SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 基本产品编号 频率 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出 /通道 时钟频率 输出数量 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面 内部开关 拓扑 电压 -电源(最大) 昏暗 电压 -电源(最小) 电压 -输出
IS61LPS102418A-250B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS102418A-250B3 -
RFQ
ECAD 6195 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS61LPS102418 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 165-TFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 144 250 MHz 易挥发的 18mbit 2.6 ns SRAM 1m x 18 平行线 -
IS61LV25616AL-10T ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV25616AL-10T -
RFQ
ECAD 2800 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) IS61LV25616 sram-异步 3.135v〜3.6V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 135 易挥发的 4Mbit 10 ns SRAM 256K x 16 平行线 10NS
IS43R86400F-5BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400F-5BLI-TR 5.7900
RFQ
ECAD 1415 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 60-TFBGA IS43R86400 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 60-tfbga(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 2,500 200 MHz 易挥发的 512Mbit 700 ps 德拉姆 64m x 8 平行线 15ns
IS42VM16200D-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16200D-75BLI 2.5287
RFQ
ECAD 3029 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-TFBGA IS42VM16200 sdram-移动 1.7V〜1.95V 54-tfbga(8x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 348 133 MHz 易挥发的 32Mbit 6 ns 德拉姆 2m x 16 平行线 -
IS42VM16160D-8BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16160D-8BLI -
RFQ
ECAD 2921 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-TFBGA IS42VM16160 sdram-移动 1.7V〜1.95V 54-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 240 125 MHz 易挥发的 256Mbit 6 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 -
IS32LT3173-GRLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS32LT3173-GRLA3-Tr -
RFQ
ECAD 9728 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TA) 汽车,照明 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) 线性 IS32LT3173 - 8-SOP-EP 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 200mA 1 是的 - 5.5V PWM 2.5V 42V
IS25WD040-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WD040-JNLE -
RFQ
ECAD 3631 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IS25WD040 闪光灯 -也不 1.65V〜1.95V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 100 80 MHz 非易失性 4Mbit 闪光 512k x 8 spi 3ms
IS42S16800F-5TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800F-5TLI 4.2057
RFQ
ECAD 3350 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) IS42S16800 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 108 200 MHz 易挥发的 128mbit 5 ns 德拉姆 8m x 16 平行线 -
IS25LP512M-JLLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP512M-JLLE-TR 10.2300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 IS25LP512 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-wson(8x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 133 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 1.6ms
IS43TR85120AL-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR85120AL-107MBLI -
RFQ
ECAD 4603 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 托盘 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA IS43TR85120 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-TWBGA(9x10.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS43TR85120AL-107MBLI Ear99 8542.32.0036 220 933 MHz 易挥发的 4Gbit 20 ns 德拉姆 512m x 8 平行线 15ns
IS66WVC4M16EALL-7010BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVC4M16EALL-7010BLI 4.6313
RFQ
ECAD 1326 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C 〜85°C(TC) 表面安装 54-VFBGA IS66WVC4M16 PSRAM (伪 SRAM) 1.7V〜1.95V 54-vfbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 480 易挥发的 64mbit 70 ns PSRAM 4m x 16 平行线 70NS
IS42S16160J-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160J-6TL 2.9622
RFQ
ECAD 1797年 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 管子 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) IS42S16160 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 108 166 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 -
IS43R86400D-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400D-6BLI-TR 8.4600
RFQ
ECAD 9516 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 60-TFBGA IS43R86400 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 60-tfbga(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 2,500 166 MHz 易挥发的 512Mbit 700 ps 德拉姆 64m x 8 平行线 15ns
IS42S16100E-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100E-6BL-TR -
RFQ
ECAD 7461 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 60-TFBGA IS42S16100 Sdram 3v〜3.6V 60-TFBGA(6.4x10.1) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,000 166 MHz 易挥发的 16mbit 5.5 ns 德拉姆 1m x 16 平行线 -
IS42S16160D-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160D-7TL-Tr -
RFQ
ECAD 6712 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) IS42S16160 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,500 143 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 -
IS21TF32G-JQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21TF32G-JQLI-TR 36.0000
RFQ
