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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 频率 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电流 -输出 /通道 | 时钟频率 | 输出数量 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | 内部开关 | 拓扑 | 电压 -电源(最大) | 昏暗 | 电压 -电源(最小) | 电压 -输出 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS61LPS102418A-250B3 | - | ![]() | 6195 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | IS61LPS102418 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 250 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 2.6 ns | SRAM | 1m x 18 | 平行线 | - | |||||||||||||
IS61LV25616AL-10T | - | ![]() | 2800 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS61LV25616 | sram-异步 | 3.135v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 易挥发的 | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 10NS | |||||||||||||||
![]() | IS43R86400F-5BLI-TR | 5.7900 | ![]() | 1415 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 60-TFBGA | IS43R86400 | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 60-tfbga(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 2,500 | 200 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 64m x 8 | 平行线 | 15ns | |||||||||||||
![]() | IS42VM16200D-75BLI | 2.5287 | ![]() | 3029 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-TFBGA | IS42VM16200 | sdram-移动 | 1.7V〜1.95V | 54-tfbga(8x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 348 | 133 MHz | 易挥发的 | 32Mbit | 6 ns | 德拉姆 | 2m x 16 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS42VM16160D-8BLI | - | ![]() | 2921 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-TFBGA | IS42VM16160 | sdram-移动 | 1.7V〜1.95V | 54-TFBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 240 | 125 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 6 ns | 德拉姆 | 16m x 16 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS32LT3173-GRLA3-Tr | - | ![]() | 9728 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜125°C(TA) | 汽车,照明 | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 线性 | IS32LT3173 | - | 8-SOP-EP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 200mA | 1 | 是的 | - | 5.5V | PWM | 2.5V | 42V | ||||||||||||
![]() | IS25WD040-JNLE | - | ![]() | 3631 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IS25WD040 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 80 MHz | 非易失性 | 4Mbit | 闪光 | 512k x 8 | spi | 3ms | ||||||||||||||
![]() | IS42S16800F-5TLI | 4.2057 | ![]() | 3350 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS42S16800 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 200 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 5 ns | 德拉姆 | 8m x 16 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS25LP512M-JLLE-TR | 10.2300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | IS25LP512 | 闪光灯 -也不 | 2.3v〜3.6V | 8-wson(8x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 133 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 1.6ms | ||||||||||||||
![]() | IS43TR85120AL-107MBLI | - | ![]() | 4603 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | IS43TR85120 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-TWBGA(9x10.5) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS43TR85120AL-107MBLI | Ear99 | 8542.32.0036 | 220 | 933 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 512m x 8 | 平行线 | 15ns | ||||||||||||
![]() | IS66WVC4M16EALL-7010BLI | 4.6313 | ![]() | 1326 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 54-VFBGA | IS66WVC4M16 | PSRAM (伪 SRAM) | 1.7V〜1.95V | 54-vfbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 易挥发的 | 64mbit | 70 ns | PSRAM | 4m x 16 | 平行线 | 70NS | ||||||||||||||
![]() | IS42S16160J-6TL | 2.9622 | ![]() | 1797年 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 管子 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS42S16160 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 108 | 166 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 16m x 16 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS43R86400D-6BLI-TR | 8.4600 | ![]() | 9516 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 60-TFBGA | IS43R86400 | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 60-tfbga(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 2,500 | 166 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 64m x 8 | 平行线 | 15ns | |||||||||||||
![]() | IS42S16100E-6BL-TR | - | ![]() | 7461 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 60-TFBGA | IS42S16100 | Sdram | 3v〜3.6V | 60-TFBGA(6.4x10.1) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 166 MHz | 易挥发的 | 16mbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 1m x 16 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS42S16160D-7TL-Tr | - | ![]() | 6712 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS42S16160 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,500 | 143 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 16m x 16 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS21TF32G-JQLI-TR | 36.0000 | ![]() | 7751 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LBGA | IS21TF32G | Flash -nand(tlc) | 2.7V〜3.6V | 100-LFBGA(14x18) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS21TF32G-JQLI-TR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | 非易失性 | 256Gbit | 闪光 | 32g x 8 | MMC | - | |||||||||||||
