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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
IS25LP256D-RMLE-TY ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP256D-RMLE-TY 4.1076
RFQ
ECAD 9943 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS25LP256D-RMLE-TY 176 166 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 40µs,800µs
IS62WV5128BLL-55TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128BLL-55TLI 3.7027
RFQ
ECAD 6153 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 32-tfsop (0.724英寸,宽度18.40mm) IS62WV5128 sram-异步 2.5V〜3.6V 32-tsop i 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 156 易挥发的 4Mbit 55 ns SRAM 512k x 8 平行线 55ns
IS42S16400F-7TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400F-7TLI -
RFQ
ECAD 5843 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) IS42S16400 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 108 143 MHz 易挥发的 64mbit 5.4 ns 德拉姆 4m x 16 平行线 -
IS61WV10248EDBLL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV10248EDBLL-10TLI 14.2300
RFQ
ECAD 216 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) IS61WV10248 sram-异步 2.4v〜3.6V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 135 易挥发的 8mbit 10 ns SRAM 1m x 8 平行线 10NS
IS46TR16640CL-125JBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640CL-125JBLA1 3.7715
RFQ
ECAD 3392 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS46TR16640CL-125JBLA1 Ear99 8542.32.0032 190 800 MHz 易挥发的 1Gbit 20 ns 德拉姆 64m x 16 平行线 15ns
IS62WV5128EALL-55T2LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128EALL-55T2LI -
RFQ
ECAD 1680年 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 32-SOIC(0.400英寸,10.16毫米宽) IS62WV5128 sram-异步 1.65V〜2.2V 32-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4Mbit 55 ns SRAM 512k x 8 平行线 55ns
IS49NLC93200-25B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC93200-25B -
RFQ
ECAD 3637 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 144-TFBGA IS49NLC93200 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-FCBGA (11x18.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 104 400 MHz 易挥发的 288Mbit 20 ns 德拉姆 32m x 9 平行线 -
IS61WV20488BLL-10MLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV20488BLL-10MLI-TR 18.5250
RFQ
ECAD 3935 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFBGA IS61WV20488 sram-异步 2.4v〜3.6V 48-Minibga(9x11) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 易挥发的 16mbit 10 ns SRAM 2m x 8 平行线 10NS
IS45S32400B-6TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32400B-6TLA1 -
RFQ
ECAD 7200 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) IS45S32400 Sdram 3v〜3.6V 86-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 108 166 MHz 易挥发的 128mbit 5.4 ns 德拉姆 4m x 32 平行线 -
IS45S32800J-7TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32800J-7TLA1-Tr 7.0792
RFQ
ECAD 5130 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) IS45S32800 Sdram 3v〜3.6V 86-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0024 1,500 143 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 32m x 8 平行线 -
IS46LD32320A-3BPLA25 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32320A-3BPLA25 -
RFQ
ECAD 3799 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 在sic中停产 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 168-VFBGA IS46LD32320 sdram- lpddr2 -S4 1.14v〜1.95v 168-VFBGA(12x12) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 171 333 MHz 易挥发的 1Gbit 德拉姆 32m x 32 平行线 15ns
IS43LD32128A-18BPL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32128A-18BPL -
RFQ
ECAD 8547 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 0°C〜85°C(TC) 表面安装 168-VFBGA IS43LD32128 sdram- lpddr2 -S4 1.14v〜1.3v,1.7v〜1.95v 168-VFBGA(12x12) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS43LD32128A-18BPL 过时的 1 533 MHz 易挥发的 4Gbit 5.5 ns 德拉姆 128m x 32 HSUL_12 15ns
IS43DR16320D-3DBI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320D-3DBI -
RFQ
ECAD 9040 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 84-TFBGA IS43DR16320 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA(8x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 209 333 MHz 易挥发的 512Mbit 450 ps 德拉姆 32m x 16 平行线 15ns
IS45S32400E-7TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32400E-7TLA1-Tr -
RFQ
ECAD 6883 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) IS45S32400 Sdram 3v〜3.6V 86-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,500 143 MHz 易挥发的 128mbit 5.4 ns 德拉姆 4m x 32 平行线 -
IS43DR82560C-3DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR82560C-3DBLI-TR 12.2700
RFQ
ECAD 7697 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 60-TFBGA IS43DR82560 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-TWBGA(8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 333 MHz 易挥发的 2Gbit 450 ps 德拉姆 256m x 8 平行线 15ns
