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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 基本产品编号 频率 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出 /通道 时钟频率 输出数量 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面 内部开关 拓扑 电压 -电源(最大) 昏暗 电压 -电源(最小) 电压 -输出
IS43TR81280B-125JBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81280B-125JBL-Tr -
RFQ
ECAD 4852 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA IS43TR81280 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-TWBGA (8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 2,000 800 MHz 易挥发的 1Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 8 平行线 15ns
IS43R86400D-5TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400D-5TL-Tr 5.3325
RFQ
ECAD 6850 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 0°C〜70°C(TA) 表面安装 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) IS43R86400 sdram -ddr 2.5v〜2.7V 66-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 1,500 200 MHz 易挥发的 512Mbit 700 ps 德拉姆 64m x 8 平行线 15ns
IS42S32800G-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800G-6BL-TR 6.7200
RFQ
ECAD 1482 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 0°C〜70°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS42S32800 Sdram 3v〜3.6V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 2,500 166 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 8m x 32 平行线 -
IS42S16160J-7BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160J-7BL-TR 3.9594
RFQ
ECAD 3447 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-TFBGA IS42S16160 Sdram 3v〜3.6V 54-tfbga(8x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 2,500 143 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 -
IS46TR16128C-125KBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128C-125KBLA1 6.3746
RFQ
ECAD 7108 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 190 800 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 16 平行线 15ns
IS66WVH16M8DALL-166B1LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVH16M8DALL-166B1LI 5.0400
RFQ
ECAD 6 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 24-TBGA IS66WVH16M8 PSRAM (伪 SRAM) 1.7V〜1.95V 24-tfbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 480 166 MHz 易挥发的 128mbit 36 NS PSRAM 16m x 8 平行线 36ns
IS61QDPB22M36A-333M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB22M36A-333M3L 100.1770
RFQ
ECAD 9919 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-LBGA IS61QDPB22 sram-同步,Quadp 1.71V〜1.89V 165-LFBGA(15x17) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 105 333 MHz 易挥发的 72Mbit 8.4 ns SRAM 2m x 36 平行线 -
IS49NLC36160-25BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC36160-25BI -
RFQ
ECAD 9949 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 144-TFBGA IS49NLC36160 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-FCBGA (11x18.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 104 400 MHz 易挥发的 576Mbit 20 ns 德拉姆 16m x 36 平行线 -
IS43LD32128B-18BPLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32128B-18BPLI 14.1346
RFQ
ECAD 8779 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C 〜85°C(TC) 表面安装 168-VFBGA IS43LD32128 sdram- lpddr2 -S4 1.14v〜1.3v,1.7v〜1.95v 168-VFBGA(12x12) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS43LD32128B-18BPLI Ear99 8542.32.0036 168 533 MHz 易挥发的 4Gbit 5.5 ns 德拉姆 128m x 32 HSUL_12 15ns
IS43QR16256A-093PBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR16256A-093PBL -
RFQ
ECAD 6892 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS43QR16256 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 190 1.066 GHz 易挥发的 4Gbit 德拉姆 256m x 16 平行线 15ns
IS32LT3134-QWLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS32LT3134-QWLA3-TR -
RFQ
ECAD 3920 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 通用目的 表面安装,可润湿的侧面 24-WFQFN暴露垫 DC DC控制器 - 24-wqfn (4x4) - 3(168)) 2,500 - 12 - 5.5V 多步 3V -
IS42S32160F-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160F-6BL-TR 11.5500
RFQ
ECAD 9236 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS42S32160 Sdram 3v〜3.6V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 2,500 167 MHz 易挥发的 512Mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 32 平行线 -
IS49NLC96400A-18WBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC96400A-18WBL 52.0065
RFQ
ECAD 8723 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 144-TFBGA rldram 2 1.7V〜1.9V 144-twbga(11x18.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS49NLC96400A-18WBL 104 533 MHz 易挥发的 576Mbit 15 ns 德拉姆 64m x 9 HSTL -
IS43TR16640BL-125JBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640BL-125JBLI -
RFQ
ECAD 3830 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS43TR16640 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 190 800 MHz 易挥发的 1Gbit 20 ns 德拉姆 64m x 16 平行线 15ns
IS43TR16512BL-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512BL-125KBL-TR 17.7555
RFQ
ECAD 7740 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA(10x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS43TR16512BL-125KBL-TR 2,000 800 MHz 易挥发的 8Gbit 20 ns 德拉姆 512m x 16 平行线 15ns
IS46TR16256AL-15HBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256AL-15HBLA1 -
RFQ
