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![]() | IS43DR86400E-3DBL | 2.7669 | ![]() | 6233 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 60-TFBGA | IS43DR86400 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-TWBGA(8x10.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-1559 | Ear99 | 8542.32.0028 | 242 | 333 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 450 ps | 德拉姆 | 64m x 8 | 平行线 | 15ns | |
IS41LV16100B-60TL-Tr | - | ![]() | 1751年 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS41LV16100 | 戏剧性 | 3v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 易挥发的 | 16mbit | 30 ns | 德拉姆 | 1m x 16 | 平行线 | - | ||||
![]() | IS42S32800G-6BLI | 8.3349 | ![]() | 8200 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 不适合新设计 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 90-TFBGA | IS42S32800 | Sdram | 3v〜3.6V | 90-TFBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 240 | 166 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 8m x 32 | 平行线 | - | ||
![]() | IS61VPD102418A-200B3 | - | ![]() | 7935 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | IS61VPD102418 | sram-四边形端口,同步 | 2.375V〜2.625V | 165-PBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 200 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 3.1 ns | SRAM | 1m x 18 | 平行线 | - | ||
![]() | IS43LQ32256AL-062BLI-TR | 19.8968 | ![]() | 1551年 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 200-tfbga | sdram- lpddr4x | 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V | 200-tfbga(10x14.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS43LQ32256AL-062BLI-TR | 2,500 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 8Gbit | 3.5 ns | 德拉姆 | 256m x 32 | lvstl | 18NS | |||||
![]() | IS21ES08G-JQLI | - | ![]() | 3734 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LBGA | IS21ES08 | Flash -nand (MLC) | 2.7V〜3.6V | 100-LFBGA(14x18) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS21ES08G-JQLI | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 98 | 200 MHz | 非易失性 | 64Gbit | 闪光 | 8g x 8 | EMMC | - | ||
![]() | IS25LP256E-RMLE | - | ![]() | 1856年 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | 闪光灯 -也不 | 2.3v〜3.6V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS25LP256E-RMLE | 过时的 | 1 | 166 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 50µs,1ms | ||||
![]() | IS46LD32128A-18BPLA2 | - | ![]() | 3543 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 168-VFBGA | IS46LD32128 | sdram- lpddr2 -S4 | 1.14v〜1.3v,1.7v〜1.95v | 168-VFBGA(12x12) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS46LD32128A-18BPLA2 | 过时的 | 1 | 533 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 128m x 32 | HSUL_12 | 15ns | ||
![]() | IS43R83200D-6TL | 5.1536 | ![]() | 6514 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 不适合新设计 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) | IS43R83200 | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 66-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 108 | 166 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 32m x 8 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | IS61DDB22M18A-250B4LI | - | ![]() | 2259 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | IS61DDB22 | Sram-同步,DDR II | 1.71V〜1.89V | 165-LFBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 144 | 250 MHz | 易挥发的 | 36mbit | 8.4 ns | SRAM | 2m x 18 | 平行线 | - | ||
![]() | IS49RL36320-093EBL | 117.8521 | ![]() | 1477 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 168-LBGA | rldram 3 | 1.28V〜1.42V | 168-FBGA((13.5x13.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS49RL36320-093EBL | 119 | 1.066 GHz | 易挥发的 | 1.152Gbit | 8 ns | 德拉姆 | 32m x 36 | 平行线 | - | ||||
![]() | IS62WV51216HBLL-45BLI | 4.1520 | ![]() | 7180 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-VFBGA | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 48-VFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS62WV51216HBLL-45BLI | 480 | 易挥发的 | 8mbit | 45 ns | SRAM | 512k x 16 | 平行线 | 45ns |
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