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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 频率 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电流 -输出 /通道 | 时钟频率 | 输出数量 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | 内部开关 | 拓扑 | 电压 -电源(最大) | 昏暗 | 电压 -电源(最小) | 电压 -输出 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS25WP064D-JBLA3-TR | 1.5646 | ![]() | 4664 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | 闪存-SLC) | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS25WP064D-JBLA3-TR | 2,000 | 166 MHz | 非易失性 | 64mbit | 5.5 ns | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 40µs,800µs | ||||||||||||||||
![]() | IS41C16105C-50TI | - | ![]() | 8876 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 50-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽),44条线索 | IS41C16105 | DRAM -FP | 4.5V〜5.5V | 50-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 117 | 易挥发的 | 16mbit | 25 ns | 德拉姆 | 1m x 16 | 平行线 | 84ns | ||||||||||||||
![]() | IS25LQ025B-JVLE | - | ![]() | 5229 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IS25LQ025 | 闪光灯 -也不 | 2.3v〜3.6V | 8-VVSOP | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS25LQ025B-JVLE | Ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | 非易失性 | 256kbit | 8 ns | 闪光 | 32K x 8 | Spi -Quad I/O。 | 800µs | ||||||||||||
![]() | IS42S32160B-6TLI-TR | - | ![]() | 6049 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) | IS42S32160 | Sdram | 3v〜3.6V | 86-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 1,500 | 166 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 16m x 32 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS66WVH32M8DBLL-100B1LI-TR | 4.4904 | ![]() | 3214 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | PSRAM (伪 SRAM) | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga(6x8) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS66WVH32M8DBLL-100B1LI-TR | 2,500 | 100 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 40 ns | PSRAM | 32m x 8 | 平行线 | 40ns | ||||||||||||||||
![]() | IS43LQ32256A-062BLI-TR | 19.8968 | ![]() | 5145 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 200-tfbga | sdram- lpddr4 | 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V | 200-tfbga(10x14.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS43LQ32256A-062BLI-TR | 2,500 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 8Gbit | 3.5 ns | 德拉姆 | 256m x 32 | lvstl | 18NS | ||||||||||||||||
![]() | IS21ES64G-JCLI | - | ![]() | 3318 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 153-VFBGA | IS21ES64 | Flash -nand (MLC) | 2.7V〜3.6V | 153-VFBGA(11.5x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS21ES64G-JCLI | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | 200 MHz | 非易失性 | 512Gbit | 闪光 | 64g x 8 | EMMC | - | |||||||||||||
![]() | IS61NLF51236B-6.5TQLI | 17.5600 | ![]() | 72 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | sram-同步,ZBT | 3.135V〜3.465V | 100-LQFP(14x20) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS61NLF51236B-6.5TQLI | 72 | 133 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 6.5 ns | SRAM | 512k x 36 | 平行线 | - | |||||||||||||||
IS41LV16100B-50TLI-TR | - | ![]() | 4442 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS41LV16100 | 戏剧性 | 3v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 易挥发的 | 16mbit | 25 ns | 德拉姆 | 1m x 16 | 平行线 | - | |||||||||||||||
![]() | IS42S16160D-6TLI | - | ![]() | 2431 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS42S16160 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 108 | 166 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 16m x 16 | 平行线 | - | |||||||||||||
IS64WV10248BLL-10CTLA3-TR | 15.6750 | ![]() | 8679 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS64WV10248 | sram-异步 | 2.4v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 8mbit | 10 ns | SRAM | 1m x 8 | 平行线 | 10NS | |||||||||||||||
![]() | IS46LQ16128AL-062BLA2 | - | ![]() | 4289 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 200-WFBGA | sdram- lpddr4x | 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V | 200-VFBGA(10x14.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS46LQ16128AL-062BLA2 | 136 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 2Gbit | 3.5 ns | 德拉姆 | 128m x 16 | lvstl | 18NS | ||||||||||||||||
![]() | IS43DR81280C-3DBLI-TR | 5.1914 | ![]() | 3636 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 60-TFBGA | IS43DR81280 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-TWBGA(8x10.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 333 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 450 ps | 德拉姆 | 128m x 8 | 平行线 | 15ns | |||||||||||||
![]() | IS25LQ016-JNLE | - | ![]() | 6488 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IS25LQ016 | 闪光灯 -也不 | 2.3v〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | 非易失性 | 16mbit | 闪光 | 2m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 2ms | ||||||||||||||