ECAD 3553 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS46TR16256 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 190 667 MHz 易挥发的 4Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 16 平行线 15ns
IS25WP256D-JMLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP256D-JMLE 5.3900
RFQ
ECAD 263 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 管子 过时的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) IS25WP256 闪光灯 -也不 1.65V〜1.95V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 44 104 MHz 非易失性 256Mbit 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 800µs
IS64WV25616EDBLL-10BA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV25616EDBLL-10BA3 -
RFQ
ECAD 9888 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 48-TFBGA IS64WV25616 sram-异步 2.4v〜3.6V 48-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 480 易挥发的 4Mbit 10 ns SRAM 256K x 16 平行线 10NS
IS25WP064A-JMLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP064A-JMLE -
RFQ
ECAD 9518 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 管子 过时的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) IS25WP064 闪光灯 -也不 1.65V〜1.95V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 44 133 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 800µs
IS42S16100C1-5TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100C1-5TL -
RFQ
ECAD 1225 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 50-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽) IS42S16100 Sdram 3v〜3.6V 50-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 117 200 MHz 易挥发的 16mbit 5 ns 德拉姆 1m x 16 平行线 -
IS61NLP102436B-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP102436B-200TQLI-TR 69.6500
RFQ
ECAD 2715 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP IS61NLP102436 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 100-LQFP(14x20) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 800 200 MHz 易挥发的 36mbit 3.1 ns SRAM 1m x 36 平行线 -
IS22TF16G-JCLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS22TF16G-JCLA1-TR 25.1370
RFQ
ECAD 6117 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 153-VFBGA Flash -nand(tlc) 2.7V〜3.6V 153-VFBGA(11.5x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS22TF16G-JCLA1-TR 2,000 200 MHz 非易失性 128Gbit 闪光 16克x 8 EMMC_5.1 -
IS43LR32100D-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32100D-6BL-TR 2.6516
RFQ
ECAD 9540 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS43LR32100 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 2,500 166 MHz 易挥发的 32Mbit 5.5 ns 德拉姆 1m x 32 平行线 15ns
IS34MW02G084-TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS34MW02G084-TLI 6.8500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) IS34MW02 Flash -nand(slc) 1.7V〜1.95V 48-TSOP 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-1637 3A991B1A 8542.32.0071 96 非易失性 2Gbit 45 ns 闪光 256m x 8 平行线 45ns
IS43TR16128DL-107MBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128DL-107MBL-TR 4.3745
RFQ
ECAD 3701 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS43TR16128DL-107MBL-TR 1,500 933 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 16 平行线 15ns
IS43LR16200D-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16200D-6BL 2.6732
RFQ
ECAD 6198 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 60-TFBGA IS43LR16200 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-tfbga(8x10) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 240 166 MHz 易挥发的 32Mbit 5.5 ns 德拉姆 2m x 16 平行线 15ns
IS42S32800J-7BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800J-7BLI 7.8300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS42S32800 Sdram 3v〜3.6V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 240 143 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 8m x 32 平行线 -
IS46TR16256AL-125KBLA25-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256AL-125KBLA25-TR -
RFQ
ECAD 4583 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜115°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS46TR16256 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA(9x13) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS46TR16256AL-125KBLA25-TR Ear99 8542.32.0036 1,500 800 MHz 易挥发的 4Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 16 平行线 15ns
IS63LV1024-12J ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63LV1024-12J -
RFQ
ECAD 1404 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 管子 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 32-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) IS63LV1024 sram-异步 3v〜3.6V 32-soj 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2B 8542.32.0041 22 易挥发的 1Mbit 12 ns SRAM 128K x 8 平行线 12ns
IS29GL032-70BLED ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS29GL032-70BLED 2.7864
RFQ
ECAD 1313 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 大部分 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 48-TFBGA 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 48-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS29GL032-70BLED 480 非易失性 32Mbit 70 ns 闪光 2m x 16 CFI 70NS
  • Daily average RFQ Volume

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    标准产品单位

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