![]() | IS61QDPB41M36A-400M3L | 75.0000 | ![]() | 5048 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | IS61QDPB41 | sram-同步,Quadp | 1.71V〜1.89V | 165-LFBGA(15x17) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 400 MHz | 易挥发的 | 36mbit | 8.4 ns | SRAM | 1m x 36 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS43R16320F-6TLI-TR | 5.1909 | ![]() | 2262 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) | IS43R16320 | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 66-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 1,500 | 167 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 32m x 16 | 平行线 | 15ns | |||||||||||||
![]() | IS43TR16256BL-107MBL | 10.3400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | IS43TR16256 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA(9x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-1729 | Ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 933 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 256m x 16 | 平行线 | 15ns | ||||||||||||
![]() | IS46LQ16128AL-062TBLA1 | 10.6342 | ![]() | 7913 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 200-tfbga | sdram- lpddr4x | 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V | 200-tfbga(10x14.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS46LQ16128AL-062TBLA1 | 136 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 2Gbit | 3.5 ns | 德拉姆 | 128m x 16 | lvstl | 18NS | ||||||||||||||||
![]() | IS64LF12836EC-7.5B3LA3-Tr | 10.8000 | ![]() | 2084 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | IS64LF12836 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 117 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 7.5 ns | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS31LT3932-GRLS2-TR | - | ![]() | 2095 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | - | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | AC DC离线切换器 | IS31LT3932 | - | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | - | 1 | 不 | 飞回来,降低(,buck),加速((增强) | 30V | - | 8V | - | ||||||||||||
![]() | IS61NLP25672-200B1-Tr | - | ![]() | 4003 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 209-BGA | IS61NLP25672 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 209-LFBGA(14x22) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 200 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 3.1 ns | SRAM | 256K x 72 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS66WVE1M16BLL-70BLI | - | ![]() | 9107 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | IS66WVE1M16 | PSRAM (伪 SRAM) | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 易挥发的 | 16mbit | 70 ns | PSRAM | 1m x 16 | 平行线 | 70NS | ||||||||||||||
![]() | IS63LV1024-10J-Tr | - | ![]() | 4712 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 32-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) | IS63LV1024 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 32-soj | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 1Mbit | 10 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 10NS | ||||||||||||||
![]() | IS43LD32128B-25BPLI | 13.7189 | ![]() | 1887年 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 168-VFBGA | IS43LD32128 | sdram- lpddr2 -S4 | 1.14v〜1.3v,1.7v〜1.95v | 168-VFBGA(12x12) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS43LD32128B-25BPLI | Ear99 | 8542.32.0036 | 168 | 400 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 德拉姆 | 128m x 32 | 平行线 | 15ns | |||||||||||||
![]() | IS42S16800F-6BLI-TR | 2.4879 | ![]() | 4731 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-TFBGA | IS42S16800 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-tfbga(8x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 166 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 8m x 16 | 平行线 | - | |||||||||||||
IS46DR16320D-25DBLA1 | 6.7565 | ![]() | 9104 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 不适合新设计 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 84-TFBGA | IS46DR16320 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA(8x12.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 209 | 400 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 400 ps | 德拉姆 | 32m x 16 | 平行线 | 15ns | ||||||||||||||
![]() | IS42VM16800H-75BLI | 4.4433 | ![]() | 2463 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-TFBGA | IS42VM16800 | sdram-移动 | 1.7V〜1.95V | 54-tfbga(8x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 348 | 133 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 6 ns | 德拉姆 | 8m x 16 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS62WV1288BLL-55QLI | 1.8062 | ![]() | 5568 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-SOIC (0.445“,11.30mm宽度) | IS62WV1288 | sram-异步 | 2.5V〜3.6V | 32 SOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 84 | 易挥发的 | 1Mbit | 55 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 55ns |
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