![]() | IS49NLS18160-33BL | - | ![]() | 3139 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 144-TFBGA | IS49NLS18160 | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-FCBGA (11x18.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 104 | 300 MHz | 易挥发的 | 288Mbit | 20 ns | 德拉姆 | 16m x 18 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS42S32800D-75EB-Tr | - | ![]() | 8429 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 90-TFBGA | IS42S32800 | Sdram | 3v〜3.6V | 90-TFBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 133 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 8m x 32 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS42S86400D-7TLI-TR | 13.5300 | ![]() | 1205 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS42S86400 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 1,500 | 143 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 64m x 8 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS25LP016D-JMLE-TY | 0.9124 | ![]() | 8046 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | 闪光灯 -也不 | 2.3v〜3.6V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS25LP016D-JMLE-TY | 176 | 133 MHz | 非易失性 | 16mbit | 7 ns | 闪光 | 2m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 40µs,800µs | |||||||||||||||
![]() | IS25WX256-JHLA3-Tr | 4.3800 | ![]() | 2345 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | IS25WX256 | 闪光 | 1.7V〜2V | 24-tfbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS25WX256-JHLA3-TR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 200 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | spi -octal I/o | - | |||||||||||||
![]() | IS43LQ16256AL-062TBLI | 13.0470 | ![]() | 7843 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 200-VFBGA | sdram- lpddr4x | 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V | 200-VFBGA(10x14.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS43LQ16256AL-062TBLI | 136 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 4Gbit | 德拉姆 | 256m x 16 | lvstl | - | |||||||||||||||||
![]() | IS45S16800E-7BLA2-Tr | - | ![]() | 8198 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 54-TFBGA | IS45S16800 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-tfbga(8x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 143 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 8m x 16 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS43TR16512A-125KBLI | - | ![]() | 7593 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-LFBGA | IS43TR16512 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-LFBGA(10x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-1460 | Ear99 | 8542.32.0036 | 136 | 800 MHz | 易挥发的 | 8Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 512m x 16 | 平行线 | 15ns | ||||||||||||
![]() | IS42S16100C1-5TL-Tr | - | ![]() | 8588 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 50-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽) | IS42S16100 | Sdram | 3v〜3.6V | 50-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 200 MHz | 易挥发的 | 16mbit | 5 ns | 德拉姆 | 1m x 16 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS64WV2568EDBLL-10BLA3 | 6.6251 | ![]() | 2855 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 36-TFBGA | IS64WV2568 | sram-异步 | 2.4v〜3.6V | 36-TFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 易挥发的 | 2Mbit | 10 ns | SRAM | 256K x 8 | 平行线 | 10NS | ||||||||||||||
![]() | IS31FL3717-GRLS4-TR | - | ![]() | 5686 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 通用目的 | 表面安装 | 24-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | 线性 | - | 24分 | 下载 | 3(168)) | 1,500 | 34.6mA | 9 | 不 | - | 5.5V | i²c | 2.7V | - | |||||||||||||||||
![]() | IS43DR82560B-3DBLI-TR | - | ![]() | 6353 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 60-TFBGA | IS43DR82560 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-TWBGA(10.5x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 333 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 450 ps | 德拉姆 | 256m x 8 | 平行线 | 15ns | |||||||||||||
![]() | IS42S16160B-7BLI | - | ![]() | 3446 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-LFBGA | IS42S16160 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-LFBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 240 | 143 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 16m x 16 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS46TR81280C-125JBLA25 | - | ![]() | 6275 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜115°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | IS46TR81280 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-TWBGA (8x10.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS46TR81280C-125JBLA25 | Ear99 | 8542.32.0032 | 136 | 800 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 128m x 8 | 平行线 | 15ns | ||||||||||||
![]() | IS25LP512M-RMLA3 | - | ![]() | 9599 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | 闪光灯 -也不 | 2.3v〜3.6V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS25LP512M-RMLA3 | 过时的 | 1 | 133 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 7 ns | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 50µs,1ms | ||||||||||||||
![]() | IS64WV6416BLL-15BA3 | - | ![]() | 1092 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | IS64WV6416 | sram-异步 | 2.5V〜3.6V | 48-TFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 480 | 易挥发的 | 1Mbit | 15 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 15ns |
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