 5.5 ns 德拉姆 64m x 32 HSUL_12 15ns
IS62WVS1288GBLL-45NLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WVS1288GBLL-45NLI 2.3425
RFQ
ECAD 4054 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IS62WVS1288 sram-同步 2.7V〜3.6V 8-SOIC - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS62WVS1288GBLL-45NLI 100 45 MHz 易挥发的 1Mbit 15 ns SRAM 128K x 8 Spi -Quad I/O,SDI -
IS42S16160B-6B-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160B-6B-Tr -
RFQ
ECAD 6453 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-LFBGA IS42S16160 Sdram 3v〜3.6V 54-LFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 2,500 166 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 -
IS43R86400F-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400F-6TLI 5.9099
RFQ
ECAD 9147 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) IS43R86400 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 66-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 108 166 MHz 易挥发的 512Mbit 700 ps 德拉姆 64m x 8 平行线 15ns
IS25CD010-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25CD010-JNLE -
RFQ
ECAD 2931 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 管子 过时的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IS25CD010 闪光 2.7V〜3.6V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 100 100 MHz 非易失性 1Mbit 闪光 128K x 8 spi 5ms
IS46TR85120BL-125KBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR85120BL-125KBLA1 -
RFQ
ECAD 2182 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA IS46TR85120 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-TWBGA (8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS46TR85120BL-125KBLA1 Ear99 8542.32.0036 136 800 MHz 易挥发的 4Gbit 20 ns 德拉姆 512m x 8 平行线 15ns
IS42S32200L-7BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200L-7BL 4.0459
RFQ
ECAD 6373 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS42S32200 Sdram 3v〜3.6V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 240 143 MHz 易挥发的 64mbit 5.4 ns 德拉姆 2m x 32 平行线 -
IS43TR82560C-15HBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560C-15HBL 5.8712
RFQ
ECAD 6958 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 不适合新设计 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA IS43TR82560 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-TWBGA (8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 242 667 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 8 平行线 15ns
IS42S32400F-7BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400F-7BI-Tr -
RFQ
ECAD 6382 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS42S32400 Sdram 3v〜3.6V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 2,500 143 MHz 易挥发的 128mbit 德拉姆 4m x 32 平行线 -
IS42S16100F-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100F-6BL -
RFQ
ECAD 6778 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 60-TFBGA IS42S16100 Sdram 3v〜3.6V 60-TFBGA(6.4x10.1) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 117 166 MHz 易挥发的 16mbit 5.5 ns 德拉姆 1m x 16 平行线 -
IS25WP032A-JLLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP032A-JLLE -
RFQ
ECAD 1272 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 IS25WP032 闪光灯 -也不 1.65V〜1.95V 8-wson(8x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 800µs
IS61VPS102436B-166B3LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS102436B-166B3LI-Tr 87.0000
RFQ
ECAD 2012 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS61VPS102436 sram-同步,sdr 2.375V〜2.625V 165-TFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 166 MHz 易挥发的 36mbit 3.5 ns SRAM 1m x 36 平行线 -
IS43DR81280B-3DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR81280B-3DBL 5.0116
RFQ
ECAD 2916 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 不适合新设计 0°C〜70°C(TA) 表面安装 60-TFBGA IS43DR81280 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-TWBGA(8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 242 333 MHz 易挥发的 1Gbit 450 ps 德拉姆 128m x 8 平行线 15ns
IS25LQ020B-JKLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ020B-JKLE -
RFQ
ECAD 4005 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 IS25LQ020 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-wson(6x5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-1318 Ear99 8542.32.0071 570 104 MHz 非易失性 2Mbit 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 800µs
IS42S32200E-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200E-6TL -
RFQ
ECAD 1565年 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) IS42S32200 Sdram 3v〜3.6V 86-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 108 166 MHz 易挥发的 64mbit 5.5 ns 德拉姆 2m x 32 平行线 -
IS62WV25616DBLL-45BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616DBLL-45BLI-TR -
RFQ
ECAD 3702 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFBGA IS62WV25616 sram-异步 2.5V〜3.6V 48-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 易挥发的 4Mbit 45 ns SRAM 256K x 16 平行线 45ns
IS61WV51216EEBLL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV51216EEBLL-10TLI 7.7827
RFQ
ECAD 4720 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) IS61WV51216 sram-异步 2.4v〜3.6V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 135 易挥发的 8mbit 10 ns SRAM 512k x 16 平行线 10NS
IS61LV5128AL-10BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV5128AL-10BI-TR -
RFQ
ECAD 7344 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 36-TFBGA IS61LV5128 sram-异步 3.135v〜3.6V 36 MINIBGA(8x10) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 易挥发的 4Mbit 10 ns SRAM 512k x 8 平行线 10NS
IS25LP01G-RILE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP01G-RILE-TR 10.3607
RFQ
ECAD 7527 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 24-LBGA 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 24-LFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS25LP01G-RILE-TR 2,500 133 MHz 非易失性 1Gbit 8 ns 闪光 128m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 50µs,1ms
IS42S32800D-75EBI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800D-75EBI -
RFQ
ECAD 5644 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS42S32800 Sdram 3v〜3.6V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 240 133 MHz 易挥发的 256Mbit 5.5 ns 德拉姆 8m x 32 平行线 -
IS43LR16400B-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16400B-6BLI-TR -
RFQ
ECAD 2564 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 60-TFBGA IS43LR16400 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-tfbga(8x10) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 2,000 166 MHz 易挥发的 64mbit 5.5 ns 德拉姆 4m x 16 平行线 15ns
IS42VM32160E-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32160E-6BLI 9.5651
RFQ
ECAD 9595 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS42VM32160 sdram-移动 1.7V〜1.95V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 240 166 MHz 易挥发的 512Mbit 5.5 ns 德拉姆 16m x 32 平行线 -
IS62WV102416BLL-25TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV102416BLL-25TLI 18.7837
RFQ
ECAD 1153 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) IS62WV102416 sram-异步 1.65V〜3.6V 48-tsop i 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 96 易挥发的 16mbit 25 ns SRAM 1m x 16 平行线 25ns
IS61NVP102418-250B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVP102418-250B3I-Tr -
RFQ
ECAD 8280 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS61NVP102418 sram-同步,sdr 2.375V〜2.625V 165-TFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 250 MHz 易挥发的 18mbit 2.6 ns SRAM 1m x 18 平行线 -
IS61DDB42M36A-300M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB42M36A-300M3L 74.4172
RFQ
ECAD 9459 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-LBGA IS61DDB42 Sram-同步,DDR II 1.71V〜1.89V 165-LFBGA(15x17) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0002 105 300 MHz 易挥发的 72Mbit SRAM 2m x 36 平行线 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库