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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
IS25WD020-JBLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WD020-JBLE-TR -
RFQ
ECAD 1968年 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) IS25WD020 闪光灯 -也不 1.65V〜1.95V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 2,000 80 MHz 非易失性 2Mbit 闪光 256K x 8 spi 3ms
IS62WV5128BLL-55BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128BLL-55BI -
RFQ
ECAD 7308 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 36-TFBGA IS62WV5128 sram-异步 2.5V〜3.6V 36-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 480 易挥发的 4Mbit 55 ns SRAM 512k x 8 平行线 55ns
IS25WP032A-JLLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP032A-JLLE-TR -
RFQ
ECAD 6148 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 IS25WP032 闪光灯 -也不 1.65V〜1.95V 8-wson(8x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 800µs
IS43TR82560B-15HBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560B-15HBL-Tr -
RFQ
ECAD 7054 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA IS43TR82560 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-TWBGA (8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 667 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 8 平行线 15ns
IS25WP064A-JMLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP064A-JMLE-TR 1.5149
RFQ
ECAD 3766 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) IS25WP064 闪光灯 -也不 1.65V〜1.95V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 800µs
IS42S83200J-7BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200J-7BLI -
RFQ
ECAD 5083 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-TFBGA IS42S83200 Sdram 3v〜3.6V 54-tfbga(8x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 348 143 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 32m x 8 平行线 -
IS42S32200L-6B-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200L-6B-Tr -
RFQ
ECAD 5000 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS42S32200 Sdram 3v〜3.6V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 2,500 166 MHz 易挥发的 64mbit 5.4 ns 德拉姆 2m x 32 平行线 -
IS42S16160D-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160D-6BL -
RFQ
ECAD 4193 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-TFBGA IS42S16160 Sdram 3v〜3.6V 54-TW-BGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 240 166 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 -
IS46TR16256BL-125KBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256BL-125KBLA1 8.5453
RFQ
ECAD 5407 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS46TR16256 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS46TR16256BL-125KBLA1 Ear99 8542.32.0036 190 800 MHz 易挥发的 4Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 16 平行线 15ns
IS43TR16256B-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256B-125KBLI-TR 7.7314
RFQ
ECAD 7040 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS43TR16256 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS43TR16256B-125KBLI-TR Ear99 8542.32.0036 1,500 800 MHz 易挥发的 4Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 16 平行线 15ns
IS25LP064D-RMLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP064D-RMLE-TR 1.3716
RFQ
ECAD 3607 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) 闪存-SLC) 2.3v〜3.6V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS25LP064D-RMLE-TR 1,000 166 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 40µs,800µs
IS45S32400B-6TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32400B-6TLA1 -
RFQ
ECAD 7200 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) IS45S32400 Sdram 3v〜3.6V 86-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 108 166 MHz 易挥发的 128mbit 5.4 ns 德拉姆 4m x 32 平行线 -
IS49NLC93200-25B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC93200-25B -
RFQ
ECAD 3637 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 144-TFBGA IS49NLC93200 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-FCBGA (11x18.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 104 400 MHz 易挥发的 288Mbit 20 ns 德拉姆 32m x 9 平行线 -
IS45S32800J-7TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32800J-7TLA1-Tr 7.0792
RFQ
ECAD 5130 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) IS45S32800 Sdram 3v〜3.6V 86-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0024 1,500 143 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 32m x 8 平行线 -
IS62WV5128BLL-55TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128BLL-55TLI 3.7027
RFQ
ECAD 6153 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 32-tfsop (0.724英寸,宽度18.40mm) IS62WV5128 sram-异步 2.5V〜3.6V 32-tsop i 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 156 易挥发的 4Mbit 55 ns SRAM 512k x 8 平行线 55ns
IS43DR82560C-3DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR82560C-3DBLI-TR 12.2700
RFQ
ECAD 7697 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 60-TFBGA IS43DR82560 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-TWBGA(8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 333 MHz 易挥发的 2Gbit 450 ps 德拉姆 256m x 8 平行线 15ns