IS42S32200E-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200E-7TL -
RFQ
ECAD 1585年 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) IS42S32200 Sdram 3v〜3.6V 86-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 108 143 MHz 易挥发的 64mbit 5.5 ns 德拉姆 2m x 32 平行线 -
IS66WV51216EALL-70BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WV51216EALL-70BLI 2.8713
RFQ
ECAD 4421 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFBGA IS66WV51216 PSRAM (伪 SRAM) 1.7V〜1.95V 48-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 480 易挥发的 8mbit 70 ns PSRAM 512k x 16 平行线 70NS
IS46LR32160C-6BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LR32160C-6BLA1 10.4878
RFQ
ECAD 6904 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS46LR32160 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 240 166 MHz 易挥发的 512Mbit 5.5 ns 德拉姆 16m x 32 平行线 12ns
IS43TR82560CL-15HBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560CL-15HBLI 6.7100
RFQ
ECAD 8940 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 不适合新设计 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA IS43TR82560 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-TWBGA (8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 242 667 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 8 平行线 15ns
IS61NLP25636A-200B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP25636A-200B3I-Tr -
RFQ
ECAD 6909 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS61NLP25636 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 165-TFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 200 MHz 易挥发的 9Mbit 3.1 ns SRAM 256K x 36 平行线 -
IS62WV25616DALL-55B2I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616DALL-55B2I -
RFQ
ECAD 8470 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFBGA IS62WV25616 sram-异步 1.65V〜2.2V 48-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS62WV25616DALL-55B2I 过时的 480 易挥发的 4Mbit 55 ns SRAM 256K x 16 平行线 55ns
IS61LPS25636A-200B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS25636A-200B3LI 15.5879
RFQ
ECAD 6279 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS61LPS25636 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 165-TFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 144 200 MHz 易挥发的 9Mbit 3.1 ns SRAM 256K x 36 平行线 -
IS61VPS51236B-250B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS51236B-250B3LI 17.0617
RFQ
ECAD 8103 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS61VPS51236 sram-同步,sdr 2.375V〜2.625V 165-TFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 144 250 MHz 易挥发的 18mbit 2.6 ns SRAM 512k x 36 平行线 -
IS61VPS51236A-250B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS51236A-250B3I -
RFQ
ECAD 7959 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS61VPS51236 sram-同步,sdr 2.375V〜2.625V 165-TFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 144 250 MHz 易挥发的 18mbit 2.6 ns SRAM 512k x 36 平行线 -
IS61LV51216-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV51216-10TLI-TR -
RFQ
ECAD 6189 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) IS61LV51216 sram-异步 3.135v〜3.6V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 易挥发的 8mbit 10 ns SRAM 512k x 16 平行线 10NS
IS25LP064A-JKLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP064A-JKLE-TR 1.2745
RFQ
ECAD 7202 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 IS25LP064 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-wson(6x5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 4,500 133 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O,QPI 800µs
IS62WV5128EBLL-45T2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128EBLL-45T2LI-TR 2.6470
RFQ
ECAD 4546 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 32-SOIC(0.400英寸,10.16毫米宽) IS62WV5128 sram-异步 2.2v〜3.6V 32-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 易挥发的 4Mbit 45 ns SRAM 512k x 8 平行线 45ns
IS42SM32400G-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM32400G-6BLI-TR -
RFQ
ECAD 7862 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS42SM32400 sdram-移动 2.7V〜3.6V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 2,500 166 MHz 易挥发的 128mbit 5.5 ns 德拉姆 4m x 32 平行线 -
IS25LX512M-JHA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LX512M-JHA3-Tr -
RFQ
ECAD 1490 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 24-TBGA IS25LX512M 闪光 2.7V〜3.6V 24-tfbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS25LX512M-JHA3-Tr 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 spi -octal I/o -
IS42S16160G-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160G-6BL 3.9375
RFQ
ECAD 2252 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 不适合新设计 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-TFBGA IS42S16160 Sdram 3v〜3.6V 54-tfbga(8x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 348 166 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库