ECAD 7751 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LBGA IS21TF32G Flash -nand(tlc) 2.7V〜3.6V 100-LFBGA(14x18) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS21TF32G-JQLI-TR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 非易失性 256Gbit 闪光 32g x 8 MMC -
IS61QDPB41M36A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB41M36A-400M3L 75.0000
RFQ
ECAD 5048 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-LBGA IS61QDPB41 sram-同步,Quadp 1.71V〜1.89V 165-LFBGA(15x17) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 105 400 MHz 易挥发的 36mbit 8.4 ns SRAM 1m x 36 平行线 -
IS43R16320F-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320F-6TLI-TR 5.1909
RFQ
ECAD 2262 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) IS43R16320 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 66-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 1,500 167 MHz 易挥发的 512Mbit 700 ps 德拉姆 32m x 16 平行线 15ns
IS43TR16256BL-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256BL-107MBL 10.3400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS43TR16256 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-1729 Ear99 8542.32.0036 190 933 MHz 易挥发的 4Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 16 平行线 15ns
IS46LQ16128AL-062TBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16128AL-062TBLA1 10.6342
RFQ
ECAD 7913 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 大部分 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 200-tfbga sdram- lpddr4x 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V 200-tfbga(10x14.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS46LQ16128AL-062TBLA1 136 1.6 GHz 易挥发的 2Gbit 3.5 ns 德拉姆 128m x 16 lvstl 18NS
IS64LF12836EC-7.5B3LA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64LF12836EC-7.5B3LA3-Tr 10.8000
RFQ
ECAD 2084 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS64LF12836 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 165-TFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 117 MHz 易挥发的 4.5mbit 7.5 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
IS31LT3932-GRLS2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS31LT3932-GRLS2-TR -
RFQ
ECAD 2095 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) - 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) AC DC离线切换器 IS31LT3932 - 8-sop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 - 1 飞回来,降低(,buck),加速((增强) 30V - 8V -
IS61NLP25672-200B1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP25672-200B1-Tr -
RFQ
ECAD 4003 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 209-BGA IS61NLP25672 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 209-LFBGA(14x22) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 200 MHz 易挥发的 18mbit 3.1 ns SRAM 256K x 72 平行线 -
IS66WVE1M16BLL-70BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVE1M16BLL-70BLI -
RFQ
ECAD 9107 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFBGA IS66WVE1M16 PSRAM (伪 SRAM) 2.7V〜3.6V 48-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 480 易挥发的 16mbit 70 ns PSRAM 1m x 16 平行线 70NS
IS63LV1024-10J-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63LV1024-10J-Tr -
RFQ
ECAD 4712 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 32-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) IS63LV1024 sram-异步 3v〜3.6V 32-soj 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2B 8542.32.0041 1,000 易挥发的 1Mbit 10 ns SRAM 128K x 8 平行线 10NS
IS43LD32128B-25BPLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32128B-25BPLI 13.7189
RFQ
ECAD 1887年 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C 〜85°C(TC) 表面安装 168-VFBGA IS43LD32128 sdram- lpddr2 -S4 1.14v〜1.3v,1.7v〜1.95v 168-VFBGA(12x12) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS43LD32128B-25BPLI Ear99 8542.32.0036 168 400 MHz 易挥发的 4Gbit 德拉姆 128m x 32 平行线 15ns
IS42S16800F-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800F-6BLI-TR 2.4879
RFQ
ECAD 4731 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-TFBGA IS42S16800 Sdram 3v〜3.6V 54-tfbga(8x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 2,500 166 MHz 易挥发的 128mbit 5.4 ns 德拉姆 8m x 16 平行线 -
IS46DR16320D-25DBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16320D-25DBLA1 6.7565
RFQ
ECAD 9104 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 84-TFBGA IS46DR16320 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA(8x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 209 400 MHz 易挥发的 512Mbit 400 ps 德拉姆 32m x 16 平行线 15ns
IS42VM16800H-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16800H-75BLI 4.4433
RFQ
ECAD 2463 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-TFBGA IS42VM16800 sdram-移动 1.7V〜1.95V 54-tfbga(8x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0002 348 133 MHz 易挥发的 128mbit 6 ns 德拉姆 8m x 16 平行线 -
IS62WV1288BLL-55QLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV1288BLL-55QLI 1.8062
RFQ
ECAD 5568 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 管子 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 32-SOIC (0.445“,11.30mm宽度) IS62WV1288 sram-异步 2.5V〜3.6V 32 SOP 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0041 84 易挥发的 1Mbit 55 ns SRAM 128K x 8 平行线 55ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库