IS61NLP102418B-250B3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP102418B-250B3L 19.2532
RFQ
ECAD 8538 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS61NLP102418 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 165-TFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 144 200 MHz 易挥发的 18mbit 3 ns SRAM 1m x 18 平行线 -
IS42S16800F-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800F-7TL-Tr 2.0519
RFQ
ECAD 4549 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) IS42S16800 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,500 143 MHz 易挥发的 128mbit 5.4 ns 德拉姆 8m x 16 平行线 -
IS43LD32128A-18BPL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32128A-18BPL -
RFQ
ECAD 8547 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 0°C〜85°C(TC) 表面安装 168-VFBGA IS43LD32128 sdram- lpddr2 -S4 1.14v〜1.3v,1.7v〜1.95v 168-VFBGA(12x12) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS43LD32128A-18BPL 过时的 1 533 MHz 易挥发的 4Gbit 5.5 ns 德拉姆 128m x 32 HSUL_12 15ns
IS46QR81024A-075VBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46QR81024A-075VBLA2 21.4421
RFQ
ECAD 3912 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 大部分 积极的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 78-TFBGA SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 78-TWBGA(10x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS46QR81024A-075VBLA2 Ear99 8542.32.0036 136 1.333 GHz 易挥发的 8Gbit 18 ns 德拉姆 1G x 8 平行线 15ns
IS43TR81280B-15GBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81280B-15GBLI -
RFQ
ECAD 6827 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA IS43TR81280 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-TWBGA (8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 242 667 MHz 易挥发的 1Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 8 平行线 15ns
IS42VM16320D-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16320D-6BLI-TR -
RFQ
ECAD 5211 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-TFBGA IS42VM16320 sdram-移动 1.7V〜1.95V 54-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 2,500 166 MHz 易挥发的 512Mbit 5.5 ns 德拉姆 32m x 16 平行线 -
IS43TR16128D-093NBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128D-093NBLI -
RFQ
ECAD 4779 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS43TR16128D-093NBLI Ear99 8542.32.0036 190 1.066 GHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 16 平行线 15ns
IS61LF102418A-6.5B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF102418A-6.5B3 -
RFQ
ECAD 9073 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS61LF102418 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 165-TFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 144 133 MHz 易挥发的 18mbit 6.5 ns SRAM 1m x 18 平行线 -
IS65WV1288FBLL-45TLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS65WV1288FBLL-45TLA3-TR -
RFQ
ECAD 7396 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 32-tfsop (0.724英寸,宽度18.40mm) IS65WV1288 sram-异步 2.2v〜3.6V 32-tsop i 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2B 8542.32.0041 1,500 易挥发的 1Mbit 45 ns SRAM 128K x 8 平行线 45ns
IS43LD16128B-18BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16128B-18BL 10.5339
RFQ
ECAD 1206 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C 〜85°C(TC) 表面安装 134-TFBGA IS43LD16128 sdram- lpddr2 -S4 1.14v〜1.95v 134-TFBGA(10x11.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 171 533 MHz 易挥发的 2Gbit 德拉姆 128m x 16 平行线 15ns
IS25LP016D-JNLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP016D-JNLE-TR 0.9600
RFQ
ECAD 33 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IS25LP016 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 133 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 800µs
IS61WV102416EDBLL-10B2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416EDBLL-10B2LI-TR 12.3750
RFQ
ECAD 7675 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFBGA IS61WV102416 sram-异步 2.4v〜3.6V 48-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 易挥发的 16mbit 10 ns SRAM 1m x 16 平行线 10NS
IS43LD32640B-25BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32640B-25BL-TR 9.1350
RFQ
ECAD 7997 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C 〜85°C(TC) 表面安装 134-TFBGA IS43LD32640 sdram- lpddr2 -S4 1.14v〜1.95v 134-TFBGA(10x11.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 400 MHz 易挥发的 2Gbit 德拉姆 64m x 32 平行线 15ns
IS25LP01G-RILE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP01G-RIL 11.0326
RFQ
ECAD 5155 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 大部分 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 24-LBGA 闪存-SLC) 2.7V〜3.6V 24-LFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS25LP01G-RIL 480 133 MHz 非易失性 1Gbit 8 ns 闪光 128m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 50µs,1ms
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    每日平均RFQ量

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    30,000,000

    标准产品单位

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